本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的是一種圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：

圖像傳感器，是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分，例如cmos(complementarymetal-oxide-semiconductortransistor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱cmos)傳感器，采用一般半導(dǎo)體電路最常用的cmos工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特點(diǎn)，最近幾年在寬動(dòng)態(tài)、低照度方面發(fā)展迅速。cmos即互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體，主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，通過cmos上帶負(fù)電和帶正電的晶體管來實(shí)現(xiàn)基本的功能。這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片記錄和解讀成影像。

在使用多個(gè)攝像頭的設(shè)備中(如手機(jī)、紅外測(cè)量?jī)x)，盡管使用的是多個(gè)攝像頭但是它們的攝像頭模組均是分開設(shè)計(jì)的，也就是說一個(gè)攝像頭中僅包括一個(gè)傳感器，這樣會(huì)導(dǎo)致機(jī)械加工精度難以控制并且使得多個(gè)攝像頭模組在對(duì)攝取的圖像解析帶來過于復(fù)雜的問題。同時(shí)多攝像頭模組同時(shí)進(jìn)行拍時(shí)將會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，由于線路基板中的散熱傳導(dǎo)的局限性，采用該方式進(jìn)行多攝像頭模組進(jìn)行組裝的時(shí)候使得攝像頭在工作的時(shí)候溫度難以散播，從而導(dǎo)致攝像頭的使用壽命減少。而且，多個(gè)攝像頭模組的組裝會(huì)使得攝像頭之間的組裝的間距過大，造成多攝像頭同時(shí)工作的時(shí)候數(shù)字圖像處理過程中導(dǎo)致的算法復(fù)雜以及實(shí)用難度過大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的是增加多個(gè)攝像頭系統(tǒng)的集成度、提成良品率以及降低模組的工藝難度。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)，其中，包括：

基板；

多個(gè)芯片，每個(gè)所述芯片均固定于所述基板的上表面；

每個(gè)所述芯片的上表面分別制備有并排的至少兩個(gè)圖像傳感器；

支架，包括一凹陷結(jié)構(gòu)；

所述支架與所述基板連接，以將全部所述芯片封裝于所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，所述圖像傳感器為cmos圖像傳感器。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，還包括：

鏡頭，蓋設(shè)于所述芯片上的每個(gè)所述圖像傳感器的上方。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，每個(gè)所述芯片的上表面制備的所述圖像傳感器中包括至少一個(gè)第一類圖像傳感器和至少一個(gè)第二類圖像傳感器；

所述第一類圖像傳感器的上方蓋設(shè)的所述鏡頭為第一類鏡頭；

所述第二類圖像傳感器的上方蓋設(shè)的所述鏡頭為第二類鏡頭。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，所述第一類傳感器為黑白圖像傳感器，所述第二類傳感器為彩色圖像傳感器。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，所述鏡頭為玻璃透鏡。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，所述鏡頭具有向上的凸起。

上述的封裝設(shè)計(jì)，其中，每個(gè)所述芯片的上表面制備的所述圖像傳感器的數(shù)量相同。

本技術(shù)方案的有益效果是：本發(fā)明提出的圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)形成的攝像頭成像質(zhì)量好，散熱效果好，封裝難度低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明中晶圓表面的芯片的圖像傳感器的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下方將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

下方結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，如圖1所示，提供了一種圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)，其中，可以包括：

基板10；

多個(gè)芯片20，每個(gè)芯片20均固定于基板的上表面；

每個(gè)芯片20的上表面分別制備有并排的至少兩個(gè)圖像傳感器ss；

支架30，包括一凹陷結(jié)構(gòu)grv；

支架30與基板10連接，以將全部芯片20封裝于凹陷結(jié)構(gòu)grv內(nèi)。

上述技術(shù)方案中，基板10可以是復(fù)合基板，例如已經(jīng)制備形成電路層以及其他結(jié)構(gòu)層，基板的形成可以是現(xiàn)有的技術(shù)，在此不再贅述；由于圖1中圖像傳感器ss與芯片20的上表面齊平，因此在圖1中無法顯示圖像傳感器的位置；如圖2所示，制備有圖像傳感器ss的芯片20可以是通過分隔晶圓cr得到的。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，圖像傳感器ss為cmos圖像傳感器，但這只是一種優(yōu)選的情況，也可以均為其他種類的圖像傳感器，或者cmos圖像傳感器與其他種類的圖像傳感器的組合。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，如圖1所示，還可以包括：

鏡頭40，蓋設(shè)于芯片20上的每個(gè)圖像傳感器ss的上方。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，每個(gè)芯片的上表面制備的圖像傳感器ss中包括至少一個(gè)第一類圖像傳感器和至少一個(gè)第二類圖像傳感器；

第一類圖像傳感器的上方蓋設(shè)的鏡頭40為第一類鏡頭；

第二類圖像傳感器的上方蓋設(shè)的鏡頭40為第二類鏡頭。

上述技術(shù)方案中，同一類圖像傳感器ss可以設(shè)置于芯片20的同一側(cè)。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一類傳感器可以為黑白圖像傳感器，用于進(jìn)行像素?cái)?shù)據(jù)收集，第二類傳感器可以為彩色圖像傳感器，用于進(jìn)行圖像細(xì)節(jié)補(bǔ)充。

上述技術(shù)方案中，兩類圖像傳感器ss對(duì)應(yīng)的鏡頭40可以是適應(yīng)對(duì)應(yīng)類型的圖像傳感器ss的；圖像傳感器ss的種類和功能可以是不同的，其對(duì)應(yīng)的鏡頭的種類也可以是不同的，還可以包括其他種類的鏡頭，例如可以包括紫外鏡頭等。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，鏡頭40可以為玻璃透鏡，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)視為是對(duì)本發(fā)明的限制。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，鏡頭40可以具有向上的凸起，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)視為是對(duì)本發(fā)明的限制。

上述技術(shù)方案中，透鏡40中心鄰近圖像傳感器ss的一面可以包括一空隙，該空隙使得透鏡40的厚度是均勻的。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，每個(gè)芯片20的上表面制備的圖像傳感器的數(shù)量相同。

上述技術(shù)方案中，芯片20的尺寸可以均相同，且均勻分布在基板10的上表面。

以上僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像傳感器的封裝設(shè)計(jì)，其特征在于，包括：基板；多個(gè)芯片，每個(gè)所述芯片均固定于所述基板的上表面；每個(gè)所述芯片的上表面分別制備有并排的至少兩個(gè)圖像傳感器；支架，包括一凹陷結(jié)構(gòu)；所述支架與所述基板連接，以將全部所述芯片封裝于所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)；形成的攝像頭成像質(zhì)量好，散熱效果好，封裝難度低。

技術(shù)研發(fā)人員：王德俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.08