本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構。

背景技術：

微發(fā)光二極管(microled)是一種尺寸在幾微米到幾百微米之間的器件，由于其較普通led的尺寸要小很多，從而使得單一的led作為像素(pixel)用于顯示成為可能，microled顯示器便是一種以高密度的microled陣列作為顯示像素陣列來實現(xiàn)圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶外led顯示屏一樣，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外led顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，microled顯示器和有機發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但microled顯示器相比于oled顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點，被認為是oled顯示器的最大競爭對手。

由于晶格匹配的原因，microled器件必須先在藍寶石類的供給基板上通過分子束外延的方法生長出來，隨后通過激光剝離(laserlift-off，llo)技術將微發(fā)光二極管裸芯片(barechip)從供給基板上分離開，然后通過微轉(zhuǎn)印(microtransferprint，ntp)技術將其轉(zhuǎn)移到已經(jīng)預先制備完成電路圖案的接受基板上，形成microled陣列，進而做成microled顯示面板。其中，微轉(zhuǎn)印的基本原理大致為：使用具有圖案化的傳送頭(transferhead)，例如具有凸起結構的聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)類傳送頭，通過具有粘性的pdms傳送層(transferlayer)將microledbarechip從供給基板吸附起來，然后將pdms傳送頭與接受基板進行對位，隨后將pdms傳送頭所吸附的microledbarechip貼附到接受基板預設的位置上，再將pdms傳送頭從接受基板上剝離，即可完成microledbarechip的轉(zhuǎn)移，形成microled陣列基板，進一步地，所述接受基板是已經(jīng)預先制備完成電路圖案的硅基板，其可以為柔性也可以為剛性。

在現(xiàn)有microled顯示面板的制作過程中，為了保護microled及其下方的驅(qū)動基板，并改善microled陣列的發(fā)光效果，提出一種新的microled陣列基板的封裝結構，是本領域亟需解決的技術問題之一。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，能夠保護微發(fā)光二極管及其下方對其進行驅(qū)動的基板，并能夠改善微發(fā)光二極管陣列基板的發(fā)光效果。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，包括基板、設于所述基板上的微發(fā)光二極管陣列、設于所述基板上方并覆蓋所述微發(fā)光二極管陣列的保護層；

所述微發(fā)光二極管陣列包括數(shù)個陣列排布的微發(fā)光二極管；

可選地，所述基板的上表面上、或所述保護層的下表面上設有數(shù)個凹槽，所述數(shù)個微發(fā)光二極管容置于所述數(shù)個凹槽中。

所述數(shù)個凹槽設于所述基板的上表面上，所述保護層為玻璃、或塑料材料的板材，所述保護層的厚度大于1mm。

可選地，所述的微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，還包括設于所述基板與所述保護層之間的數(shù)個支撐柱，所述數(shù)個支撐柱設于所述基板上，以對所述保護層進行支撐。

可選地，所述數(shù)個凹槽設于所述基板的上表面上，所述保護層為通過涂布工藝形成在所述基板上的有機膜層。

所述數(shù)個凹槽與所述數(shù)個微發(fā)光二極管一一對應設置，每一凹槽的深度大于其內(nèi)容置的微發(fā)光二極管的高度。

每一凹槽的槽壁上均設有反射層。

可選地，所述數(shù)個凹槽設于所述保護層的下表面上，所述保護層為玻璃、或塑料材料的板材，所述保護層的厚度大于1mm。

所述數(shù)個凹槽通過激光打孔、或壓印的方式形成于所述保護層的下表面上；

所述凹槽的側壁為弧面狀，所述凹槽的槽口為圓形、或橢圓形。

每一凹槽對應覆蓋一個或多個微發(fā)光二極管。

所述基板為tft陣列基板。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，包括基板、設于所述基板上的微發(fā)光二極管陣列、設于所述基板上方并覆蓋所述微發(fā)光二極管陣列的保護層；所述微發(fā)光二極管陣列包括數(shù)個陣列排布的微發(fā)光二極管；所述基板的上表面上、或所述保護層的下表面上設有數(shù)個凹槽，所述數(shù)個微發(fā)光二極管容置于所述數(shù)個凹槽中；能夠保護微發(fā)光二極管及其下方對其進行驅(qū)動的基板，并能夠改善微發(fā)光二極管陣列基板的發(fā)光效果。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第一實施例的示意圖；

圖2為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第二實施例的示意圖；

圖3為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第三實施例的示意圖；

圖4為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第四實施例的示意圖；

圖5為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第四實施例中數(shù)個凹槽在保護層上的排布示意圖；

圖6為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第五實施例的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第一實施例的示意圖，在本實施例中，所述微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構包括基板1、設于所述基板1上的微發(fā)光二極管陣列3、設于所述基板1上方并覆蓋所述微發(fā)光二極管陣列3的保護層2；

所述微發(fā)光二極管陣列3包括數(shù)個陣列排布的微發(fā)光二極管31；

所述基板1的上表面上設有數(shù)個凹槽51，所述數(shù)個微發(fā)光二極管31容置于所述數(shù)個凹槽51中。

具體地，本實施例中，所述保護層2可以為玻璃(glass)板、塑料板、或其他材質(zhì)的板材，所述保護層2起到封裝蓋板的作用；例如，所述保護層2為聚對苯二甲酸乙二酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、或聚甲基丙烯酸酯(pma)等板材。

優(yōu)選地，所述保護層2的厚度大于1mm。

具體地，每一凹槽51的槽壁上均設有反射層52，通過對微發(fā)光二極管31發(fā)出的光進行反射，從而可以有效提高微發(fā)光二極管陣列基板的光出射效率。

具體地，所述數(shù)個凹槽51與所述數(shù)個微發(fā)光二極管31一一對應設置。

優(yōu)選地，每一凹槽51的深度大于其內(nèi)容置的微發(fā)光二極管31的高度，即每一微發(fā)光二極管31均完全陷入在對應的凹槽51內(nèi)，從而有利于所述保護層2設置在所述基板1上，以對微發(fā)光二極管陣列基板進行封裝。

具體地，所述基板1為tft陣列基板，以對其上的微發(fā)光二極管陣列3進行驅(qū)動，從而所述微發(fā)光二極管陣列基板進行封裝后，可進一步用于制作微發(fā)光二極管顯示器。

請參閱圖2，圖2為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第二實施例的示意圖，本實施例與上述第一實施例相比，所述的微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，還包括設于所述基板1與所述保護層2之間的數(shù)個支撐柱41，所述數(shù)個支撐柱41設于所述基板1上，以對所述保護層2進行支撐。其它技術特征均與上述第一實施例相同，在此不再贅述

請參閱圖3，圖3為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第三實施例的示意圖，本實施例與上述第一實施例相比，所述保護層2為通過涂布工藝形成在所述基板1上的有機膜層，例如，所述保護層2為可溶性聚四氟乙烯(pfa)材料的膜層，其通過涂布及固化工藝形成在所述基板1上。

具體地，在本實施例中，所述保護層2的厚度只需滿足覆蓋住所述數(shù)個微發(fā)光二極管31即可，對其厚度沒有明確限制。其它技術特征均與上述第一實施例相同，在此不再贅述

請參閱圖4，圖4為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第四實施例的示意圖，本實施例與上述第一實施例相比，所述數(shù)個凹槽51設于所述保護層2的下表面上。

具體地，本實施例中，所述凹槽51的側壁為弧面狀，所述凹槽51的槽口可以為圓形、或橢圓形等形狀，由于玻璃、或塑料材料的保護層2與凹槽51內(nèi)的介質(zhì)(例如空氣)存在折射率的差異，從而所述凹槽52可以對其覆蓋的微發(fā)光二極管31發(fā)出的光產(chǎn)生聚光的效果，進而可適當提高微發(fā)光二極管陣列基板的光出射效率。

具體地，所述數(shù)個凹槽51通過激光打孔、或壓印的方式形成于所述保護層2的下表面上。

具體地，如圖5所示，所述數(shù)個凹槽51與所述數(shù)個微發(fā)光二極管31對應的按照陣列排布的方式設于所述保護層2的下表面上，且所述凹槽51按照其孔徑大于所述微發(fā)光二極管31的長度進行設置，每一凹槽51可對應覆蓋一個或多個微發(fā)光二極管31；具體在本實施例中，每一凹槽51對應覆蓋一個微發(fā)光二極管31。其它技術特征均與上述第四實施例相同，在此不再贅述。

請參閱圖6，圖6為本發(fā)明微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構第五實施例的示意圖，本實施例與上述第四實施例相比，具體地，每一凹槽51對應覆蓋兩個微發(fā)光二極管31，相應地，所述凹槽51按照其孔徑大于兩個微發(fā)光二極管31的長度進行設置。其它技術特征均與上述第四實施例相同，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管陣列基板的封裝結構，包括基板、設于所述基板上的微發(fā)光二極管陣列、設于所述基板上方并覆蓋所述微發(fā)光二極管陣列的保護層；所述微發(fā)光二極管陣列包括數(shù)個陣列排布的微發(fā)光二極管；所述基板的上表面上、或所述保護層的下表面上設有數(shù)個凹槽，所述數(shù)個微發(fā)光二極管容置于所述數(shù)個凹槽中；能夠保護微發(fā)光二極管及其下方對其進行驅(qū)動的基板，并能夠改善微發(fā)光二極管陣列基板的發(fā)光效果。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。