本發明的實施方式涉及一種半導體裝置。

背景技術：

1、作為功率半導體裝置，已知有igbt(insulated?gate?bipolar?transistor：絕緣柵雙極晶體管)以及iegt(injection?enhanced?gate?transistor：電子注入增強絕緣柵晶體管)。這些半導體裝置的芯片在對置的兩個面中的一方包括集電極電極焊盤，在另一方包括發射極電極焊盤。在集電極電極焊盤以及發射極電極焊盤分別安裝有電極。功率半導體裝置由于施加高電壓，所以要求能夠承受高電壓的施加。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：國際公開第2012/133098號小冊子

5、專利文獻2：日本特開平6-224235號公報

6、專利文獻3：日本專利第7203214號公報

技術實現思路

1、發明要解決的課題

2、提供一種具有較高耐壓的半導體裝置。

3、用于解決課題的手段

4、一個實施方式的半導體裝置包括半導體元件、第1導電體、第1電極、第2導電體、第2電極以及罩。上述半導體元件沿著第1面擴展，包括第1表面、與上述第1表面對置的第2表面、以及遍及到上述第1表面的端部和上述第2表面的端部的第3表面，并包括設置在包括上述第1表面的區域中的第1電極焊盤、以及設置在包括上述第2表面的區域中的第2電極焊盤。上述與上述第1電極焊盤相接。上述第1電極與上述第1導電體相接。上述第2導電體與上述第2電極焊盤相接。上述第2電極與上述第2導電體相接。上述罩是包括第1部分、第2部分以及第3部分的樹脂的罩。上述第1部分覆蓋上述第3表面。上述第2部分與上述第1部分連接，且與上述第1表面對置。上述第3部分與上述第1部分連接，與上述第2表面對置，與上述第2部分一起夾持上述半導體元件。

技術特征：

1.一種半導體裝置，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

9.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

10.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

11.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

12.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

13.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

技術總結
本發明涉及一種半導體裝置。一個實施方式的半導體裝置包括半導體元件、第1導電體、第1電極、第2導電體、第2電極以及罩。半導體元件沿著第1面擴展，包括第1表面、與第1表面對置的第2表面、以及遍及到第1表面的端部和第2表面的端部的第3表面，并包括設置在包括第1表面的區域中的第1電極焊盤、以及設置在包括第2表面的區域中的第2電極焊盤。第1導電體與第1電極焊盤相接。第1電極與第1導電體相接。第2導電體與第2電極焊盤相接。第2電極與第2導電體相接。罩是包括第1部分、第2部分及第3部分的樹脂罩。第1部分覆蓋第3表面。第2部分與第1部分連接，且與第1表面對置。第3部分與第1部分連接，與第2表面對置，且與第2部分一起夾持半導體元件。

技術研發人員：富田悠志
受保護的技術使用者：株式會社東芝
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28