專利名稱：具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子芯片的輸出信號的轉(zhuǎn)換率控制(slew rate control)，特別是涉及用于改善該輸出信號對負(fù)載電容的電流過沖(current overshoot)現(xiàn)象。
背景技術(shù)：
隨著制造工藝的進(jìn)步，電子芯片的工作頻率提升、信號上升/下降時(shí)間受限、且芯片操作電壓降低。伴隨以上現(xiàn)象，電子芯片的數(shù)字輸出級電路的轉(zhuǎn)換率控制(slew rate control)需更嚴(yán)謹(jǐn)考慮電流過沖(current overshoot)問題，以避免電源雜訊、電磁干擾 (EMI)與閉鎖(latch up)等現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片。根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一電子芯片包括一轉(zhuǎn)換率控制電路、以及耦接該電子芯片一輸出腳位的一轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管與一轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管。根據(jù)該電子芯片的一輸出級輸入信號以及該輸出腳位上的信號，該轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換率控制充電信號以及一轉(zhuǎn)換率控制放電信號，分別操控上述轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管與轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管充/放電該輸出腳位所耦接的上述負(fù)載電容。根據(jù)本發(fā)明另外一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一電子芯片包括多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路、以及耦接該電子芯片一輸出腳位的多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管。根據(jù)該電子芯片一輸出級輸入信號以及該輸出腳位上的信號，所述轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號；不同轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生的這些組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號不同。上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管是由上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號分別控制，以充/ 放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容。根據(jù)本發(fā)明另外一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一電子芯片包括多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路、以及耦接該電子芯片一輸出腳位的多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管。根據(jù)該電子芯片的一輸出級輸入信號以及該輸出腳位上的信號，所述轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號。上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管是由上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號分別控制，以充/放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容。在此實(shí)施方式中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路是基于該負(fù)載電容的大小選擇性致能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并結(jié)合附圖詳細(xì)說明如下。


圖1圖解所揭示的電子芯片的輸出級設(shè)計(jì)；圖2圖解該轉(zhuǎn)換率控制輸出緩沖器102的一種實(shí)施方式；圖3A至圖3C圖解轉(zhuǎn)換率控制電路的多種實(shí)施方式。
附圖符號說明102 轉(zhuǎn)換率控制輸出緩沖器；104 電路，包括封裝與印刷電路板的寄生電阻、電感與電容；202 前驅(qū)動電路；300 轉(zhuǎn)換率控制電路；302 反相電路；304 反相輸出信號；306 延遲輸出信號；308、310 反相器；312 電阻；322、324、326、328 傳輸門；330 轉(zhuǎn)換率控制電路；332 反相電路；334 第一反相輸出信號；336 第一延遲輸出信號；338 第二反相輸出信號；340 第二延遲輸出信號；342 反相器；344 或非門；346 反相器；348 與非門；350 反相器；352 電阻；362、364、366、368 傳輸門；CL 外接負(fù)載的電容；CSb 基準(zhǔn)充電晶體管控制信號；CSl. . . CSi. . . CSN 轉(zhuǎn)換率控制充電信號；DE<0 k> 數(shù)字控制信號；DSb 基準(zhǔn)放電晶體管控制信號；DSl. . . DSi. . . DSN 轉(zhuǎn)換率控制放電信號；EN 致能信號；IN 輸出級輸入信號；Mpb、Mnb 基準(zhǔn)充、放電晶體管；Mpl-MpN 轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管；Mnl-MnN 轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管；OUT 輸出腳位；PI、Ni、OI 轉(zhuǎn)換率控制電路的輸入端；P0、NO 轉(zhuǎn)換率控制電路的輸出端；QE 控制信號；
SRl-SRN 轉(zhuǎn)換率控制電路；VDD 電源。
具體實(shí)施例方式圖1圖解所揭示的電子芯片的輸出級設(shè)計(jì)，其中包括一轉(zhuǎn)換率控制輸出緩沖器 102，將一輸出級輸入信號IN作轉(zhuǎn)換率控制與緩沖處理后輸出至電子芯片的一輸出腳位 OUT。圖1還將封裝與印刷電路板的寄生電阻、電感與電容繪制于電路104中，并將該輸出腳位OUT所外接的負(fù)載的電容以符號CL標(biāo)示。圖2圖解該轉(zhuǎn)換率控制輸出緩沖器102的一種實(shí)施方式。為了對輸出腳位OUT上的信號作轉(zhuǎn)換率控制，所揭示的電路除了提供一組基準(zhǔn)充電與放電晶體管Mpb與Mnb耦接該輸出腳位OUT外，還設(shè)計(jì)多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管(包括第一組晶體管Mpl與 Mnl 第N組晶體管MpN與MnN)耦接該輸出腳位OUT。此段落討論該組基準(zhǔn)充電與放電晶體管Mpb與Mnb的操作。該輸出級輸入信號IN 可由一前驅(qū)動電路202配合一控制信號QE進(jìn)行處理，形成一基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb 以及一基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb，分別控制上述基準(zhǔn)充電晶體管Mpb與基準(zhǔn)放電晶體管Mnb，使之根據(jù)該輸出級輸入信號IN對該輸出腳位OUT所耦接的負(fù)載電容(例如，圖1的 CL、甚至包括電路104所提供的寄生負(fù)載)。特別聲明的是，圖2所示的前驅(qū)動電路202并不意圖限定本發(fā)明范圍，可由任何前驅(qū)動設(shè)計(jì)取代。此段落討論上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管(Mpl與Mnl.....MpN與MnN)
的操作，包括對應(yīng)設(shè)計(jì)的多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路SRl SRN。所述的轉(zhuǎn)換率控制電路SRl SRN各自根據(jù)上述基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb、基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb以及該輸出腳位OUT上的信號產(chǎn)生一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號(例如，轉(zhuǎn)換率控制電路SRl產(chǎn)生
一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號CSl與DSl.....轉(zhuǎn)換率控制電路SRN產(chǎn)生一組轉(zhuǎn)換率控制
充電與放電信號CSN與DSN)。所產(chǎn)生的多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號(CSl與DSl.....
CSN與DSN)用于控制上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管(Mpl與Mnl.....MpN與MnN)
對該輸出腳位OUT所耦接的負(fù)載電容充/放電。因此，藉由上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管(Mpl與Mnl.....MpN與ΜηΝ，
以Mpi與Mni分別代表第i個(gè)轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管)以及多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路 SRl SRN，所揭示的技術(shù)將該輸出腳位OUT上的信號狀況回授考慮于其轉(zhuǎn)換率控制中。如此一來，該輸出腳位OUT的實(shí)際負(fù)載狀況會反應(yīng)在轉(zhuǎn)換率控制中。特別聲明的是，還有一種實(shí)施方式并不采用多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管與多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路，而是采用單一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管與單一個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路?；蛘?，有些實(shí)施方式并不采用該組基準(zhǔn)充電與放電晶體管。因此，凡是采用至少一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管與至少一個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路的設(shè)計(jì)，即涉及本發(fā)明。關(guān)于轉(zhuǎn)換率控制電路SRl SRN的設(shè)計(jì)，圖3A至圖3C圖解多種實(shí)施方式。參閱圖3A，一轉(zhuǎn)換率控制電路300以輸入端PI與NI耦接上述基準(zhǔn)充電、放電晶體管控制信號CSb、DSb，并以輸入端01耦接輸出腳位0UT，并以一第一輸出端PO與一第二輸出端NO分別輸出一轉(zhuǎn)換率控制充電信號以及一轉(zhuǎn)換率控制放電信號(視之為第i個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路，分別標(biāo)號為CSi與DSi)。此外，轉(zhuǎn)換率控制電路300包括一反相電路302以及第一至第四開關(guān)(此實(shí)施方式分別以傳輸門322、3對、3沈與3 示之)。該反相電路302將該輸出腳位OUT的信號轉(zhuǎn)換為一反相輸出信號304以及一延遲輸出信號306。如圖所示，該反相電路302主要包括一反相器308以及一反相器310。反相器308具有一輸入端耦接該輸出腳位OUT、且具有一輸出端提供上述反相輸出信號304。反相器310具有一輸入端耦接反相器308上述輸出端，且具有一輸出端提供上述延遲輸出信號306。圖中耦接于反相器308輸入端與該輸出腳位OUT之間的電阻312為抗靜電(ESD) 設(shè)計(jì)，可由使用者決定是否使用。至于以傳輸門322實(shí)現(xiàn)的第一開關(guān)，是以傳輸門322 —正相控制端耦接該反相輸出信號304，且以傳輸門322 —反相控制端耦接該延遲輸出信號306，以隨著該反相輸出信號304的電平提升而導(dǎo)通，耦接該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb至該第一輸出端P0。至于以傳輸門3M實(shí)現(xiàn)的第二開關(guān)，是以傳輸門3M —正相控制端耦接該延遲輸出信號306，且以傳輸門3M —反相控制端耦接該反相輸出信號304，以隨著該延遲輸出信號306的電平提升而導(dǎo)通，耦接該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb至該第二輸出端NO。至于以傳輸門3 實(shí)現(xiàn)的該第三開關(guān)，是以該傳輸門3 —正相控制端耦接該延遲輸出信號306，且以該傳輸門3 —反相控制端耦接該反相輸出信號304，以隨著該延遲輸出信號306的電平提升而導(dǎo)通，耦接該第一輸出端PO至一電源VDD。至于以傳輸門3 實(shí)現(xiàn)的該第四開關(guān)，是以該傳輸門3 —正相控制端耦接該反相輸出信號304，且以該傳輸門3 —反相控制端耦接該延遲輸出信號306，以隨著該反相輸出信號304的電平提升而導(dǎo)通，耦接該第二輸出端NO至一接地端。以下討論圖3A轉(zhuǎn)換率控制電路300的工作。以輸出腳位OUT由低電位充電至高電位為例。轉(zhuǎn)換率控制充電信號CSi首先反應(yīng)該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb的狀況，使所控制的轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管Mpi貢獻(xiàn)其充電路徑加速該輸出腳位OUT電位的提升；此時(shí)，轉(zhuǎn)換率控制放電信號DSi是由傳輸門3 拉為低電位，所控制的轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管Mni斷開其放電路徑。待該輸出腳位OUT的電位超過一臨界值(例如，VDD/幻，傳輸門3 導(dǎo)通將該轉(zhuǎn)換率控制充電信號CSi拉升至高電位VDD，停止該轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管Mpi繼續(xù)拉升該輸出腳位OUT的電位的動作，以避免電流過沖現(xiàn)象；此時(shí)，轉(zhuǎn)換率控制放電信號DSi是反應(yīng)該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb的狀況，令所控制的轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管Mni貢獻(xiàn)其放電功能，益于抑制所述電流過沖現(xiàn)象。下面討論輸出腳位OUT由高電位放電至低電位的例子。轉(zhuǎn)換率控制放電信號DSi 首先反應(yīng)該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb的狀況，使所控制的轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管Mni 貢獻(xiàn)其放電路徑加速該輸出腳位OUT電位的下降；此時(shí)，轉(zhuǎn)換率控制充電信號CSi是由傳輸門3 拉升為高電位VDD，所控制的轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管Mpi斷開其充電路徑。待該輸出腳位OUT的電位低于一臨界值(例如，VDD/幻，傳輸門3 導(dǎo)通將該轉(zhuǎn)換率控制放電信號 DSi拉為低電位，停止以轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管Mni幫助該輸出腳位OUT放電，以避免電流過沖現(xiàn)象；此時(shí)，轉(zhuǎn)換率控制充電信號CSi是反應(yīng)該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb的狀況， 令所控制的轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管Mpi貢獻(xiàn)其充電功能，益于抑制所述電流過沖現(xiàn)象。很明顯地，所揭示技術(shù)在精益輸出信號轉(zhuǎn)換率的同時(shí)，亦有效抑制電流過沖問題。關(guān)于采用多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管以及多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路的實(shí)施方式，不同的轉(zhuǎn)換率控制電路所產(chǎn)生的這些組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號可不同。以圖2為例，第i個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路SRi所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號CSi與DSi可不同于第j個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路SRj所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號CSj與DSj，i與j為不相等的數(shù)值。若轉(zhuǎn)換率控制電路是以圖3A方式實(shí)現(xiàn)，可藉由調(diào)整該反相電路302的延遲效應(yīng)使不同的轉(zhuǎn)換率控制電路所產(chǎn)生的這些組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號不同。存在于反相器 308與310延遲皆會影響上述延遲效應(yīng)，使用者可以此方向設(shè)計(jì)。或者，參閱圖3B，其中是將抗靜電用的電阻312以可變電阻實(shí)現(xiàn)，藉由改變其阻值調(diào)整反相電路302所附帶的延遲效應(yīng)。圖中數(shù)字控制信號DE<0:k>即是用來調(diào)整電阻312 的阻值。在一種實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)換率控制電路全數(shù)可采同樣電路設(shè)計(jì)，僅需設(shè)定其各自接收的數(shù)字控制信號DE<0:k>，即可以利用相當(dāng)?shù)木珳?zhǔn)度完美抑制電流過沖現(xiàn)象。在其他實(shí)施例中，圖2所示的所述轉(zhuǎn)換率控制電路SRl SRN是基于該輸出腳位 OUT所耦接的負(fù)載電容的大小選擇性致能。負(fù)載電容愈大則致能的轉(zhuǎn)換率控制電路愈多。 圖3C圖解其轉(zhuǎn)換率控制電路的一種實(shí)施方式。比較圖3A與圖3C，轉(zhuǎn)換率控制電路330還接收一致能信號En設(shè)定其致能與否，且轉(zhuǎn)換率控制電路所使用的反相電路與第一 第四開關(guān)在設(shè)計(jì)上也有出入。參閱圖3C，反相電路332在該致能信號En致能下將該輸出腳位OUT的信號轉(zhuǎn)換為一第一反相輸出信號334、一第一延遲輸出信號336、一第二反相輸出信號338以及一第二延遲輸出信號340。反相電路332包括反相器342、或非門344、反相器346、與非門348 以及反相器350。反相器342具有一輸入端耦接上述致能信號En，且具有一輸出端。或非門344具有一第一輸入端耦接該輸出腳位OUT、一第二輸入端耦接該反相器342的輸出端， 且具有一輸出端提供上述第一反相輸出信號334。反相器346具有一輸入端耦接該或非門 344的該輸出端，且具有一輸出端提供上述第一延遲輸出信號336。與非門348具有一第一輸入端耦接該輸出腳位OUT、一第二輸入端耦接上述致能信號En，且具有一輸出端提供上述第二反相輸出信號338。反相器350具有一輸入端耦接該與非門348的該輸出端，且具有一輸出端提供上述第二延遲輸出信號340。圖中耦接于或非門344的第一輸入端與該輸出腳位OUT之間的電阻352為抗靜電(ESD)設(shè)計(jì)，可由使用者決定是否使用。在一實(shí)施例中， 上述電阻352可以為可變電阻，藉由改變其阻值調(diào)整電路本身所附帶的延遲效應(yīng)。至于以傳輸門362實(shí)現(xiàn)的第一開關(guān)，是以該傳輸門362 —正相控制端耦接該或非門344的輸出端，且以該傳輸門362 —反相控制端耦接該反相器346的輸出端，以隨著該第一反相輸出信號334的電平提升而導(dǎo)通，耦接該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號CSb至該第一輸出端P0。至于以傳輸門364實(shí)現(xiàn)的第二開關(guān)，是以傳輸門364 —正相控制端耦接該反相器 350的輸出端，且以該傳輸門364 —反相控制端耦接該與非門348的輸出端，以隨著該第二延遲輸出信號340的電平提升而導(dǎo)通，耦接該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號DSb至該第二輸出端N0。至于以傳輸門366實(shí)現(xiàn)的第三開關(guān)，是以該傳輸門366 —正相控制端耦接該反相器 346的輸出端，且以該傳輸門366 —反相控制端耦接該或非門344的輸出端，以隨著該第一延遲輸出信號336的電平提升而導(dǎo)通，耦接該第一輸出端PO至電源VDD。至于以傳輸門368 實(shí)現(xiàn)的第四開關(guān)，是以該傳輸門368—正相控制端耦接該與非門348的輸出端，且以該傳輸門368 —反相控制端耦接該反相器350的輸出端，以隨著該第二反相輸出信號338的電平提升而導(dǎo)通，耦接該第二輸出端NO至接地端。
以下討論圖3C轉(zhuǎn)換率控制電路330的致能與除能。致能信號En除能(低電位)時(shí)，傳輸門362與364不導(dǎo)通，且傳輸門366與368導(dǎo)通。如此一來，轉(zhuǎn)換率控制充電信號CSi為高電平，不導(dǎo)通所控制的轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管 Mpi，且轉(zhuǎn)換率控制放電信號DSi為低電平，不導(dǎo)通所控制的轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管Mni-即該轉(zhuǎn)換率控制電路330除能。致能信號En致能(高電位)時(shí)，該輸出腳位OUT信號的反相會反應(yīng)在該或非門 344以及該與非門348的輸出端上，且該輸出腳位OUT信號的延遲會反應(yīng)在反相器346以及 350的輸出端上，以形成第一反相輸出信號334、第二反相輸出信號338、第一延遲輸出信號 336、以及一第二延遲輸出信號340-該轉(zhuǎn)換率控制電路330致能。致能的轉(zhuǎn)換率控制電路330同樣可有效精確控制輸出信號轉(zhuǎn)換率并抑制電流過沖問題。需特別說明的是，所揭示的轉(zhuǎn)換率控制電路并不限定于圖3A-圖3C所示電路。任何同時(shí)參考輸出級輸入信號IN與輸出腳位OUT信號而產(chǎn)生轉(zhuǎn)換率控制充電、放電信號的電路皆涉及本發(fā)明內(nèi)容。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可做若干的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍是以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片，包括一轉(zhuǎn)換率控制電路，根據(jù)該電子芯片的一輸出級輸入信號以及該電子芯片一輸出腳位上的信號產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換率控制充電信號以及一轉(zhuǎn)換率控制放電信號；以及耦接該輸出腳位的一轉(zhuǎn)換率控制充電晶體管以及一轉(zhuǎn)換率控制放電晶體管，分別根據(jù)該轉(zhuǎn)換率控制充電信號以及該轉(zhuǎn)換率控制放電信號充/放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容。
2.如權(quán)利要求1所述的電子芯片，還包括耦接該輸出腳位的一基準(zhǔn)充電晶體管以及一基準(zhǔn)放電晶體管，根據(jù)該輸出級輸入信號充/放電上述負(fù)載電容。
3.如權(quán)利要求2所述的電子芯片，還包括一前驅(qū)動電路，且上述輸出級輸入信號是經(jīng)由該前驅(qū)動電路轉(zhuǎn)換為一基準(zhǔn)充電晶體管控制信號以及一基準(zhǔn)放電晶體管控制信號后方供應(yīng)給該基準(zhǔn)充電晶體管、該基準(zhǔn)放電晶體管以及該轉(zhuǎn)換率控制電路使用。
4.如權(quán)利要求3所述的電子芯片，其中該轉(zhuǎn)換率控制電路包括一第一輸出端以及一第二輸出端，分別輸出該轉(zhuǎn)換率控制充電信號以及該轉(zhuǎn)換率控制放電信號；一反相電路，將該輸出腳位的信號轉(zhuǎn)換為一反相輸出信號以及一延遲輸出信號；一第一開關(guān)，隨著該反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號至該第一輸出端；一第二開關(guān)，隨著該延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號至該第二輸出端；一第三開關(guān)，隨著該延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第一輸出端至一電源；以及一第四開關(guān)，隨著該反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第二輸出端至一接地端。
5.如權(quán)利要求4所述的電子芯片，其中該反相電路包括一第一反相器，具有一輸入端耦接該輸出腳位、且具有一輸出端提供上述反相輸出信號；以及一第二反相器，具有一輸入端耦接該第一反相器上述輸出端，且具有一輸出端提供上述延遲輸出信號。
6.如權(quán)利要求5所述的電子芯片，其中該反相電路還包括一可變電阻，耦接在該輸出腳位與上述第一反相器的上述輸入端之間，用于調(diào)整上述延遲效應(yīng)，且該轉(zhuǎn)換率控制電路包含下列電路該第一開關(guān)以一第一傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第一傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第一傳輸門一反相控制端耦接該延遲輸出信號；該第二開關(guān)以一第二傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第二傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第二傳輸門一反相控制端耦接該反相輸出信號；該第三開關(guān)以一第三傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第三傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第三傳輸門一反相控制端耦接該反相輸出信號；且該第四開關(guān)以一第四傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第四傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第四傳輸門一反相控制端耦接該延遲輸出信號。
7.一種具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片，包括多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路，根據(jù)該電子芯片的一輸出級輸入信號以及該電子芯片一輸出腳位上的信號產(chǎn)生多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號，其中，不同轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生的所述組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號不同；以及耦接該輸出腳位的多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管，由上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號分別控制，以充/放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容。
8.如權(quán)利要求7所述的電子芯片，還包括耦接該輸出腳位的一組基準(zhǔn)充電與放電晶體管，根據(jù)該輸出級輸入信號充/放電上述負(fù)載電容；以及一前驅(qū)動電路，且上述輸出級輸入信號是經(jīng)由該前驅(qū)動電路轉(zhuǎn)換為一基準(zhǔn)充電晶體管控制信號以及一基準(zhǔn)放電晶體管控制信號后方供應(yīng)給該組基準(zhǔn)充電與放電晶體管以及上述多組轉(zhuǎn)換率控制電路使用。
9.如權(quán)利要求8所述的電子芯片，其中所述轉(zhuǎn)換率控制電路各自包括 一第一輸出端以及一第二輸出端，輸出上述一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號； 一反相電路，將該輸出腳位的信號轉(zhuǎn)換為一反相輸出信號以及一延遲輸出信號；一第一開關(guān)，隨著該反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號至該第一輸出端；一第二開關(guān)，隨著該延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號至該第二輸出端；一第三開關(guān)，隨著該延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第一輸出端至一電源；以及一第四開關(guān)，隨著該反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第二輸出端至一接地端， 其中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路的所述反相電路具有不同的延遲效應(yīng)。
10.如權(quán)利要求9所述的電子芯片，其中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路的所述反相電路各自包括一第一反相器，具有一輸入端耦接該輸出腳位、且具有一輸出端提供上述反相輸出信號；以及一第二反相器，具有一輸入端耦接該第一反相器上述輸出端，且具有一輸出端提供上述延遲輸出信號，其中，上述第一以及第二反相器的延遲貢獻(xiàn)上述延遲效應(yīng)。
11.如權(quán)利要求10所述的電子芯片，其中，關(guān)于各個(gè)上述轉(zhuǎn)換率控制電路該第一開關(guān)以一第一傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第一傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第一傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該延遲輸出信號；該第二開關(guān)以一第二傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第二傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第二傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該反相輸出信號；該第三開關(guān)以一第三傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第三傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第三傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該反相輸出信號；且該第四開關(guān)以一第四傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第四傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第四傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該延遲輸出信號。
12.如權(quán)利要求10所述的電子芯片，其中，上述所述反相電路各自還包括一可變電阻， 耦接在該輸出腳位與上述第一反相器的上述輸入端之間，用于調(diào)整上述延遲效應(yīng)，其中，關(guān)于各個(gè)上述轉(zhuǎn)換率控制電路包含下列電路該第一開關(guān)以一第一傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第一傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第一傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該延遲輸出信號；該第二開關(guān)以一第二傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第二傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第二傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該反相輸出信號；該第三開關(guān)以一第三傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第三傳輸門一正相控制端耦接該延遲輸出信號， 且該第三傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該反相輸出信號；且該第四開關(guān)以一第四傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第四傳輸門一正相控制端耦接該反相輸出信號， 且該第四傳輸門一反相控制端耦接對應(yīng)的該延遲輸出信號。
13.一種具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片，包括多個(gè)轉(zhuǎn)換率控制電路，根據(jù)該電子芯片的一輸出級輸入信號以及該電子芯片一輸出腳位上的信號產(chǎn)生多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號；以及耦接該輸出腳位的多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管，由上述多組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號分別控制，以充/放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容，其中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路是基于該負(fù)載電容的大小選擇性致能。
14.如權(quán)利要求13所述的電子芯片，還包括耦接該輸出腳位的一組基準(zhǔn)充電與放電晶體管，根據(jù)該輸出級輸入信號充/放電上述負(fù)載電容；以及一前驅(qū)動電路，且上述輸出級輸入信號是經(jīng)由該前驅(qū)動電路轉(zhuǎn)換為一基準(zhǔn)充電晶體管控制信號以及一基準(zhǔn)放電晶體管控制信號后方供應(yīng)給該組基準(zhǔn)充電與放電晶體管以及上述多組轉(zhuǎn)換率控制電路使用。
15.如權(quán)利要求14所述的電子芯片，其中所述轉(zhuǎn)換率控制電路各自包括 一第一輸出端以及一第二輸出端，輸出上述一組轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號；一反相電路，在一致能信號致能下將該輸出腳位的信號轉(zhuǎn)換為一第一反相輸出信號、 一第一延遲輸出信號、一第二反相輸出信號以及一第二延遲輸出信號；一第一開關(guān)，隨著該第一反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)充電晶體管控制信號至該第一輸出端；一第二開關(guān)，隨著該第二延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該基準(zhǔn)放電晶體管控制信號至該第二輸出端；一第三開關(guān)，隨著該第一延遲輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第一輸出端至一電源；以及一第四開關(guān)，隨著該第二反相輸出信號導(dǎo)通，用以耦接該第二輸出端至一接地端。
16.如權(quán)利要求15所述的電子芯片，其中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路的所述反相電路各自包括一第一反相器，具有一輸入端耦接上述致能信號，且具有一輸出端； 一或非門，具有一第一輸入端耦接該輸出腳位、一第二輸入端耦接該第一反相器的該輸出端，且具有一輸出端提供上述第一反相輸出信號；一第二反相器，具有一輸入端耦接該或非門的該輸出端，且具有一輸出端提供上述第一延遲輸出信號；一與非門，具有一第一輸入端耦接該輸出腳位、一第二輸入端耦接上述致能信號，且具有一輸出端提供上述第二反相輸出信號；以及一第三反相器，具有一輸入端耦接該與非門的該輸出端，且具有一輸出端提供上述第二延遲輸出信號。
17.如權(quán)利要求16所述的電子芯片，其中，所述轉(zhuǎn)換率控制電路的所述反相電路各自還包括一可變電阻，其一端耦接在該輸出腳位，其另一端耦接在上述與非門的第一輸入端與上述或非門的第一輸入端，用于調(diào)整上述延遲效應(yīng)。
18.如權(quán)利要求15所述的電子芯片，其中，關(guān)于各個(gè)上述轉(zhuǎn)換率控制電路該第一開關(guān)以一第一傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第一傳輸門一正相控制端耦接上述或非門的上述輸出端，且該第一傳輸門一反相控制端耦接上述第二反相器的上述輸出端；該第二開關(guān)以一第二傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第二傳輸門一正相控制端耦接上述第三反相器的上述輸出端，且該第二傳輸門一反相控制端耦接上述與非門的上述輸出端；該第三開關(guān)以一第三傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第三傳輸門一正相控制端耦接上述第二反相器的上述輸出端，且該第三傳輸門一反相控制端耦接上述或非門的上述輸出端；且該第四開關(guān)以一第四傳輸門實(shí)現(xiàn)，該第四傳輸門一正相控制端耦接上述與非門的上述輸出端，且該第四傳輸門一反相控制端耦接上述第三反相器的上述輸出端。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種具有輸出信號轉(zhuǎn)換率控制的電子芯片，包括一轉(zhuǎn)換率控制電路以及耦接該電子芯片一輸出腳位的轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管。根據(jù)該電子芯片一輸出級輸入信號以及該輸出腳位上的信號，轉(zhuǎn)換率控制電路產(chǎn)生轉(zhuǎn)換率控制充電與放電信號分別操控上述轉(zhuǎn)換率控制充電與放電晶體管充/放電該輸出腳位所耦接的負(fù)載電容。
文檔編號H03B19/00GK102522950SQ20121000300
公開日2012年6月27日 申請日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月6日
發(fā)明者盧武宏 申請人:美商威睿電通公司