1.一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，包括交流輸入模塊(101a)、差模/共模模塊(101a1)、整流模塊(101b)、π型濾波模塊(101c)、LC諧振模塊(101d)、IGBT模塊(102)、同步模塊(103)、電壓采樣模塊(104)、開關電源取電模塊(105a)以及中央處理器MCU(106)；所述π型濾波模塊(101c)的輸入端與所述整流模塊(101b)的輸出端連接，所述π型濾波模塊(101c)包括并聯于整流模塊(101b)輸出端的用于吸收電路中的干擾的第一電容C1、設于第一電容C1與第二電容C2中間的串聯在電路中的第二電感L2。
2.根據權利要求1所述一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，所述π型濾波模塊(101c)中所述第二電感L2的一端與整流模塊(101b)的輸出端串聯連接，所述第二電感L2的另一端與所述第二電容C2相連接。
3.根據權利要求2所述一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，所述交流輸入模塊(101a)分別與所述電壓采樣模塊(104)和所述差模/共模模塊(101a1)的輸入端連接。
4.根據權利要求3所述一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，所述差模/共模模塊(101a1)的輸出端分別與所述整流模塊(101b)的輸入端和開關電源取電模塊(105)連接，所述整流模塊(101b)的輸出端與所述π型濾波模塊(101c)的輸入端連接。
5.根據權利要求4所述一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，所述LC諧振模塊(101d)連接在所述濾波模塊(101c)與所述IGBT模塊(102)之間，所述LC諧振模塊(101d)的輸出端與所述同步模塊(103)的輸入端連接，所述電壓采樣模塊(104)的輸出端與所述MCU(106)的輸入端連接，所述同步模塊(103)的輸出端與所述MCU(106)的輸入端連接。
6.根據權利要求1-5中任何一項所述一種低待機功耗EMC電路的電磁加熱設備，其特征在于，所述電磁加熱設備包括電磁加熱爐，電磁加熱鍋和電磁 加熱壺。