技術特征：

技術總結
本發明涉及半導體及半導體制備技術領域，具體而言，涉及一種半導體器件及其制備方法。所述半導體器件包括：襯底、位于所述襯底一側的緩沖層、位于所述緩沖層遠離所述襯底一側的溝道層，以及位于所述溝道層遠離所述緩沖層一側的勢壘層。其中，所述緩沖層包括位于所述襯底一側且含有摻雜雜質的高阻緩沖層，所述高阻緩沖層包括刻蝕掉富集于所述高阻緩沖層遠離所述襯底一側的摻雜雜質后形成的刻蝕區。在本發明提供的半導體器件，通過對含有摻雜雜質的高阻緩沖層表面進行刻蝕，解決了摻雜雜質在高阻緩沖層一側的表面生長的非摻雜溝道層中的拖尾效應，抑制了半導體器件特性退化。

技術研發人員：周文龍
受保護的技術使用者：蘇州能訊高能半導體有限公司
技術研發日：2016.12.15
技術公布日：2017.07.21