一種孔洞電極的發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種孔洞電極的發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de，LED)具有高亮度、低能耗、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光二極管作為新型高效的固體光源，在室內(nèi)照明、景觀照明、顯示屏、信號(hào)指示等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。
目前，發(fā)光二極管的N型電極和P型電極的結(jié)構(gòu)都為圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)(如圖1a和Ib所示)，這樣的結(jié)構(gòu)使電流分布均勻，從而起到電流擴(kuò)展作用。但是，電極finger線的制備需要蝕刻部分有源層，減少發(fā)光面積，導(dǎo)致發(fā)光二極管亮度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種孔洞電極的發(fā)光二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中finger線使亮度降低的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括:
襯底；
氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；
多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；
電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；
絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面；
電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括:位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；
其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對(duì)應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。
[0005]優(yōu)選的，所述電極孔洞為等大或不等大。
[0006]優(yōu)選的，所述電極孔洞呈對(duì)稱排列。
[0007]優(yōu)選的，所述電極孔洞可以為圓形、橢圓形、方形、三角形或菱形。
[0008]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電性連接為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金的線性連接。
[0009]優(yōu)選的，所述P型電極和N型電極的材料為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金，其厚度范圍為2_4um0
[0010]優(yōu)選的，所述線性連接為串聯(lián)連接。
[0011]優(yōu)選的，還包括:位于所述P型氮化鎵層和電流擴(kuò)展層之間的電流阻擋層。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明提供的一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括3個(gè)以上的電極孔洞，且所述電極孔洞對(duì)應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，使發(fā)光二極管的電流分布更均勻。此外，與傳統(tǒng)的由圓形電極連接finger線組成的N型電極相比，本發(fā)明通過形成3個(gè)以上電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極孔洞，化線為點(diǎn)，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的電極俯視圖；
圖2a為本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2b為本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖； 圖3為本發(fā)明另一種【具體實(shí)施方式】所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的N型電極和P型電極的結(jié)構(gòu)都為圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)，這樣的結(jié)構(gòu)會(huì)減少發(fā)光面積，降低發(fā)光二極管亮度。
[0016]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，這是因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)中在制作finger線的時(shí)候，需要刻蝕部分的有源層和P型氮化鎵層，不僅減小了有源層的面積和P型氮化鎵層的面積，同時(shí)降低了 P型氮化鎵層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，從而降低發(fā)光二極管的亮度。
[0017]基于上述研究的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括: 襯底；
氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；
多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；
電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；
絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面； 電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括:位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；
其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對(duì)應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明提供的一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括3個(gè)以上的電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，使發(fā)光二極管的電流分布更均勻。此外，與傳統(tǒng)的由圓形電極連接finger線組成的N型電極相比，本發(fā)明通過形成多個(gè)電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極孔洞，化線為點(diǎn)，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。
[0019]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0020]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0021]結(jié)合圖2a和圖2b來說明本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。圖2a為本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖。
[0022]在本發(fā)明的一種【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明所提供的具一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括:
襯底100;
氮化鎵基，所