本發(fā)明涉及薄膜體聲波濾波器（FBAR），尤其涉及薄膜體聲波濾波器（FBAR）的小型化封裝技術(shù)，屬于聲波濾波器技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前，薄膜體聲波濾波器（FBAR）的小型化封裝均采用灌封樹脂封裝的封裝形式。未來對于微型化的封裝要求更高，灌封樹脂對于污染問題很難控制。而薄膜體聲波濾波器對工作表面要求很高，不能被污染。因此灌封樹脂的封裝形式難以滿足實(shí)際使用需要。也有采用陶瓷外殼平行焊接的封裝結(jié)構(gòu)，即在外殼上制作出一個深腔結(jié)構(gòu)，將裸芯片粘接于深腔內(nèi)，并通過引線與外部電極電連接，然后向深腔內(nèi)充入氮?dú)庖灾脫Q其內(nèi)的空氣，最后通過蓋板將深腔封閉即可。雖然這樣的封裝結(jié)構(gòu)滿足器件不能被污染的要求，但至少存在以下兩方面不足：1、器件難以小型化，目前最小的陶瓷外殼為1.6mmX1.2mm且厚度都在1mm以上，在未來的移動設(shè)備中無法使用，僅能使用在基站中，應(yīng)用場合受到很大影響；2、加工效率低，由于每個器件需要分別加工，且為了使芯片處于潔凈不被污染的環(huán)境存在氮?dú)馀c空氣的置換，故封裝效率比較低下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，本發(fā)明的目的是提供一種確保芯片不被污染、能夠?qū)崿F(xiàn)微型化且加工效率提高的薄膜體聲波濾波器封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種薄膜體聲波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和芯片，基板和芯片上設(shè)有對應(yīng)的電極，所述芯片電極通過倒裝焊由金球與基板電極對應(yīng)連接，在基板表面粘接固定有膜層，所述膜層緊貼于基板表面并同時包裹住芯片，在芯片和基板之間形成真空腔。

所述膜層為粘片膜和樹脂膜。

一種薄膜體聲波濾波器封裝方法，本薄膜體聲波濾波器具有前述的封裝結(jié)構(gòu)，具體封裝步驟如下：

1）在基板上根據(jù)需要封裝的芯片數(shù)量劃分芯片封裝區(qū)域，每個區(qū)域?qū)?yīng)一個待封裝芯片；在每個區(qū)域設(shè)置與芯片電極對應(yīng)的基板電極；

2）分別將待封裝芯片上的電極通過倒裝焊工藝焊接在基板對應(yīng)區(qū)域的對應(yīng)電極上；

3）通過真空貼膜工藝將保護(hù)膜貼裝于基板上并包裹住所有芯片，在每個芯片和基板之間形成真空腔；

4）通過加溫使保護(hù)膜粘接固化，從而使保護(hù)膜分別與基板和芯片固定連接；

5）將基板按封裝區(qū)域切割得到切割單元，每個切割單元由對應(yīng)封裝區(qū)域的基板及其上的芯片和保護(hù)膜構(gòu)成，該切割單元即構(gòu)成一個薄膜體聲波濾波器。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明用倒裝焊將聲表面波濾波器裸芯片焊接在基板上，通過真空壓力將樹脂膜或者粘片膜貼裝于基板上包裹住裸芯片，通過這樣的手段，使器件內(nèi)部與外部形成了隔絕的兩個部分，從而保護(hù)裸芯片表面不被污染以及密封的效果，保護(hù)了聲表面波器件的工作面，使器件可以正常工作。

2、本發(fā)明可以在同一塊基板上一次性加工出多個器件，最后再切割成單個器件，因此比傳統(tǒng)的單個封裝工藝封裝效率明顯提高。

3、本發(fā)明拋棄了原有技術(shù)中的陶瓷外殼，可以實(shí)現(xiàn)裸芯片的直接封裝，封裝效率（芯片面積/封裝面積）可以達(dá)到50%以上，而且厚度方面可以控制在0.6mm以下，實(shí)現(xiàn)了器件的微型化。

附圖說明

圖1-本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2-本封裝方法基板切割前的形態(tài)圖。

圖3-粘片膜封裝后爆炸圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。

參見圖1和圖3，從圖上可以看出，本發(fā)明薄膜體聲波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，包括基板1和芯片2，基板和芯片上設(shè)有對應(yīng)的電極，所述芯片電極通過倒裝焊工藝由金球3與基板電極對應(yīng)連接。在基板1表面粘接固定有膜層4，所述膜層4緊貼于基板1表面并同時包裹住芯片2，在芯片2和基板1之間形成真空腔5。

本發(fā)明薄膜體聲波濾波器封裝方法，本薄膜體聲波濾波器具有前述的封裝結(jié)構(gòu)，具體封裝步驟如下：

1）在基板上根據(jù)需要封裝的芯片數(shù)量劃分芯片封裝區(qū)域，每個區(qū)域?qū)?yīng)一個待封裝芯片；在每個區(qū)域設(shè)置與芯片電極對應(yīng)的基板電極；芯片封裝區(qū)域呈矩陣設(shè)置；

2）分別將待封裝芯片上的電極通過倒裝焊工藝焊接在基板對應(yīng)區(qū)域的對應(yīng)電極上；

3）通過真空貼膜工藝將保護(hù)膜貼裝于基板上并包裹住所有芯片，在每個芯片和基板之間形成真空腔；

4）通過加溫使保護(hù)膜粘接固化，從而使保護(hù)膜分別與基板和芯片固定連接；該步驟得到的產(chǎn)品形態(tài)見圖2；

5）將基板按封裝區(qū)域切割得到切割單元，每個切割單元由對應(yīng)封裝區(qū)域的基板及其上的芯片和保護(hù)膜構(gòu)成，該切割單元即構(gòu)成一個薄膜體聲波濾波器。

本發(fā)明采用特定材料的膜層和封裝工藝才能得到這樣的封裝結(jié)構(gòu)。所述膜層材質(zhì)為粘片膜和樹脂膜。這類膜材料具有熱固化性，在一定溫度下，該材料軟化成為“果凍狀”，并在壓力的作用下可以按照設(shè)計的形狀進(jìn)行塑形；進(jìn)一步提高溫度，該材料會逐步固化，并保持塑形以后的形狀，正是基于該特點(diǎn)，才可以用于本封裝工藝，形成本封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明聲表面波器件裸芯片通過金球倒裝焊在基板上，形成一個臺階狀的結(jié)構(gòu)，臺階底部與基板間存在縫隙，使用真空貼膜工藝，使保護(hù)膜沿器件上表面形成一個包裹層，貼膜后該間隙形成真空腔。

由于聲表面波器件的工作區(qū)域不能污染，因此在器件倒裝焊接后需要將倒裝焊接后形成的空腔保護(hù)起來。本發(fā)明采用保護(hù)膜進(jìn)行封裝將其作為一個保護(hù)層以阻止后續(xù)封裝材料侵入空腔。采用倒裝焊技術(shù)將聲表面波濾波器裸芯片焊接在基板上，通過真空壓力將保護(hù)膜貼裝于基板上并包裹住裸芯片，從而保護(hù)裸芯片表面不被污染以及密封的效果。由于貼膜是在真空環(huán)境下進(jìn)行，因此器件的水汽含量能夠得到保證。

本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其他不同形式的變化和變動。這里無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。