技術特征：

技術總結
本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。一種制造半導體結構的方法，所述方法包含形成傳導層于第一絕緣層上；蝕刻所述傳導層的一部分，以暴露所述第一絕緣層的一部分；變形所述第一絕緣層的所述部分的表面，以形成所述第一絕緣層的粗糙表面；以及從所述第一絕緣層的所述粗糙表面移除所述傳導層的殘留物。

技術研發人員：黃偉立;翁正杰;蘇祥盛;黃宗隆;劉國洲;黃信傑;廖德堆;古進譽;陳承先
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：2017.03.24
技術公布日：2017.10.03