實施方式涉及一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術：

1、在使用碳化硅(sic)的半導體裝置中，由于用于對導入了賦予導電型的雜質的區域進行活性化的高溫熱處理的原因，可能引起碳脫離而產生空位的問題。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2015-176992號公報

5、非專利文獻

6、非專利文獻1：koutarou?kawahara；jun?suda；tsunenobu?kimoto、“analyticalmodel?for?reduction?of?deep?levels?in?sic?by?thermal?oxidation”、journal?ofapplied?physics111，053710(2012)；doi：10.1063/1.3692766

技術實現思路

1、發明所要解決的課題

2、實施方式提供一種能夠減少碳化硅層中的碳的空位的半導體裝置及其制造方法。

3、用于解決課題的手段

4、根據實施方式，半導體裝置具備：碳化硅層，具有元件區域和包圍所述元件區域的末端區域，且具有第一半導體部和第二半導體部，所述第一半導體部為第一導電型，且在所述元件區域中具有第一部分，所述第二半導體部在第一方向上設置在所述第一半導體部上，且在與所述第一方向正交的第二方向上與所述第一部分相鄰；柵極電極，與所述元件區域的所述第二半導體部對置；第一絕緣膜，設置在所述柵極電極與所述碳化硅層之間；以及第二絕緣膜，設置在所述第一半導體部的所述第一部分上，比所述第一絕緣膜厚。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

4.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其特征在于，

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

技術總結
半導體裝置具備：碳化硅層，具有元件區域和包圍所述元件區域的末端區域，且具有第一半導體部和第二半導體部，所述第一半導體部為第一導電型，且在所述元件區域中具有第一部分，所述第二半導體部在第一方向上設置在所述第一半導體部上，且在與所述第一方向正交的第二方向上與所述第一部分相鄰；柵極電極，與所述元件區域的所述第二半導體部對置；第一絕緣膜，設置在所述柵極電極與所述碳化硅層之間；以及第二絕緣膜，設置在所述第一半導體部的所述第一部分上，比所述第一絕緣膜厚。

技術研發人員：水上誠
受保護的技術使用者：株式會社東芝
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28