本實用新型屬于IC芯片封裝技術領域，尤其涉及IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結構。

背景技術：

COB為Chip On Board的縮寫，即板上芯片器，工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接.

傳統LED燈珠COB產品，在做成成品燈具后需要外接恒流源或者恒壓源，將交流電轉換為驅動LED發光的直流電源。LED在正常工作的同時會遇到以下情況：

1.電源在工作時，轉換效率直接會影響整燈的效率，市場上的電源絕大部分的轉換效率為75-85％。

2.隨著目前照明市場部分燈具對體積不斷縮小、價格的降低、高轉換效率的要求，需要非隔離方案，提高轉換效率，縮減的體積逐漸，滿足不同戶的需要但產品的，但適應性較差，僅適用于單一規格瓦數，設計的LED燈珠瓦數變更時，需更設計和更換陶瓷基板，造成資源浪費。

技術實現要素：

為要解決的上述問題，針對以上問題，本實用新型提供IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結構，可以適用于多種瓦數，有效的解決因為瓦數不同導致多種陶瓷基板的情況，達到合理高效統一的目的。

本實用新型的技術方案：IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結構，包括驅動電路和基板結構，所述驅動電路設置在所述基板結構上，所述驅動電路包括電源、橋式整流器、采樣調整電路和IC驅動芯片，所述電源與橋式整流器連接整流，所述橋式整流器與所述采樣調整電路連接，所述采樣調整電路與所述IC驅動芯片連接，所述橋式整流器接地，所述橋式整流器與所述采樣調整電路間設置電容C1進行濾波，所述電容C1另一端接地，所述IC驅動芯片通過Vdd端口與電容C2連接，所述電容C2另一端接地；

所述采樣調整電路包括采樣電阻R1、R2和R3、調節電阻R4，開關SW0、SW1、SW2、SW3和外部電阻Rset，所述采樣電阻R1、R2和R3串聯，采樣電阻R3接地，所述調節電阻R4與所述采樣電阻R1、R2和R3并聯，所述采樣電阻R1、R2和R3串聯和所述調節電阻R4均與所述IC驅動芯片連接，所述IC驅動芯片通過Iset端口與外部電阻Rset連接，所述外部電阻Rset另一端接地,所述IC驅動芯片通過G端口接地，所述IC驅動芯片通端口與開關SW0、SW1、SW2、SW3連接。

所述基板結構包括基板、蝕刻線路、LED發光芯片放置區、驅動芯片放置區、元件焊接放置區、接觸點，所述基板內置所述蝕刻線路，所述LED發光芯片放置區、所述驅動芯片放置區、所述元件焊接放置區、所述接觸點均設置在所述基板上，所述LED發光芯片放置區內放置多個LED發光芯片，所述驅動芯片放置區放置有IC驅動芯片，所述電源通過橋式整流器經過蝕刻線路與所述IC驅動芯片連接，所述LED發光芯片放置區外設置導通線路區,所述元件焊接放置區為多個，每個所述焊接放置區的周邊設置接觸點，所述蝕刻線路連通所述元件焊接放置區，所述蝕刻線路匯總區連接地線。

所述元件焊接放置區和所述接觸點上均設置鍍銀層，所述鍍銀層為0.1-0.5mm，所述LED發光芯片放置區內放置多個LED發光芯片的10-18W，所述元件焊接放置區放置元器件，所述元器件為多個均與所述IC驅動芯片連接，所述基板為陶瓷基板。

所述基板的尺寸30mm x30mm，所述采樣電阻R1、R2和R3為2.0-4.0兆歐，所述調節電阻R4為10-20千歐，所述外部電阻Rset為80-200千歐。

本實用新型的有益效果：設計合理，通過IC驅動芯片，檢測經整流的220v的交流市電電壓，來調控通過LED的電流，使得通過LED的電流在相位和輸入電壓是一致的，實現了高功率因數和高效率。LED發光體部分無需外部偏置電路，可直接用市電驅動，大量的節省了外部元器件，系統應用及其簡單。

附圖說明

圖1是本實用新型的驅動電路的電路圖。

圖2是本實用新型的基板結構示意圖。

圖中，1、基板，2、蝕刻線路，3、LED發光芯片放置區，4、驅動芯片放置區，5、元件焊接放置區，6、接觸點，7、LED發光芯片，8、IC驅動芯片，9、導通線路區，10、蝕刻線路匯總區、11、電源，12、基板結構，13、橋式整流器，14、采樣調整電路。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做出說明。

IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結構，包括驅動電路和基板結構，驅動電路設置在基板結構上，驅動電路包括電源、橋式整流器、采樣調整電路和IC驅動芯片，電源與橋式整流器連接整流，橋式整流器與采樣調整電路連接，采樣調整電路與IC驅動芯片連接，橋式整流器接地，橋式整流器與采樣調整電路間設置電容C1進行濾波，電容C1另一端接地，IC驅動芯片通過Vdd端口與電容C2連接，電容C2另一端接地，

采樣調整電路包括采樣電阻R1、R2和R3、調節電阻R4，開關SW0、SW1、SW2、SW3和外部電阻Rset，采樣電阻R1、R2和R3串聯，采樣電阻R3接地，調節電阻R4與采樣電阻R1、R2和R3并聯，采樣電阻R1、R2和R3串聯和調節電阻R4均與IC驅動芯片連接，IC驅動芯片通過Iset端口與外部電阻Rset連接，外部電阻Rset另一端接地,IC驅動芯片通過G端口接地，IC驅動芯片通端口與開關SW0、SW1、SW2、SW3連接。

基板結構包括基板、蝕刻線路、LED發光芯片放置區、驅動芯片放置區、元件焊接放置區、接觸點，基板內置蝕刻線路，LED發光芯片放置區、驅動芯片放置區、元件焊接放置區、接觸點均設置在基板上，LED發光芯片放置區內放置多個LED發光芯片，驅動芯片放置區放置有IC驅動芯片，電源通過橋式整流器經過蝕刻線路與IC驅動芯片連接，LED發光芯片放置區外設置導通線路區,元件焊接放置區為多個，每個焊接放置區的周邊設置接觸點，蝕刻線路連通元件焊接放置區，蝕刻線路匯總區連接地線。

元件焊接放置區和接觸點上均設置鍍銀層，鍍銀層為0.1-0.5mm，LED發光芯片放置區內放置多個LED發光芯片的10-18W，元件焊接放置區放置元器件，元器件為多個均與驅動芯片連接，基板為陶瓷基板。

基板的尺寸30mm x30mm，采樣電阻R1、R2和R3為2.0-4.0兆歐，調節電阻R4為10-20千歐，外部電阻Rset為80-200千歐。

使用例：圖1是本實用新型的驅動電路的電路圖，電源經橋式整流器整流后的220VAC市電直接加到IC驅動芯片上，采樣電阻R1、R2和R3對交流市電進行采樣。采樣到的電壓經過IC內部電路判斷處理，打開對應的開關SW0～SW3。通過開關SW0～SW3的電流和電流I0～I3各自分別對應，并且I0到I3電流呈臺階上升，在相位上和220V AC市電一致，實現了高達98％的功率因數。在不同階段上點亮發光芯片，從而大大提高整燈的效率。

把所有把傳統意義上使用的外置電源的元器件同LED發光體設計到一個平面上，LED發光體由多個LED發光芯片組成，陶瓷基板內置蝕刻線路，陶瓷基板的尺寸30mm x30mm，線路設計的尺寸，最大限度的解決電流在傳輸過程散熱的問題LED發光芯片放置區域內放置多個LED發光芯片為10-18W，根據客戶的需求進行調整，可以根據客戶的要求最大做到18W，同時元件焊接放置區內放置的每個元器件周邊都專門設計的接觸點，

燈珠在點亮過程中隨時對各個元器件參數，很好的了解燈珠的工作狀態，進行量測元器件為電容和電阻，電阻包擴采樣電阻和外部電阻，采樣電阻R1、R2、R3為2.0-4.0兆歐，調節電阻R4為10-20千歐，外部電阻Rset為80-200千歐，可根據LED發光芯片工作時，接觸點測得的參數，調整確定各個元器件達到最佳工況。

IC集成封裝工藝流程

主要包括固晶-烘烤-焊線-點圍壩膠-烘烤-封裝-烘烤-焊接元器件

各個工藝步驟：

1.固晶：藍色芯片為水平結構，固晶根據客戶實際需求小功率可以用絕緣膠，較大大功率可選擇銀膠或者導熱硅膠。

2.烘烤：通常為120℃1.5hrs，可根據實際使用的物料進行調整烘烤時間。

3.焊線：使用99.99％金線。

4.點圍壩膠：控制好機器運轉的速度和出膠的時間，保證膠水和基板充分結合無縫隙，不能碰到芯片。

5.烘烤：根據使用不用硅膠的特性來設定烘烤時間，通常硅膠烘烤設置為三段式烘烤，防止膠水中殘留氣泡。

6.封裝：注意封裝時嚴格控制好作業手法及機臺設備參數不要有氣泡，雜物產生。

7.烘烤：根據實際使用的膠水特性來設計烘烤時間。

8.焊接元器件：注意使用錫膏不要過量，器件擺放方向正確，整齊。

與現有技術相比，本技術方案在傳統COB封裝的基礎上，通過自主研發設計該尺寸的陶瓷基板結合IC芯片，對該陶瓷基板的尺寸和內部蝕刻的線路進行設計，通過IC驅動芯片，檢測經整流的220v的交流市電電壓，來調控通過LED的電流，使得通過LED的電流在相位和輸入電壓是一致的，實現了高功率因數和高效率。LED發光體部分無需外部偏置電路，可直接用市電驅動，大量的節省了外部元器件，系統應用極其簡單，使得應用端設計的燈具外觀尺寸更加輕薄化，美觀化，同時使其適用的瓦數更廣，實現了一種模版可應用于多款燈珠，節約了生產成本。

以上對本實用新型的一個實例進行了詳細說明，但所述內容僅為本實用新型的較佳實施例，不能被認為用于限定本實用新型的實施范圍。凡依本實用新型申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本實用新型的專利涵蓋范圍之內。