技術特征：

技術總結
本發明公開了一種基于離子注入氟實現高增益氮化鎵肖特基二極管的制備方法，包括步驟：A、在同質GaN襯底上外延生長濃度為4.1x1016cm?3的n型GaN摻雜層；B、在外延層上制備歐姆接觸電極層；C、在外延片上覆蓋二氧化硅鈍化層，刻蝕出離子注入區域；D、通過離子注入機注入氟離子；E、在離子注入區域上方制備肖特基電極層。本發明還公開了制備得到的肖特基二極管。該制備方法過程中采用了離子注入氟一方面提高n?GaN與肖特基金屬之間的內建勢壘高度，從而有效減低了器件的反向電流，實現高增益性能；另一方面通過照射波長為360?365nm的紫外光，器件表現出類似紫外探測器的光生電流反應，光暗電流比可達107。

技術研發人員：閆大為;羊群思
受保護的技術使用者：江南大學
技術研發日：2017.05.23
技術公布日：2017.09.29