本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種絕緣柵雙極型晶體管。

背景技術(shù)：

IGBT具體為絕緣柵雙極型晶體管，一般由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有絕緣柵型場效應(yīng)管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，IGBT具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定的特點(diǎn)，一般應(yīng)用于變頻器、不間斷電源等設(shè)備上。

目前市場上工控領(lǐng)域用IGBT單管產(chǎn)品多為背面銅裸露產(chǎn)品，終端客戶在實(shí)際使用中，產(chǎn)品背面與散熱器間需粘貼絕緣材料，操作麻煩且一致性較差，且粘貼過程容易引入顆粒雜質(zhì)，極易造成IGBT單管高壓擊穿。

綜上所述，如何有效的解決絕緣柵雙極型晶體管在使用時(shí)需粘貼絕緣材料操作不便的問題，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種絕緣柵雙極型晶體管，以解決絕緣柵雙極型晶體管在使用時(shí)需粘貼絕緣材料操作不便的問題。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種絕緣柵雙極型晶體管，包括塑封體，所述塑封體內(nèi)設(shè)置有銅基板和IGBT芯片，所述銅基板和所述IGBT芯片間設(shè)置有絕緣件，所述絕緣件為覆銅陶瓷基板，所述覆銅陶瓷基板與C引腳間、所述IGBT芯片與G引腳間、所述IGBT芯片和快恢復(fù)二極管與E引腳間均分別經(jīng)鍵合線連接，所述絕緣件與所述銅基板間粘接，所述絕緣件與所述銅基板經(jīng)陶瓷膠粘接，所述IGBT芯片和所述絕緣件間焊接連接，所述IGBT芯片與所述絕緣件間經(jīng)焊錫連接。

本實(shí)用新型提供的絕緣柵雙極型晶體管，包括塑封體，塑封體內(nèi)設(shè)置有銅基板和IGBT芯片，銅基板和IGBT芯片間設(shè)置有絕緣件。通過在塑封體中設(shè)置絕緣件，使得在絕緣柵雙極型晶體管與其他器件連接時(shí)，無需在絕緣柵雙極型晶體管的背面粘接絕緣材料進(jìn)行絕緣，操作簡單，且具有較高的一致性，降低了高壓擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，提升用戶使用體驗(yàn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的內(nèi)部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的外觀結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中標(biāo)記如下：

塑封體1、IGBT芯片2、焊錫層3、覆銅陶瓷基板4、陶瓷膠5、銅基板6、FRD7。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種絕緣柵雙極型晶體管，以解決絕緣柵雙極型晶體管在使用時(shí)需粘貼絕緣材料操作不便的問題。

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1-圖3，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的內(nèi)部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的外觀結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的絕緣柵雙極型晶體管的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

在一種具體的實(shí)施方式中，絕緣柵雙極型晶體管包括塑封體1，塑封體1內(nèi)設(shè)置有銅基板6和IGBT芯片2，銅基板6和IGBT芯片2間設(shè)置有絕緣件。通過將絕緣件設(shè)置在絕緣柵雙極型晶體管的塑封體1內(nèi)部，使得絕緣柵雙極型晶體管在與其他器件安裝的過程中，無需在絕緣柵雙極型晶體管的外部設(shè)置絕緣材料，不會(huì)引入顆粒雜質(zhì)，造成絕緣柵雙極型晶體管高壓擊穿，且該裝置在使用時(shí)操作簡單、具有較高的一致性，且降低高壓擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，提升用戶的使用體驗(yàn)。

具體的，絕緣件為覆銅陶瓷基板4。覆銅陶瓷基板4是使用DBC技術(shù)將銅箔直接燒結(jié)在陶瓷表面而制成的一種電子基礎(chǔ)材料。覆銅陶瓷基板4具有極好的熱循環(huán)性、形狀穩(wěn)定、剛性好、導(dǎo)熱率高、可靠性高。在其他實(shí)施例中，也可以通過其他絕緣材料來達(dá)到相同的技術(shù)目的，如云母、玻璃、橡膠和樹脂等，在其他實(shí)施例中，可根據(jù)實(shí)際的生產(chǎn)需要自行進(jìn)行設(shè)置，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

如圖3所示，覆銅陶瓷基板4與C引腳經(jīng)鍵合線連接，G引腳與IGBT芯片2經(jīng)鍵合線連接，一般的，絕緣柵雙極型晶體管中封裝有FRD7，即快恢復(fù)二極管，IGBT芯片2和FRD7分別與E引腳通過鍵合線進(jìn)行連接，解決絕緣柵雙極型晶體管在工作時(shí)需要與外部器件進(jìn)行絕緣的問題。

進(jìn)一步地，絕緣件與銅基板6間粘接。絕緣件和銅基板6間粘接，以防止二者發(fā)生相對滑動(dòng)，影響器件的正常使用，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可以通過其他的固定連接的方式進(jìn)行固定，如焊接等，只要能夠達(dá)到相同的技術(shù)效果即可，對具體的實(shí)現(xiàn)形式不作限定，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

更進(jìn)一步地，絕緣件與銅基板6經(jīng)陶瓷膠5粘接。優(yōu)選地，可通過陶瓷膠5進(jìn)行粘接，絕緣件具體為覆銅陶瓷基板4，可通過陶瓷膠5進(jìn)行粘接，當(dāng)在其他實(shí)施例中，絕緣件為其他絕緣材料時(shí)，可根據(jù)實(shí)際的需要自行設(shè)定粘接材料。

具體的，IGBT芯片2與絕緣件間焊接連接。為了對IGBT芯片2和絕緣件進(jìn)行固定，IGBT芯片2和絕緣件可通過焊接進(jìn)行連接，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可以通過其他形式的固定方式進(jìn)行固定，只要能夠達(dá)到相同的技術(shù)效果即可。

進(jìn)一步地，IGBT芯片2與絕緣件間經(jīng)焊錫連接。IGBT芯片2和絕緣件間焊接連接，形成焊錫層3，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可以通過焊銻、焊鎘等進(jìn)行連接，在此不再贅述。

本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。