本發明涉及顯示技術領域，更具體地，涉及一種陣列基板、陣列基板的制造方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術：

隨著顯示技術的發展，帶有觸控功能的顯示面板越來越受到消費者的青睞。

圖1是現有技術提供的一種顯示面板的剖面結構示意圖。圖1提供的顯示面板包括襯底基板00，以及設置在襯底基板00上的薄膜晶體管010，薄膜晶體管010包括柵極011、半導體012、源極013和漏極014。圖1提供的顯示面板還包括公共電極020和像素電極030，像素電極030與漏極014電連接。其中，公共電極020復用為觸控電極，在顯示面板的顯示階段，公共電極020接收公共電壓信號，在顯示面板的觸控階段，公共電極020用于接收觸控信號。顯示面板還包括觸控信號線040，觸控信號線040與公共電極020電連接，在顯示面板的觸控階段，為公共電極020傳輸觸控信號。為了實現觸控信號線040與公共電極020電連接，設置了連接部031，連接部031與像素電極030同層設置，連接部031通過過孔分別與觸控信號線040和公共電極020電連接，從而實現觸控信號線040通過連接部031與公共電極020電連接。

現有技術提供的帶有觸控功能的顯示面板中，在制造過程中，需要額外設置一道掩膜版(mask)以制備觸控信號線040，降低了顯示面板的生產效率。

技術實現要素：

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板、陣列基板的制造方法、顯示面板和顯示裝置。

本發明提供了一種陣列基板，包括：襯底基板，以及設置在襯底基板上的多個薄膜晶體管；薄膜晶體管包括柵極、半導體、同層設置的源極和漏極；半導體、源極和漏極均設置在柵極靠近襯底基板的一側；像素電極層，像素電極層包括多個像素電極，像素電極與漏極電連接；多個觸控電極和多條觸控信號線，觸控電極與至少一條觸控信號線電連接并且與其余觸控信號線絕緣；觸控信號線與柵極的材料相同，并且觸控信號線與柵極同層設置。

在一些可選的實施例中，源極和漏極設置在像素電極層背離襯底基板的一側表面，半導體設置在源極和漏極背離襯底基板的一側表面；像素電極層包括第一電極部和像素電極，第一電極部與源極電連接；源極向像素電極層的正投影位于第一電極部所在區域之內，漏極向像素電極層的正投影位于像素電極所在區域之內。

在一些可選的實施例中，陣列基板還包括公共電極層，公共電極層包括多個公共電極塊，公共電極塊復用為觸控電極。

在一些可選的實施例中，多個公共電極塊沿著行方向和列方向呈陣列式排布。

在一些可選的實施例中，半導體的材料包括低溫多晶硅或者金屬氧化物半導體。

在一些可選的實施例中，陣列基板還包括沿行方向延伸的柵極線，柵極線與柵極同層設置；觸控信號線沿列方向延伸；觸控信號線包括多個子觸控信號線部，子觸控信號線部設置在相鄰的兩條柵極線之間且與柵極線電絕緣；陣列基板還包括多個連接部，連接部與柵極異層設置，連接部用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部。

在一些可選的實施例中，連接部與觸控電極、源極和漏極、像素電極層中的任意一者同層設置。

本發明還提供了一種顯示面板，包括本發明提供的陣列基板。

本發明還提供了一種顯示裝置，包括本發明提供的顯示面板。

本發明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成半導體、源極和漏極、像素電極；形成柵極金屬層，圖案化柵極金屬層，形成柵極和觸控信號線；半導體、源極和漏極均設置在柵極靠近襯底基板的一側；形成觸控電極層，圖案化觸控電極層，形成多個觸控電極；觸控電極與至少一條觸控信號線電連接并且與其余觸控信號線絕緣。

在一些可選的實施例中，在襯底基板上形成半導體、源極和漏極、像素電極包括：在襯底基板上形成像素電極材料層；形成源漏金屬層；源漏金屬層形成在像素電極材料層背離襯底基板的一側表面；使用半色調掩膜版圖案化像素電極材料層和源漏金屬層，形成像素電極層、源極和漏極；像素電極層包括第一電極部和像素電極；第一電極部與源極電連接，像素電極與漏極電連接；源極向像素電極層的正投影位于第一電極部所在區域之內，漏極向像素電極層的正投影位于像素電極所在區域之內；形成半導體材料層，圖案化半導體材料層，形成半導體，半導體設置在源極和漏極背離襯底基板的一側表面。

在一些可選的實施例中，觸控電極復用為公共電極塊。

在一些可選的實施例中，圖案化柵極金屬層還包括：圖案化柵極金屬層，形成多條沿行方向延伸的柵極線；觸控信號線沿列方向延伸；觸控信號線包括多個子觸控信號線部，子觸控信號線部設置在相鄰的兩條柵極線之間且與柵極線電絕緣；圖案化觸控電極層還包括：圖案化觸控電極層，形成多個連接部，連接部用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部。

與現有技術相比，本發明提供的陣列基板、陣列基板的制造方法、顯示面板和顯示裝置，至少實現了如下的有益效果：

本發明提供的陣列基板、陣列基板的制造方法、顯示面板和顯示裝置中，包括設置在襯底基板上的薄膜晶體管，薄膜晶體管中的半導體、源極和漏極均設置在柵極靠近襯底基板的一側；換言之，相對于半導體、源極和漏極而言，柵極較為遠離襯底基板。本發明提供的陣列基板還包括多個觸控電極和多條觸控信號線，其中，觸控信號線與柵極使用同種材料同層設置，可以在制造陣列基板的過程中，使用一道掩膜版同時制作觸控信號線與柵極。除此之外，由于柵極較為遠離襯底基板，柵極所在的膜層可以設置在較為靠近觸控電極的位置，從而使觸控信號線與觸控電極電連接的結構簡單。相對于現有技術，節省了額外制作觸控信號線的工藝制程，從而提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本，并且有利于陣列基板的輕薄化。

當然，實施本發明的任一產品必不特定需要同時達到以上所述的所有技術效果。

通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發明的原理。

圖1是現有技術提供的一種顯示面板的剖面結構示意圖；

圖2是本發明實施例提供的一種陣列基板的剖面結構示意圖；

圖3是本發明實施例提供的陣列基板中的一種觸控電極的結構示意圖；

圖4是本發明實施例提供的另一種陣列基板的剖面結構示意圖；

圖5是本發明實施例提供的又一種陣列基板的剖面結構示意圖；

圖6是本發明實施例提供的又一種陣列基板的平面結構示意圖；

圖7是圖6提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖；

圖8是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖；

圖9是圖8提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖；

圖10是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖；

圖11是圖10提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖；

圖12是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖；

圖13是圖12提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖；

圖14是本發明實施例提供的一種顯示面板的剖面結構示意圖；

圖15是本發明實施例提供的一種顯示裝置的平面結構示意圖；

圖16是本發明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖16a～圖16f是圖16提供的制造方法對應的陣列基板的剖面結構示意圖；

圖17是本發明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖17a～圖17e是圖17提供的制造方法對應的陣列基板的剖面結構示意圖。

具體實施方式

現在將參照附圖來詳細描述本發明的各種示例性實施例。應注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本發明的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發明及其應用或使用的任何限制。

對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

請參考圖2，圖2是本發明實施例提供的一種陣列基板的剖面結構示意圖。本發明提供了一種陣列基板，包括：襯底基板10，以及設置在襯底基板10上的多個薄膜晶體管20；薄膜晶體管包括柵極21、半導體22、同層設置的源極23和漏極24；半導體22、源極23和漏極24均設置在柵極21靠近襯底基板10的一側；本實施例提供的陣列基板還包括像素電極層30，像素電極層30包括多個像素電極31，像素電極31與漏極24電連接；多個觸控電極40和多條觸控信號線50，觸控電極40與至少一條觸控信號線50電連接并且與其余觸控信號線50絕緣；觸控信號線50與柵極21的材料相同，并且觸控信號線50與柵極21同層設置。需要說明的是，為了清楚的示意本實施例的技術方案，圖2僅示意了一個薄膜晶體管20，可以理解的是，本實施例提供的陣列基板包括多個薄膜晶體管20。同理，圖2僅示意了一個像素電極31，可以理解的是，像素電極層30包括多個像素電極31，像素電極31與薄膜晶體管20的漏極24電連接。

需要說明的是，圖2僅示意了一個觸控電極40和對應的一條觸控信號線50，本實施例提供的陣列基板中，包括多個觸控電極40和多條觸控信號線50，觸控電極40和觸控信號線50的一種設置方式請參考圖3，圖3是本發明實施例提供的陣列基板中的一種觸控電極的結構示意圖。圖3中，觸控電極40有多個，一個觸控電極40與一條觸控信號線50電連接；可選的，一個觸控電極40可以與兩條以上觸控信號線50電連接，當觸控電極40對應電連接的觸控信號線50中，如果存在某一條觸控信號線50發生斷路的情況，其余觸控信號線50可以繼續為觸控電極40傳輸電信號，保證觸控電極40的正常工作。需要說明的是，為了清楚的示意觸控電極40和觸控信號線50的設置方式，圖3中僅示意了襯底基板10、觸控電極40和觸控信號線50。圖3僅示意了觸控電極40和觸控信號線50的一種設置方式，觸控電極40和觸控信號線50的設置方式有多種，本實施例對于觸控電極40的形狀、大小、數量、排布方式均不作具體限制。

本實施例提供的陣列基板中，襯底基板10可以為硬質的，例如使用玻璃制作而成，也可以為柔性的，例如使用塑料制作而成，本實施例對此不作具體限制。薄膜晶體管20包括柵極21、半導體22、同層設置的源極23和漏極24，其中，可選的，柵極21、源極23和漏極24使用金屬材料制作，半導體22使用半導體材料，例如單晶硅、多晶硅或者金屬氧化物半導體。本實施例對柵極21、半導體22、源極23和漏極24的材料均不作具體限制。本實施例提供的薄膜晶體管20為頂柵結構，半導體22、源極23和漏極24均設置在柵極21靠近襯底基板10的一側，換言之，相對于半導體22、源極23和漏極24而言，柵極21較為遠離襯底基板10，柵極21所在的膜層可以設置在較為靠近觸控電極40的位置。本實施例中，設置觸控信號線50與柵極21的材料相同，并且觸控信號線50與柵極21同層設置，即為觸控信號線50所在的膜層在較為靠近觸控電極40的位置，觸控信號線50與觸控電極40之間的膜層結構較少，有利于觸控信號線50與觸控電極40電連接。例如，可選的，觸控信號線50與觸控電極40之間包括至少一層絕緣層11，至少一層絕緣層11中設置有過孔111，觸控電極40通過過孔111與觸控信號線50電連接。由于觸控信號線50所在的膜層在較為靠近觸控電極40的位置，過孔111的深度較小，在制作陣列基板的過程中，制作深度較小的過孔111的工藝較為簡單；如果過孔111的深度較大，不僅制作工藝復雜，還可能出現觸控電極40在過孔111中斷裂的情況，造成觸控電極40與觸控信號線50之間斷路，影響陣列基板的良率。

本實施例提供的陣列基板，包括設置在襯底基板上的薄膜晶體管，薄膜晶體管中的半導體、源極和漏極均設置在柵極靠近襯底基板的一側；換言之，相對于半導體、源極和漏極而言，柵極較為遠離襯底基板。本發明實施例提供的陣列基板還包括多個觸控電極和多條觸控信號線，其中，觸控信號線與柵極使用同種材料同層設置，可以在制造陣列基板的過程中，使用一道掩膜版同時制作觸控信號線與柵極。除此之外，由于柵極較為遠離襯底基板，柵極所在的膜層可以設置在較為靠近觸控電極的位置，從而使觸控信號線與觸控電極電連接的結構簡單。相對于現有技術，節省了額外制作觸控信號線的工藝制程，從而提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本，并且有利于陣列基板的輕薄化。

需要說明的是，本實施例提供的陣列基板中，對源極23和漏極24、半導體22和像素電極31之間的相對位置關系不作具體限制。下面，本發明在此示例性的提供了三個實施例，以說明源極23和漏極24、半導體22和像素電極31之間的相對位置關系。

在一些可選的實施例中，請繼續參考圖2，源極23和漏極24設置在像素電極層30背離襯底基板10的一側表面，半導體22設置在源極23和漏極24背離襯底基板10的一側表面；像素電極層30包括第一電極部32和像素電極31，第一電極部32與源極23電連接；源極23向像素電極層30的正投影位于第一電極部32所在區域之內，漏極24向像素電極層30的正投影小于像素電極31所在區域之內。本實施例提供的陣列基板中，襯底基板10、像素電極層30、源極23和漏極24、半導體22依次堆疊，明顯區別于現有技術提供的陣列基板。并且，像素電極層30包括第一電極部32和像素電極31，源極23設置在第一電極部32表面并與第一電極部32直接接觸，二者電連接；漏極24設置在像素電極31表面，并且像素電極31與漏極24直接接觸，二者電連接。源極23向像素電極層30的正投影位于第一電極部32所在區域之內，漏極24向像素電極層30的正投影位于像素電極31所在區域之內，因此，源極23的面積小于等于第一電極部32的面積，并且源極23不超出第一電極部32所在的區域；漏極24的面積小于像素電極31的面積，并且漏極24位于像素電極31所在的區域之內。在制作陣列基板的過程中，可以在形成源極和漏極的材料層和像素電極的材料層后，使用一道半色調掩膜版(halftonemask)刻蝕源極和漏極的材料層和像素電極的材料層，同時形成第一電極部32、像素電極31、源極23和漏極24。其中，半色調掩膜版可以控制通過的光的強度，從而控制對陣列基板中的膜層的刻蝕深度。通過使用半色調掩膜版，可以將源極和漏極的材料層通過刻蝕同時形成漏極24和像素電極31，漏極24的面積小于像素電極31的面積。漏極24的面積不宜過大，以免影響陣列基板的透光率，影響像素電極31的正常工作。本實施提供了一種全新的陣列基板的膜層結構的設置方式，明顯區別于現有技術提供的陣列基板。除此之外，本實施例提供的陣列基板可以在制造過程中，可以使用一道半色調掩膜版，同時形成源極23、漏極24和像素電極31，進一步節省了工藝制程，提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本。

在一些可選的實施例中，請參考圖4，圖4是本發明實施例提供的另一種陣列基板的剖面結構示意圖。圖4沿用了圖2的附圖標記，相同之處不再贅述。本實施例提供的陣列基板包括：襯底基板10，以及設置在襯底基板10上的多個薄膜晶體管20；薄膜晶體管包括柵極21、半導體22、同層設置的源極23和漏極24；半導體22、源極23和漏極24均設置在柵極21靠近襯底基板10的一側；本實施例提供的陣列基板還包括像素電極層30，像素電極層30包括多個像素電極31，像素電極31與漏極24電連接；多個觸控電極40和多條觸控信號線50，觸控電極40與至少一條觸控信號線50電連接并且與其余觸控信號線50絕緣；觸控信號線50與柵極21的材料相同，并且觸控信號線50與柵極21同層設置。可選的，觸控信號線50與觸控電極40之間包括至少一層絕緣層11，至少一層絕緣層11中設置有過孔111，觸控電極40通過過孔111與觸控信號線50電連接。本實施例中，半導體22設置在源極23和漏極24背離襯底基板10的一側表面，像素電極31設置在漏極24背離襯底基板10的一側。在制造陣列基板的工藝制程中，刻蝕源極和漏極的材料層同時形成源極23和漏極24；然后形成半導體的材料層，刻蝕半導體的材料層形成半導體22；隨后形成像素電極的材料層，刻蝕像素電極的材料層形成像素電極層30，像素電極層30包括多個像素電極31。

在一些可選的實施例中，請參考圖5，圖5為是本發明實施例提供的又一種陣列基板的剖面結構示意圖。圖5沿用了圖2的附圖標記，相同之處不再贅述。本實施例提供的陣列基板包括：襯底基板10，以及設置在襯底基板10上的多個薄膜晶體管20；薄膜晶體管包括柵極21、半導體22、同層設置的源極23和漏極24；半導體22、源極23和漏極24均設置在柵極21靠近襯底基板10的一側；本實施例提供的陣列基板還包括像素電極層30，像素電極層30包括多個像素電極31，像素電極31與漏極24電連接；多個觸控電極40和多條觸控信號線50，觸控電極40與至少一條觸控信號線50電連接并且與其余觸控信號線50絕緣；觸控信號線50與柵極21的材料相同，并且觸控信號線50與柵極21同層設置。可選的，觸控信號線50與觸控電極40之間包括至少一層絕緣層11，至少一層絕緣層11中設置有過孔111，觸控電極40通過過孔111與觸控信號線50電連接。本實施例中，源極23和漏極24設置在半導體22背離襯底基板10的一側表面，像素電極31設置在漏極24背離襯底基板10的一側。在制造陣列基板的工藝制程中，形成半導體的材料層，刻蝕半導體的材料層形成半導體22；然后形成源極和漏極的材料層，刻蝕源極和漏極的材料層同時形成源極23和漏極24；隨后形成像素電極的材料層，刻蝕像素電極的材料層形成像素電極層30，像素電極層30包括多個像素電極31。

圖2、圖4和圖5示例性的說明了源極23和漏極24、半導體22和像素電極31之間的相對位置關系，可以理解的是，源極23和漏極24、半導體22和像素電極31之間的相對位置關系還有多種，本發明在此不再一一列舉。

在一些可選的實施例中，請參考圖6和圖7，圖6是本發明實施例提供的又一種陣列基板的平面結構示意圖，圖7是圖6提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖。圖6沿用了圖3的附圖標記，圖7沿用了圖2的附圖標記，相同之處不再贅述。圖6和圖7提供的實施例中，陣列基板還包括公共電極層，公共電極層包括多個公共電極塊61，公共電極塊61復用為觸控電極。本實施例中，公共電極61設置在像素電極31背離襯底基板10的一側，公共電極為狹縫電極。本實施例提供的陣列基板中，將公共電極塊61復用為觸控電極，在陣列基板的顯示階段，公共電極塊接收公共電壓信號、用于實現顯示功能，在陣列基板的觸控階段，公共電極塊接收觸控信號，用于實現觸控功能。本實施例提供的陣列基板，進一步節省了工藝制程，提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本，并且有利于實現陣列基板的輕薄化。圖6和圖7實施例提供的陣列基板，制造工藝流程較簡單，只需要使用五道掩膜版即可完成。

可選的，請繼續參考圖6和圖7，多個公共電極塊61沿著行方向和列方向呈陣列式排布。本實施例提供的陣列基板中，公共電極塊61復用為觸控電極，并且公共電極塊61的排布方向為沿著行方向和列方向呈陣列式排布，可選的，公共電極塊61的形狀為矩形。本實施例提供的陣列基板中，觸控電極的工作模式為自電容式，具體的，一個觸控電極與一條觸控信號線50電連接，觸控信號線50向觸控電極輸入觸控發射信號，通常觸控發射信號為脈沖信號，當觸控電極檢測到觸控操作時，觸控電極與大地形成的耦合電容發生變化、該電容的變化引起觸控電極所帶的電荷量的變化，電荷量的變化引起電流的變化，觸控信號線50輸出該電流的變化，經過計算分析該電流的變化可以確定觸控操作的信息，該種觸控電極的工作模式稱為自電容式。本實施例提供的陣列基板，觸控電極沿著行方向和列方向呈陣列式排布，結構簡單，易于制作。

可選的，請繼續參考圖6和圖7，觸控信號線50可以沿著列方向延伸，也可以沿著行方向延伸，圖6實施例中，以觸控信號線50沿著行方向延伸為例進行說明，本實施例對觸控信號線50的具體延伸方向不作限制。

在一些可選的實施例中，本發明上述任一實施例提供的陣列基板中，半導體的材料包括低溫多晶硅或者金屬氧化物半導體。其中，使用低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，簡稱ltps)制作半導體，可以將半導體設置的更薄更小，并且電子遷移速率快、穩定性更高。或者，使用金屬氧化物半導體制作半導體，例如銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦錫氧化物或者銦錫鋅氧化物。銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，簡稱igzo)是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高薄膜晶體管對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，銦鎵鋅氧化物在薄膜狀時是透明的。銦鋅氧化物(indiumzincoxide，簡稱izo)，也可稱為摻銦氧化鋅，導電性較好，電子遷移率較高，銦鋅氧化物在薄膜狀時是透明的。銦錫氧化物(indiumtinoxide，簡稱ito)，也可稱為摻錫氧化銦，是一種銦氧化物(in2o3)和錫氧化物(sno2)的混合物，導電性較好，氧化銦錫在薄膜狀時是透明的。銦錫鋅氧化物(indiumtinzinc，簡稱itzo)具有光電性能優異、電學性能隨厚度變化小等優點，銦錫鋅氧化物在薄膜狀時是透明的。本實施例中，半導體的材料可包括銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦錫氧化物、銦錫鋅氧化物中的任意一者，或者半導體的材料可包括銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦錫氧化物、銦錫鋅氧化物中的任意二者或者更多，本實施例對此不作具體限制。

在一些可選的實施例中，請參考圖8和圖9，圖8是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖，圖9是圖8提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖。圖9沿用了圖2的附圖標記。本實施例中，陣列基板還包括沿行方向延伸的柵極線22，柵極線22與柵極21同層設置；觸控信號線沿列方向延伸；觸控信號線包括多個子觸控信號線部51，子觸控信號線部51設置在相鄰的兩條柵極線22之間且與柵極線22電絕緣；陣列基板還包括多個連接部52，連接部52與柵極21異層設置，連接部52用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51。圖8和圖9所示的實施例中，以連接部52與觸控電極同層設置為例進行說明。具體的，觸控電極包括觸控電極40a和觸控電極40b，觸控電極40a與觸控信號線50a通過過孔111電連接、與其余的觸控信號線絕緣，觸控電極40b與觸控信號線50b通過過孔111電連接、與其余的觸控信號線絕緣。為了避免觸控電極40b與觸控信號線50a電連接，觸控電極40b在連接部52對應的位置處需要與連接部52絕緣。例如，可以在觸控電極40b中設置鏤空區域，將連接部52設置在鏤空區域中，以實現觸控電極40b在連接部52對應的位置處與連接部52絕緣。連接部52用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51，例如，連接部52可以通過至少一層絕緣層11中的過孔521與子觸控信號線部51電連接。本實施例提供的陣列基板中，連接部52與觸控電極同層設置，用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51，多個子觸控信號線部51與對應的多個連接部52形成通路，用于傳輸電信號。需要說明的是，為了清楚的示意本實施例的技術方案，圖8中的觸控電極沒有設置填充圖案。

在一些可選的實施例中，連接部可以與源極和漏極同層設置。請參考圖10和圖11，圖10是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖，圖11是圖10提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖。本實施例與圖8和圖9提供的實施例的區別之處在于，連接部52與源極和漏極同層設置。具體的，連接部52用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51，子觸控信號線部51可以通過過孔511與連接部52電連接。

在一些可選的實施例中，連接部可以與像素電極層同層設置。請參考圖12和圖13，圖12是本發明實施例提供的又一種陣列基板的局部平面結構示意圖，圖13是圖12提供的陣列基板的一種剖面結構示意圖。本實施例與圖8和圖9提供的實施例的區別之處在于，連接部52可以與像素電極層同層設置。具體的，連接部52用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51，子觸控信號線部51可以通過過孔511與連接部52電連接。

圖8至圖13實施例提供的陣列基板中，由于觸控信號線與柵極線的延伸方向不同，為了防止二者交叉造成電連接，將觸控信號線分段設置，一條觸控信號線包括多個子觸控信號線部，并且陣列基板還設置了連接部，連接部用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部，且連接部與柵極線異層設置。圖8至圖13實施例提供的陣列基板，復用了陣列基板中原有的膜層結構設置連接部，可以進一步簡化陣列基板的制造工藝，提高陣列基板的生產效率。

本發明還提供一種顯示面板，包括本發明上述任一實施例提供的陣列基板。請參考圖14，圖14是本發明實施例提供的一種顯示面板的剖面結構示意圖。圖14所示的顯示面板包括本發明上述任一實施例提供的陣列基板100，還包括對置基板200、以及夾持設置在陣列基板100和對置基板200之間的液晶層300。本發明上述任一實施例提供的陣列基板100適用于液晶顯示面板，本實施例提供的顯示面板為液晶顯示面板。本實施例提供的顯示面板，具有本發明上述任一實施例提供的陣列基板的有益效果，具體可以參考上述各實施例對于陣列基板的具體說明，本實施例在此不再贅述。

本領域內技術人員也應該理解，本申請實施例提供的顯示面板的具體類型可以是液晶顯示面板，還可以包括但不限于oled顯示面板、micro-led(microlightemittingdiodes，微縮型發光二極管)顯示面板或qled(quantumdotlightemittingdiodes，量子點發光二極管)顯示面板，本申請對此不做限定。

本發明還提供一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的顯示面板。請參考圖15，圖15是本發明實施例提供的一種顯示裝置的平面結構示意圖。圖15所示的顯示裝置包括本發明實施例提供的顯示面板400。圖15實施例僅以手機為例，對顯示裝置進行說明，可以理解的是，本發明實施例提供的顯示裝置，可以是電腦、電視、車載顯示裝置等其他具有顯示功能的顯示裝置，本發明對此不作具體限制。本發明實施例提供的顯示裝置，具有本發明實施例提供的顯示面板的有益效果，具體可以參考上述各實施例對于顯示面板的具體說明，本實施例在此不再贅述。

本發明還提供了一種陣列基板的制造方法，請結合參考圖16、圖16a～圖16f。圖16是本發明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖，圖16a～圖16f是圖16提供的制造方法對應的陣列基板的剖面結構示意圖。本實施例提供的陣列基板的制造方法包括：

步驟s1：提供襯底基板；

具體的，請參考圖16a，提供襯底基板10。襯底基板10可以為硬質的，例如使用玻璃制作而成，也可以為柔性的，例如使用塑料制作而成，本實施例對此不作具體限制。

步驟s2：在襯底基板上形成半導體、源極和漏極、像素電極；

具體的，請參考圖16b，在襯底基板10上形成半導體22、源極23和漏極24、像素電極31。

步驟s3：形成柵極金屬層，圖案化柵極金屬層，形成柵極和觸控信號線；半導體、源極和漏極均設置在柵極靠近襯底基板的一側；

具體的，請參考圖16c，形成柵極金屬層210；請參考圖16d，圖案化柵極金屬層，形成柵極21和觸控信號線50；半導體22、源極23和漏極24均設置在柵極21靠近襯底基板10的一側。其中，柵極21、半導體22、源極23和漏極24組成了薄膜晶體管的基本結構。

步驟s4：形成觸控電極層，圖案化觸控電極層，形成多個觸控電極；觸控電極與至少一條觸控信號線電連接并且與其余觸控信號線絕緣。

具體的，請參考圖16e，形成觸控電極層400；請參考圖16f，圖案化觸控電極層400，形成多個觸控電極40；觸控電極40與至少一條觸控信號線50電連接并且與其余觸控信號線50絕緣。需要說明的是，為了清楚的示意本實施例的技術方案，圖16e和圖16f中僅示意了一個觸控電極40和一條觸控信號線50。可選的，本實施例提供的陣列基板的制造方法還包括，在形成柵極21和觸控信號線50之后，在柵極21和觸控信號線50上形成至少一層絕緣層11，圖案化至少一層絕緣層11形成過孔111，觸控電極40通過過孔111與觸控信號線50電連接。

本實施例提供的陣列基板的制造方法中，在襯底基板上制作了薄膜晶體管，在制造半導體、源極和漏極的工藝制程后，再制造柵極，因而柵極較為遠離襯底基板。并且，本實施例提供的陣列基板的制造方法中還包括制造多個觸控電極和多條觸控信號線，形成柵極金屬層后，使用一道掩膜版同時制作觸控信號線與柵極，可以節省工藝制程。除此之外，由于柵極較為遠離襯底基板，柵極所在的膜層可以設置在較為靠近觸控電極的位置，從而使觸控信號線與觸控電極電連接的結構簡單。相對于現有技術，節省了額外制作觸控信號線的工藝制程，從而提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本，并且有利于陣列基板的輕薄化。

在一些可選的實施例中，請參考圖17、圖17a～圖17e，圖17是本發明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，圖17a～圖17e是圖17提供的制造方法對應的陣列基板的剖面結構示意圖。圖16提供的陣列基板的制造方法中，在襯底基板上形成半導體、源極和漏極、像素電極的步驟s2包括：

步驟s21：在襯底基板上形成像素電極材料層；

具體的，請參考圖17a，在襯底基板10上形成像素電極材料層300。

步驟s22：形成源漏金屬層；源漏金屬層形成在像素電極材料層背離襯底基板的一側表面；

具體的，請參考圖17b，形成源漏金屬層230；源漏金屬層230形成在像素電極材料層300背離襯底基板10的一側表面。

步驟s23：使用半色調掩膜版圖案化像素電極材料層和源漏金屬層，形成像素電極層、源極和漏極；像素電極層包括第一電極部和像素電極；第一電極部與源極電連接，像素電極與漏極電連接；源極向像素電極層的正投影位于第一電極部所在區域之內，漏極向像素電極層的正投影小于像素電極所在區域；

具體的，請參考圖17c，使用半色調掩膜版圖案化像素電極層300和源漏金屬層230，形成像素電極層30、源極23和漏極24；像素電極層30包括第一電極部32、像素電極31；第一電極部32與源極23電連接，像素電極31與漏極24電連接；源極23向像素電極層30的正投影位于第一電極部32所在區域之內，漏極24向像素電極層30的正投影小于像素電極31所在區域。其中，半色調掩膜版可以控制通過的光的強度，從而控制對陣列基板中的膜層的刻蝕深度。通過使用半色調掩膜版，可以將源極和漏極的材料層通過刻蝕同時形成漏極24和像素電極31，漏極24的面積小于像素電極31的面積。漏極24的面積不宜過大，以免影響陣列基板的透光率，影響像素電極31的正常工作。需要說明的是，在形成源極23、漏極24的同時形成了多條數據線，源極23或漏極24可以是數據線的一部分；在本實施例中，在數據線、源極23(或者漏極24)靠近襯底基板10的一側均有第一電極部32。

步驟s24：形成半導體材料層，圖案化半導體材料層，形成半導體，半導體設置在源極和漏極背離襯底基板的一側表面。

具體的，請參考圖17d，形成半導體材料層220；請繼續參考圖17e，圖案化半導體材料層220，形成半導體22，半導體22設置在源極23和漏極24背離襯底基板10的一側表面。本實施提供的制造方法，可以制造一種全新的陣列基板的膜層結構的設置方式，明顯區別于現有技術提供的陣列基板。除此之外，本實施例提供的陣列基板的制造方法，可以在制造過程中，可以使用一道半色調掩膜版，同時形成源極23、漏極24和像素電極31，進一步節省了工藝制程，提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本。

在一些可選的實施例中，圖16提供的陣列基板的制造方法中，觸控電極復用為公共電極塊。本實施例提供的陣列基板的制造方法中，無需增加額外的工藝制程以制造公共電極，將觸控電極復用為公共電極，在陣列基板的顯示階段，觸控電極接收公共電壓信號、用于實現顯示功能，在陣列基板的觸控階段，觸控電極接收觸控信號，用于實現觸控功能。本實施例提供的陣列基板，進一步節省了工藝制程，提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本，并且有利于實現陣列基板的輕薄化。

在一些可選的實施例中，請結合圖16，并參考圖8和圖9。圖16提供的陣列基板的制造方法中，圖案化柵極金屬層還包括：

圖案化柵極金屬層210，形成多條沿行方向延伸的柵極線22；觸控信號線50沿列方向延伸；觸控信號線50包括多個子觸控信號線部51，子觸控信號線部51設置在相鄰的兩條柵極線22之間且與柵極線22電絕緣；圖案化觸控電極層還包括：圖案化觸控電極層400，形成多個連接部52，連接部52用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51。本實施例提供的陣列基板的制造方法中，連接部52與觸控電極同層設置，用于電連接相鄰的兩個子觸控信號線部51，例如，連接部52可以通過至少一層絕緣層11中的過孔521與子觸控信號線部51電連接。多個子觸控信號線部51與對應的多個連接部52形成通路，用于傳輸電信號。本實施例提供的陣列基板的制造方法中，使圖案化觸控電極層400，同時形成觸控電極40和連接部52，無需設置額外的膜層制作連接部52，節省了陣列基板的制造工藝。本實施例提供的陣列基板的制造方法，最少只需使用五道掩膜版，即可制作完成陣列基板。相對于現有技術，提高了陣列基板的生產效率，降低了陣列基板的制作成本。

需要說明的是，在制造陣列基板的過程中，主要通過刻蝕工藝形成陣列基板中的結構，可以理解的是，陣列基板的制造方法中采用的圖案化工藝可以是濕法刻蝕或者干法刻蝕。當采用濕法刻蝕時，可以針對陣列基板中形成各層的材料等的不同，采用不同的刻蝕液。當采用干法刻蝕時，可以針對陣列基板中形成各層的材料的不同，采用不同的刻蝕氣體。本領域的技術人員可以理解，針對上述陣列基板種形成各層結構的材料等的不同，可以選擇不同的刻蝕液或刻蝕氣體，這里不再贅述。

雖然已經通過例子對本發明的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領域的技術人員應該理解，以上例子僅是為了進行說明，而不是為了限制本發明的范圍。本領域的技術人員應該理解，可在不脫離本發明的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本發明的范圍由所附權利要求來限定。