本發明涉及電池片技術領域，尤其是涉及一種降低多晶電池片漏電的工藝方法。

背景技術：

傳統的降低多晶電池片漏電的工藝方法為：前清洗-擴散-濕法刻蝕-pecvd鍍膜-印刷，即：先經過前道的清洗，然后磷擴散，接著經過濕法刻蝕洗去表面磷硅玻璃和邊緣刻蝕，接著再經過pecvd鍍膜，最后經過絲網印刷工藝完成正背面電極的印刷。但是，由于在濕法刻蝕下料端的自動化設備上，存在用于傳送硅片的皮帶及滾輪裝置，其材料的清潔度非常關鍵，隨著生產時間的延長，皮帶及滾輪裝置的磨損會不可避免的產生金屬離子對硅片接觸面造成污染，導致電池片表面會出現零星漏電，降低了電池片的成品率，同時漏電會導致組件熱斑效應，帶來風險。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題是：為了克服現有技術中的降低多晶電池片漏電的工藝方法容易對硅片接觸面造成污染，導致電池片表面會出現零星漏電，降低了電池片的成品率，同時漏電會導致組件熱斑效應，帶來風險的問題，提供一種降低多晶電池片漏電的工藝方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，其工藝步驟為：前清洗—擴散—濕法刻蝕—槽式清洗—pecvd鍍膜—印刷，所述槽式清洗的步驟為：

(1)、在槽式清洗機的第一槽體中加入雙氧水、氫氟酸和水的混合物，雙氧水、氫氟酸和水的配比是：1:1:30；

(2)、將電池片放入槽式清洗機的第一槽體內，電池片通過雙氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有機臟污，同時把金屬離子由低價態氧化成高價態，同時在硅片表面形成一層二氧化硅薄層，然后用氫氟酸洗掉二氧化硅薄層，帶走部分有機污染和金屬離子；

(3)、將電池片放入裝有純水的第二槽體中進行漂洗，洗掉硅片表面殘余的氫氟酸；

(4)、在第三個槽體中加入鹽酸和水的混合物，鹽酸和水的配比是：1:30；

(5)、將電池片放入第三槽體內，電池片上的高價態金屬離子與鹽酸之間形成絡合物，可以去掉硅片表面的金屬污染；

(6)、將電池片放入裝有純水的第四槽體中進行漂洗，洗去硅片表面殘余的鹽酸；

(7)、將電池片從第四槽體內取出，進行慢提拉脫水；

(8)、使用熱風刀對電池片表面進行吹干處理。

步驟(6)至少操作兩次。

步驟(1)中，雙氧水的質量濃度為68％-72％，氫氟酸的質量濃度為49％-51％。

步驟(4)中，鹽酸的質量濃度為36％-38％。

本發明的有益效果是:本發明的一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，在現有工藝中增加了槽式清洗的步驟，硅片在經過槽式清洗后，進一步清洗了硅片表面的金屬離子和有機污染，降低了硅片內部的漏電，提升了成品率，提升了rsh，進一步提升了電池片的轉換效率。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。

圖1是本發明的工藝方法流程簡圖；

圖2是本發明中槽式清洗的工藝方法流程簡圖。

具體實施方式

現在結合附圖對本發明做進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。

一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，其工藝步驟如圖1所示：前清洗—擴散—濕法刻蝕—槽式清洗—pecvd鍍膜—印刷，所述槽式清洗的步驟如圖2所示：

(1)、在槽式清洗機的第一槽體中加入雙氧水、氫氟酸和水的混合物，雙氧水、氫氟酸和水的配比是：1:1:30；

(2)、將電池片放入槽式清洗機的第一槽體內，電池片通過雙氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有機臟污，同時把金屬離子由低價態氧化成高價態，同時在硅片表面形成一層二氧化硅薄層，然后用氫氟酸洗掉二氧化硅薄層，帶走部分有機污染和金屬離子；

(3)、將電池片放入裝有純水的第二槽體中進行漂洗，洗掉硅片表面殘余的氫氟酸；

(4)、在第三個槽體中加入鹽酸和水的混合物，鹽酸和水的配比是：1:30；

(5)、將電池片放入第三槽體內，電池片上的高價態金屬離子與鹽酸之間形成絡合物，可以去掉硅片表面的金屬污染；

(6)、將電池片放入裝有純水的第四槽體中進行漂洗，洗去硅片表面殘余的鹽酸；

(7)、將電池片從第四槽體內取出，進行慢提拉脫水；

(8)、使用熱風刀對電池片表面進行吹干處理。

步驟(6)至少操作兩次。

步驟(1)中，雙氧水的質量濃度為68％-72％，氫氟酸的質量濃度為49％-51％。

步驟(4)中，鹽酸的質量濃度為36％-38％。

以上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。

技術特征：

技術總結
本發明涉及一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，在現有工藝中增加了槽式清洗的步驟，硅片在經過槽式清洗后，進一步清洗了硅片表面的金屬離子和有機污染，降低了硅片內部的漏電，提升了成品率，提升了RSH，進一步提升了電池片的轉換效率。

技術研發人員：胡琴;張凱勝;姚偉忠
受保護的技術使用者：常州億晶光電科技有限公司
技術研發日：2017.05.19
技術公布日：2017.09.12