專利名稱：過電壓保護(hù)電路及驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種保護(hù)電路，且特別是一種過電壓保護(hù)電路及使用該保護(hù)電路的驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
隨著科技快速發(fā)展,發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)已廣泛的運(yùn)用于照明、指示燈、屏幕顯示及背光等用途。而發(fā)光二極管通常需要驅(qū)動(dòng)電路來進(jìn)行對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)控制，例如導(dǎo)通與截止運(yùn)作、亮度調(diào)整及導(dǎo)通時(shí)間等。現(xiàn)有的一般驅(qū)動(dòng)電路會(huì)整合于芯片，作為驅(qū)動(dòng)芯片，并與發(fā)光二極管電路連接，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管電路的運(yùn)作。具體地說，驅(qū)動(dòng)芯片的電源接腳可連接電源供應(yīng)電路的輸出端，以接收電源，而驅(qū)動(dòng)接腳則連接發(fā)光二極管電路，以控制發(fā)光二極管電路的運(yùn)作。此外，供應(yīng)驅(qū)動(dòng)芯片的電源電平與其所驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極管數(shù)量通常是經(jīng)過預(yù)先計(jì)算設(shè)定的，藉以避免過大功率消耗于驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部，造成驅(qū)動(dòng)芯片過熱現(xiàn)象。然當(dāng)供應(yīng)驅(qū)動(dòng)芯片的電源電平突然調(diào)高時(shí)，會(huì)造成過多的功耗于驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部，使得驅(qū)動(dòng)芯片過熱，引發(fā)安全問題。目前設(shè)有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)芯片大多具有過高溫度保護(hù)(overtemperatureprotection, OTP)功能。例如，驅(qū)動(dòng)芯片會(huì)于內(nèi)部溫度超過預(yù)設(shè)溫度(例如IOO0C )時(shí)，啟動(dòng)保護(hù)功能，例如關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片以停止接收供應(yīng)電源。然而此類保護(hù)效能屬于被動(dòng)式保護(hù)方 式，須等溫度上升至一定值才會(huì)啟動(dòng)保護(hù)機(jī)能，無法有效避免驅(qū)動(dòng)芯片因過高電壓造成內(nèi)部過熱及過高功率消耗，從而影響驅(qū)動(dòng)芯片的運(yùn)作。此外，對(duì)于驅(qū)動(dòng)芯片并無過高溫度保護(hù)功能，則無法利用此功能進(jìn)行對(duì)應(yīng)保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種過電壓保護(hù)電路，此過電壓保護(hù)電路利用可透過電壓檢測方式，主動(dòng)地于供應(yīng)電源電平高于一預(yù)設(shè)值時(shí)，控制導(dǎo)通開關(guān)組件，關(guān)閉芯片所接收到的電壓，藉此以保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片，避免芯片內(nèi)部過熱，同時(shí)亦可降低保護(hù)電路功率的消耗。本發(fā)明實(shí)施例提供一種過電壓保護(hù)電路，適用于配置在芯片的電源接腳與電源端之間。此過電壓保護(hù)電路包括電壓檢測單元、限流組件及開關(guān)組件。電壓檢測單元耦接于電源端與接地端之間，并用以根據(jù)電源端的電壓電平輸出設(shè)定電壓。限流組件耦接于電源端與芯片的電源接腳之間。開關(guān)組件耦接于芯片的電源接腳與接地端之間，其中開關(guān)組件另耦接電壓檢測單元以受控于一設(shè)定電壓。當(dāng)電源端的電壓電平高于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，開關(guān)組件導(dǎo)通以關(guān)閉芯片所接收到的電壓。在本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中，上述開關(guān)組件可以是NMOS晶體管，且NMOS晶體管的漏極耦接于芯片的電源接腳、 OS晶體管的源極耦接于接地端以及NMOS晶體管的柵極耦接于電壓檢測單元，以接收該設(shè)定電壓。在本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中，上述開關(guān)組件可以是NPN晶體管，且NPN晶體管的集電極耦接于芯片的電源接腳、NPN晶體管的射極耦接于接地端以及NPN晶體管的基極耦接于電壓檢測單元，以接收該設(shè)定電壓。本發(fā)明實(shí)施例提供一種驅(qū)動(dòng)電路，適用于驅(qū)動(dòng)具有至少一發(fā)光二極管的發(fā)光單元，且發(fā)光單元的第一端耦接于電源端。驅(qū)動(dòng)電路包括芯片及過電壓保護(hù)電路。芯片耦接于發(fā)光單元的第二端并用以驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元。過電壓保護(hù)電路耦接于該電源端與芯片的電源接腳之間，且過電壓保護(hù)電路包括電壓檢測單元、限流組件及開關(guān)組件。電壓檢測單元耦接于電源端與接地端之間，并用以根據(jù)電源端的電壓電平輸出設(shè)定電壓。限流組件耦接于電源端與芯片的電源接腳之間。開關(guān)組件耦接于芯片的電源接腳與接地端之間，其中開關(guān)組件另耦接電壓檢測單元以受控于設(shè)定電壓。當(dāng)電源端的電壓電平高于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，開關(guān)組件導(dǎo)通以關(guān)閉芯片所接收到的電壓。綜上所述，本發(fā)明提供一種過電壓保護(hù)電路，此過電壓保護(hù)電路可通過電壓檢測方式，主動(dòng)地于交流電壓源電壓電平高于一預(yù)設(shè)值時(shí)，控制導(dǎo)通開關(guān)組件，以關(guān)閉芯片所接收到的電壓，進(jìn)而達(dá)到保護(hù)芯片的效能。據(jù)此，過電壓保護(hù)電路可提前在過高溫度保護(hù)功能啟動(dòng)之前，以主動(dòng)式方式對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)。本發(fā)明提供的過電壓保護(hù)電路可應(yīng)用于所有芯片，無論有無過高溫度保護(hù)功能，從而達(dá)到對(duì)芯片的過壓/過熱保護(hù)功能。另外，此電壓保護(hù)電路的檢測架構(gòu)設(shè)計(jì)亦可降低保護(hù)電路的功耗，從而提升保護(hù)電路的效益。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅用來說明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路運(yùn)作波形示意圖。圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路運(yùn)作波形示意圖。圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路示意5是本發(fā)明第三實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖。主要組件符號(hào)說明1、2、3驅(qū)動(dòng)電路10電源供應(yīng)電路101交流電壓源103整流電路20、50過電壓保護(hù)電路201、501電壓檢測單元203限流組件205,505開關(guān)組件207穩(wěn)壓電路30驅(qū)動(dòng)芯片33驅(qū)動(dòng)電流設(shè)定組件40發(fā)光單元401a 401η 發(fā)光二極管
Rl R4電阻QlNMOST 晶體管Cl電容Sffl開關(guān)OAl比較器Dl D4二 極管D5齊納二極管Vc設(shè)定電壓V_REF參考電壓VCC驅(qū)動(dòng)芯片的電源接腳GND驅(qū)動(dòng)芯片的接地接腳、接地端Sff驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)接腳ISET驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流設(shè)定接腳Vin交流電壓VLED電壓ILED電流PT電源端ClO C60 曲線
具體實(shí)施例方式〔第一實(shí)施例〕請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。驅(qū)動(dòng)電路I耦接于電源供應(yīng)電路10的電源端PT與發(fā)光單元40，用以調(diào)整流經(jīng)發(fā)光單元40的電流ILED以調(diào)整發(fā)光單元40的亮度。發(fā)光單元40包括至少一固態(tài)發(fā)光組件，例如是發(fā)光二極管(LightEmitting Diode, LED)401a 401η,但本實(shí)施例不限制固態(tài)發(fā)光組件的類型。本實(shí)施例以多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管401a 401η為例，其中發(fā)光二極管401a的陽極耦接于電源端PT，而發(fā)光二極管401η的陰極耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)接腳SW。電源供應(yīng)電路10包括交流電壓源101與整流電路103，用以整流交流電壓Vin，并經(jīng)由電源端PT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路I與發(fā)光單元40供電。整流電路103例如是橋式整流器(bridgerectifier)，其包括二極管Dl D4，但本實(shí)施例不限制整流電路103的架構(gòu)。本實(shí)施例的整流電路103以橋式整流器為例，其中二極管Dl的陽極耦接二極管D3的陰極，且二極管Dl的陰極耦接二極管D2的陰極。二極管D2的陽極耦接二極管D4的陰極，且二極管D4的陽極耦接二極管D3的陽極。交流電壓源101的正極端耦接于二極管D1、D3之間的接點(diǎn)，而交流電壓源101的負(fù)極端耦接于二極管D2、D4之間的接點(diǎn)。據(jù)此，交流電壓源101通過二極管D1、D3與二極管D2、D4交互導(dǎo)通與截止運(yùn)作對(duì)交流電壓Vin進(jìn)行整流。二極管Dl與二極管D2之間的接點(diǎn)耦接至電源端PT，而二極管D3與二極管D4之間的接點(diǎn)耦接至接地端GND，從而二極管Dl D4所形成的橋接式整流電路可將交流電壓源101產(chǎn)出的交流電壓Vin整流后，經(jīng)由電源端PT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路I與發(fā)光單元40供電。驅(qū)動(dòng)電路I包括過電壓保護(hù)電路20及驅(qū)動(dòng)芯片30，其中過電壓保護(hù)電路20耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30，用以避免突發(fā)的高電壓(例如突波)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片30造成傷害。發(fā)光單元40耦接于電源端PT與驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)接腳SW之間，其中驅(qū)動(dòng)芯片30可以控制流經(jīng)發(fā)光單元40的電流量。值得注意的是，驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)接腳SW個(gè)數(shù)可以為一個(gè)或多個(gè)，可依設(shè)計(jì)需求而定，且本實(shí)施例并不限制。驅(qū)動(dòng)芯片30可例如為離線式線性發(fā)光二極管驅(qū)云力芯片(off-line linear LED driver IC)。過電壓保護(hù)電路20包括電壓檢測單元201、限流組件203、開關(guān)組件205及穩(wěn)壓電路207。電壓檢測單元201耦接于電源端PT與接地端GND之間，可根據(jù)電源端PT的電壓電平輸出一設(shè)定電壓Vc。限流組件203耦接電源端PT與驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC之間，其中限流組件203也耦接于電源端PT與開關(guān)組件205之間，且可例如是高阻抗組件，用以限定流入開關(guān)組件205的電流量，避免過高電流對(duì)開關(guān)組件205造成傷害。開關(guān)組件205耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC與接地端GND之間，其中開關(guān)組件205耦接于電壓檢測單元201以受控于設(shè)定電壓Ne。穩(wěn)壓電路207耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC與接地端GND之間，用以穩(wěn)定供應(yīng)驅(qū)動(dòng)芯片30的工作電壓。其中，當(dāng)電壓檢測單元201檢測到電源端PT的電壓電平高于第一預(yù)設(shè)值Vset時(shí)，會(huì)導(dǎo)通開關(guān)組件205以下拉驅(qū)動(dòng)芯片30所接收到的電壓。驅(qū)動(dòng)芯片30會(huì)因?yàn)樗邮盏墓ぷ麟妷合陆刀Ｖ惯\(yùn)作，并且關(guān)閉發(fā)光單元40，使電流ILED降為零。藉此，過電壓保護(hù)電路20可以在驅(qū)動(dòng)芯片30發(fā)生過高溫度保護(hù)(OTP)前先關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片30，以達(dá)到主動(dòng)保護(hù)的功效。在本實(shí)施例中，電壓檢測單元201包括電阻Rl (第一電阻)及電阻R2(第二電阻)；限流組件203包括電阻R3 ;開關(guān)組件205包括NMOS晶體管Ql ;穩(wěn)壓電路207包括齊納二極管D5與電容Cl。電阻Rl與電阻R2串聯(lián)耦接于電源端PT與接地端GND之間，以形成分壓電路。電阻R3耦接于電源端PT與NMOS晶體管Ql之間。NMOS晶體管Ql耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC與接地端GND之間。齊納二極管D5與電容Cl并聯(lián)耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC與接地端GND之間。具體地說，電阻Rl的第一端耦接于電源端PT，而電阻Rl的第二端耦接電阻R2的第一端。電阻R2的第二端則耦接接地端GND。電阻R3的第一端耦接于電源端PT，且電阻R3的第二端耦接NMOS晶體管Ql的漏極(drain)以及驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC。據(jù)此，通過改變電阻R3的電阻值，可調(diào)整配置流經(jīng)NMOS晶體管Ql的電流量。NMOS晶體管Ql的源極(source)耦接于接地端GND。NMOS晶體管Ql的柵極(gate)耦接于電阻Rl與電阻R2之間的接點(diǎn)(電阻Rl與電阻R2的共享端)。其中，電阻Rl與電阻R2可依據(jù)電源端PT的電壓電平，產(chǎn)生設(shè)定電壓Vc (亦即跨于電阻R2的電壓)，并輸出至NMOS晶體管Ql的柵極，以控制NMOS晶體管Ql的導(dǎo)通與截止運(yùn)作。另外，齊納二極管D5的陰極耦接電容Cl的第一端，并耦接驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC。齊納二極管D5的陽極耦接電容Cl的第二端，且耦接接地端GND。齊納二極管D5于逆向偏壓時(shí)，可穩(wěn)定運(yùn)作于其逆向崩潰電壓(breakdown voltage),因此可用以穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC的電壓。電容Cl則用以濾除驅(qū)動(dòng)芯片30電源接腳VCC所接收到電壓的漣波電壓。值得一提的是，齊納二極管D5的規(guī)格可依據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片30的電性規(guī)格，選定具有該逆向崩潰電壓的齊納二極管D5，本實(shí)施例并不限制齊納二極管D5的種類。本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可由圖1的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)選擇符合電路運(yùn)作需求的齊納二極管D5及電容Cl的規(guī)格及種類，故不在此再贅述。
此外，驅(qū)動(dòng)芯片30以離線式線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)芯片為例，驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC用以接收由電源端PT經(jīng)電阻R3傳送的工作電壓或是于NMOS晶體管Ql導(dǎo)通時(shí)，下拉至接地端GND。驅(qū)動(dòng)芯片30的接地接腳GND耦接接地端GND。驅(qū)動(dòng)電流設(shè)定組件33于此實(shí)施例以電阻R4實(shí)現(xiàn)，但本實(shí)施例不限制。其中，電阻R4耦接于驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)電流設(shè)定接腳ISET與接地端GND之間，進(jìn)而可透過調(diào)整電阻R4的電阻值設(shè)定流經(jīng)發(fā)光單元40中多個(gè)串聯(lián)之發(fā)光二極管401a 401η的電流ILED，以控制發(fā)光二極管401a 401η的運(yùn)作。
驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)接腳SW耦接發(fā)光二極管401η的陰極。從而發(fā)光單元40中多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管401a 401η可于驅(qū)動(dòng)芯片30正常運(yùn)作時(shí)，透過驅(qū)動(dòng)芯片30的驅(qū)動(dòng)接腳SW耦接接地端GND，形成導(dǎo)通回路。而于驅(qū)動(dòng)芯片30停止運(yùn)作時(shí)，形成斷路，使電流ILED無法續(xù)流，從而截止發(fā)光二極管401a 401η，停止發(fā)光單元40的運(yùn)作。另外，流經(jīng)發(fā)光二極管401a 401η的電流如圖1所標(biāo)以電流ILED來表示，而跨于多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管401a 401η的電壓則以電壓VLED表示。
驅(qū)動(dòng)電路I的主要運(yùn)作模式為當(dāng)電源端PT低于第一預(yù)設(shè)值Vset時(shí)，電阻Rl與電阻R2的接點(diǎn)會(huì)依據(jù)電源端PT的電壓電平輸出設(shè)定電壓Vc使NMOS晶體管Ql截止運(yùn)作。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC接收由電源端PT經(jīng)齊納二極管D5與電容Cl的并聯(lián)穩(wěn)壓電路傳送的工作電壓，并驅(qū)動(dòng)控制多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管401a 401η的亮度。當(dāng)電源端PT的電壓電平高于第一預(yù)設(shè)值Vset時(shí)，電阻Rl與電阻R2的接點(diǎn)所輸出的設(shè)定電壓Vc會(huì)導(dǎo)通NMOS晶體管Ql，將驅(qū)動(dòng)芯片30的電源接腳VCC下拉至接地端GND，使驅(qū)動(dòng)芯片30因?yàn)樗邮盏墓ぷ麟妷合陆刀Ｖ惯\(yùn)作。此時(shí)，多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管401a 401η會(huì)因無導(dǎo)通回路而使電流ILED無法續(xù)流，進(jìn)而使發(fā)光單元40停止運(yùn)作。從而過電壓保護(hù)電路20可于過高溫度保護(hù)(OTP)機(jī)能啟動(dòng)前，主動(dòng)保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片30，并避免過高電壓對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片30造成傷害。
值得一提的是，第一預(yù)設(shè)值Vset與電阻Rl的電阻值、電阻R2的電阻值以及NMOS晶體管Ql的導(dǎo)通電壓Vth相關(guān)，且可以下列公式來表示:
權(quán)利要求
1.一種過電壓保護(hù)電路，適于配置在一芯片的一電源接腳與一電源端之間，其特征在于該過電壓保護(hù)電路包括: 一電壓檢測單元，耦接于該電源端與一接地端之間，根據(jù)該電源端的電壓電平輸出一設(shè)定電壓； 一限流組件，耦接該電源端與該芯片的該電源接腳之間；以及 一開關(guān)組件，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間，其中該開關(guān)組件并耦接該電壓檢測單元以受控于該設(shè)定電壓； 其中，當(dāng)該電源端的電壓電平高于一第一預(yù)設(shè)值時(shí)，該開關(guān)組件導(dǎo)通以關(guān)閉該芯片所接收到的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該電壓檢測單元包括: 一第一電阻，耦接于該電源端與一共享端之間；以及 一第二電阻，耦接于該共享端與該接地端之間； 其中該設(shè)定電壓由該共享端產(chǎn)生。
3.如權(quán)利要求2所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該電壓檢測單元更包括一比較器，該比較器具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第一輸入端稱接于該共享端，該第二輸入端耦接于一參考電壓，該輸出端用以輸出該設(shè)定電壓至該開關(guān)組件。
4.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該限流組件為一電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該開關(guān)組件為一NMOS晶體管，該NMOS晶體管的漏極耦接于該電源接腳，該NMOS晶體管的源極耦接于該接地端，該NMOS晶體管的柵極耦接于該電壓檢測單元以接收該設(shè)定電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該開關(guān)組件為一NPN晶體管，該NPN晶體管的集電極耦接于該電源接腳，該NPN晶體管的射極耦接于該接地端，該NPN晶體管的基極耦接于該電壓檢測單元以接收該設(shè)定電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于更包括: 一齊納二極管，其陽極耦接于該接地端，其陰極耦接于該芯片的該電源接腳；以及 一電容，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間。
8.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該芯片為一離線式線性發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)芯片。
9.如權(quán)利要求2所述的過電壓保護(hù)電路，其特征在于該電源端耦接于一整流電路，該整流電路整流一交流電壓，并經(jīng)由該電源端對(duì)該芯片供電，其中當(dāng)該交流電壓大于該第一預(yù)設(shè)值時(shí)，該開關(guān)組件導(dǎo)通，其中該第一預(yù)設(shè)值與該第一電阻的電阻值、該第二電阻的電阻值以及該開關(guān)組件的導(dǎo)通電壓相關(guān)，其公式如下:
10.一種驅(qū)動(dòng)電路，適用于驅(qū)動(dòng)具有至少一發(fā)光二極管的一發(fā)光單兀，該發(fā)光單兀的一第一端耦接于一電源端，其特征在于該驅(qū)動(dòng)電路包括:一芯片，耦接于該發(fā)光單元的一第二端，用以驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元；以及 一過電壓保護(hù)電路，耦接于該電源端與該芯片的一電源接腳之間，該過電壓保護(hù)電路包括: 一電壓檢測單元，耦接于該電源端與一接地端之間，根據(jù)該電源端的電壓電平輸出一設(shè)定電壓； 一限流組件，耦接該電源端與該芯片的該電源接腳之間；以及 一開關(guān)組件，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間，其中該開關(guān)組件并耦接該電壓檢測單元以受控于該設(shè)定電壓； 其中，當(dāng)該電源端的電壓電平高于一第一預(yù)設(shè)值時(shí)，該開關(guān)組件導(dǎo)通以關(guān)閉該芯片的電源，使該芯片停止驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元。
11.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該電壓檢測單元包括: 一第一電阻，耦接于該電源端與一共享端之間；以及 一第二電阻，耦接于該 共享端與該接地端之間； 其中該設(shè)定電壓由該共享端產(chǎn)生。
12.如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該電壓檢測單元更包括一比較器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第一輸入端稱接于該共享端，該第二輸入端耦接于一參考電壓，該輸出端用以輸出該設(shè)定電壓至該開關(guān)組件。
13.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該限流組件為一電阻。
14.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于更包括: 一整流電路，耦接于該電源端，用以整流一交流電壓，并經(jīng)由該電源端對(duì)該芯片供電，其中當(dāng)該交流電壓大于該第一預(yù)設(shè)值時(shí)，該開關(guān)組件導(dǎo)通，其中該第一預(yù)設(shè)值與該第一電阻的電阻值、該第二電阻的電阻值以及該開關(guān)組件的導(dǎo)通電壓相關(guān)，其公式如下: (I+X Vth Vset = -- R2「~ λ/2 其中，Vset表不該第一預(yù)設(shè)值；R1表不該第一電阻的電阻值；R2表不該第二電阻的電阻值；Vth表示該開關(guān)組件的導(dǎo)通電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種過電壓保護(hù)電路，適用于配置在芯片的電源接腳(VCC)與電源端之間。此過電壓保護(hù)電路包括電壓檢測單元、限流組件及開關(guān)組件。電壓檢測單元耦接于電源端與接地端之間，并用以根據(jù)電源端的電壓電平輸出設(shè)定電壓。限流組件耦接于電源端與芯片的電源接腳之間。開關(guān)組件耦接于芯片的電源接腳與接地端之間，其中開關(guān)組件另耦接電壓檢測單元以受控于設(shè)定電壓。當(dāng)電源端的電壓電平高于第一預(yù)設(shè)值時(shí)，開關(guān)組件導(dǎo)通以關(guān)閉芯片所接收到的電壓。
文檔編號(hào)H02H9/04GK103166210SQ201210005380
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者賴建豐 申請(qǐng)人:隆達(dá)電子股份有限公司