本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池，具體涉及一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能電池是一種有效地吸收太陽(yáng)輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，當(dāng)太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)(P-N Junction)上，形成新的空穴-電子對(duì)(V-E pair)，在P-N結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。

晶硅太陽(yáng)能電池的制造工藝有六道工序，分別為制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。制絨是將硅片正面刻蝕成凹凸不平的絨面，增加太陽(yáng)光的吸收；擴(kuò)散是在硅片正面形成PN結(jié)，產(chǎn)生光伏效應(yīng)；刻蝕是去掉硅片背面和邊緣的PN結(jié)以及正面的磷硅玻璃；鍍膜是在硅片正面沉積氮化硅膜，減少太陽(yáng)光的反射；絲網(wǎng)印刷是在硅片正面和背面印刷正電極漿料、背電極漿料和鋁背場(chǎng)漿料；燒結(jié)是將硅片正面和背面印刷的漿料固化，形成電極。

現(xiàn)有制備方法中制得太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，該電池可提高太陽(yáng)光吸收率，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，包括P型硅；

所述P型硅的正面設(shè)有N型發(fā)射極，所述N型發(fā)射極的正面設(shè)有鈍化膜，所述鈍化膜的正面設(shè)有正電極，鈍化膜的正面沉積有銀納米顆粒；

所述P型硅的背面設(shè)有背面鈍化層，所述背面鈍化層上設(shè)有背電場(chǎng)和背電極，所述背電極位于背電場(chǎng)的背面。

作為改進(jìn)，所述正電極表面電鍍有至少一銀層，所述銀層包裹在所述正電極上。

作為改進(jìn)，所述銀納米顆粒為正方體、球體或金字塔狀。

優(yōu)選的，所述銀納米顆粒為球體。

作為改進(jìn)，所述銀納米顆粒的直徑為20-80nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池通過(guò)在硅片正面鈍化膜上化學(xué)沉積銀納米顆粒，依靠入射光激發(fā)銀納米顆粒的表面等離子振蕩，可顯著增強(qiáng)太陽(yáng)光的吸收效率，再加上銀顆粒的散光作用，從而明顯提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、P型硅，2、N型發(fā)射極，3、鈍化膜，4、正電極，5、背面鈍化層，6、背電場(chǎng)，7、背電極，8、銀層，9、銀納米顆粒。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面通過(guò)附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。但是應(yīng)該理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型的范圍。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同，本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。文中所述的正面、背面，以上面為“正”，以下面為“背”。

如圖1所示，一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，包括P型硅1；

所述P型硅1的正面設(shè)有N型發(fā)射極2，所述N型發(fā)射極2的正面設(shè)有鈍化膜3，所述鈍化膜3的正面設(shè)有正電極4，鈍化膜3的正面沉積有一層銀納米顆粒9，正電極4設(shè)置在銀納米顆粒9上；

所述P型硅1的背面設(shè)有背面鈍化層5，所述背面鈍化層5上設(shè)有背電場(chǎng)6和背電極7，所述背電極7位于背電場(chǎng)6的背面。

作為實(shí)施例的改進(jìn)，所述正電極4表面電鍍有至少一銀層8，所述銀層8包裹在所述正電極4上，使正電極4成為銀電極，通過(guò)銀電極配合鈍化膜3上的銀納米顆粒9，能更好的提高電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率。

作為實(shí)施例的改進(jìn)，所述銀納米顆粒9為正方體、球體或金字塔狀，優(yōu)選的為球體，散光作用更明顯，能更好的提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率

作為實(shí)施例的改進(jìn)，所述銀納米顆粒的直徑為20-80nm，根據(jù)沉積效果的不同，銀納米顆粒9的直徑會(huì)發(fā)生變化，依靠不同直徑的銀納米顆粒9，可顯著增強(qiáng)太陽(yáng)光的吸收效率，再加上銀顆粒的散光作用，從而明顯提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池的制備過(guò)程，具體包括以下步驟：

1)選取P型硅作為硅片，并在硅片的正面制絨；

2)在硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散形成N型發(fā)射極；

3)去除步驟2)擴(kuò)散過(guò)程形成的磷硅玻璃；

4)在硅片背面形成背面鈍化層；

5)在硅片正面形成鈍化膜；

6)將鍍膜后的硅片置于濃度為0.5-2.0mol/L的硝酸銀溶液中，靜置1-10min后，取出，再將硅片放入濃度為3-5mol/L的檸檬酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的混合溶液(混合溶液中檸檬酸的用量為5-10L，聚乙烯吡咯烷酮的用量為0.02-0.20g)中，反應(yīng)1-10min后，取出硅片，用去離子水清洗干凈，吹干，即得沉積銀納米顆粒的硅片，其中銀納米顆粒的直徑為20-80nm，形成的銀納米顆粒為正方體、球體或金字塔狀；

7)在硅片背面形成背電場(chǎng)和背電極；

8)在硅片正面形成正電極，正電極表面電鍍有至少一銀層，所述銀層包裹在所述正電極上，使正電極成為銀電極；

9)硅片進(jìn)行燒結(jié)。

本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池通過(guò)在硅片正面鈍化膜上化學(xué)沉積銀納米顆粒，依靠入射光激發(fā)銀納米顆粒的表面等離子振蕩，可顯著增強(qiáng)太陽(yáng)光的吸收效率，再加上銀顆粒的散光作用，從而明顯提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。