1.一種芯片級封裝LED，包括基板(1)，其特征在于，所述基板(1)的上方設置有倒裝紫外芯片(2)，所述倒裝紫外芯片(2)的底面設置有兩個電極(21)，所述倒裝紫外芯片(2)通過兩個所述電極(21)與所述基板(1)電連接，兩個所述電極(21)與所述倒裝紫外芯片(2)之間均設置有第一石墨烯層(22)，兩個所述第一石墨烯層(22)之間互不連接，所述倒裝紫外芯片(2)的頂面和側面從內至外依次設置有第二石墨烯層(3)、量子點層(4)和封裝膠層(5)。
2.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述第二石墨烯層(3)、所述量子點層(4)、所述封裝膠層(5)與所述基板(1)一起將所述倒裝紫外芯片(2)封裝。
3.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述第一石墨烯層(22)的底面積大于所述電極(21)的底面積。
4.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述封裝膠層(5)為透明封裝膠層。
5.根據權利要求4所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述封裝膠層(5)為環氧樹脂層或硅膠層。
6.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述電極(21)通過回流焊與所述基板(1)電連接。
7.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述基板(1)為GaN、Si、SiN或陶瓷基板。
8.根據權利要求1所述的芯片級封裝LED，其特征在于，所述基板(1)上布設有電路。