本發(fā)明涉及電路板加工
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種電路板填膠方法、設(shè)備、系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：層壓是電路板生產(chǎn)流程中的關(guān)鍵一環(huán)，電路板的壓合品質(zhì)對(duì)后工序的制作以及產(chǎn)品的可靠性有直接影響。在使用半固化片進(jìn)行填膠時(shí)，一般保證半固化片的總膠量與線路間隙所需膠量之差大于等于某一設(shè)定值即可。但是，由于圖形分布均勻性的問題，線路分布稀疏區(qū)域所需的填膠量遠(yuǎn)大于線路分布密集區(qū)域所需的填膠量。尤其對(duì)于具有大面積無銅區(qū)的電路板，在滿足上述整板殘銅率要求的情況下也有可能出現(xiàn)局部缺膠的問題，造成層壓分層、空洞或白斑等缺陷，影響產(chǎn)品質(zhì)量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，本發(fā)明在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種電路板填膠方法、設(shè)備、系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。一種電路板填膠方法，包括以下步驟：提供pcb板及總膠量為p的半固化片；獲取pcb板上無銅區(qū)的面積s1及要求的整板殘銅率c1；根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2；計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小，若c1≥c2，則使用該半固化片進(jìn)行填膠。上述電路板填膠方法，通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，根據(jù)獲取的pcb板上無銅區(qū)的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。進(jìn)一步地，若c1＜c2，則更換總膠量p更大的半固化片，并重復(fù)上述步驟直至c1≥c2。對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1＜c2，則說明半固化片的總膠量p不充分，此時(shí)調(diào)整半固化片的總膠量p并重復(fù)上述步驟直至c1≥c2，能夠避免造成層壓分層、空洞或白斑等缺陷。進(jìn)一步地，若c1＜c2，則在無銅區(qū)上進(jìn)行鋪銅。對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1＜c2，則說明半固化片的總膠量p不充分，此時(shí)在無銅區(qū)上進(jìn)行鋪銅，能夠避免造成層壓分層、空洞或白斑等缺陷。具體地，若無銅區(qū)為多個(gè)，則選取面積最大的無銅區(qū)的面積作為所述面積s1。如此，能夠選取最具有代表性的無銅區(qū)進(jìn)行計(jì)算，實(shí)現(xiàn)處理速度的提高。具體地，所述根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，包括以下步驟：提供多個(gè)相同的試驗(yàn)pcb板，所述試驗(yàn)pcb板上具有多個(gè)面積不同的試驗(yàn)無銅區(qū)；提供多個(gè)總膠量不同的試驗(yàn)半固化片，多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)進(jìn)行填膠，壓合后分別獲取各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積；利用各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積擬合得出預(yù)估數(shù)學(xué)模型；將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2。利用多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)填膠壓合后得到的各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，從而得出關(guān)于半固化片的總膠量p和流膠面積s2的預(yù)估數(shù)學(xué)模型。將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型即可得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，處理效率高。本發(fā)明還提供一種電路板填膠設(shè)備，包括：獲取單元，用于獲取pcb板上無銅區(qū)的面積s1及要求的整板殘銅率c1；運(yùn)算單元，用于根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2；計(jì)算單元，用于計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較單元，用于比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述電路板填膠設(shè)備，運(yùn)算單元通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，計(jì)算單元根據(jù)獲取單元獲取的pcb板上無銅區(qū)的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，比較單元再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述運(yùn)算單元包括第一運(yùn)算單元及第二運(yùn)算單元；第一運(yùn)算單元，用于利用各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積擬合得出預(yù)估數(shù)學(xué)模型；第二運(yùn)算單元，用于將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2。第一運(yùn)算單元利用多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)填膠壓合后得到的各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，從而得出關(guān)于半固化片的總膠量p和流膠面積s2的預(yù)估數(shù)學(xué)模型。第二運(yùn)算單元將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型即可得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，處理效率高。本發(fā)明還提供一種電路板填膠系統(tǒng)，包括：獲取單元、運(yùn)算單元、計(jì)算單元、比較單元及控制器；控制器，所述控制器包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)以下步驟：獲取單元獲取pcb板上無銅區(qū)的面積s1及要求的整板殘銅率c1；運(yùn)算單元根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2；計(jì)算單元計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較單元比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述電路板填膠系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)，運(yùn)算單元通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，計(jì)算單元根據(jù)獲取單元獲取的pcb板上無銅區(qū)的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，比較單元再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)以下步驟：獲取pcb板上無銅區(qū)的面積s1及要求的整板殘銅率c1；根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠面積s2；計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)，通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠面積s2，根據(jù)獲取的pcb板上無銅區(qū)的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述的電路板的填膠示意圖。附圖標(biāo)記說明：10、pcb板，20、無銅區(qū)，30、流膠。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。結(jié)合圖1所示，本實(shí)施例所述的電路板填膠方法，包括以下步驟：s100：提供pcb板10及總膠量為p的半固化片；s200：獲取pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1及要求的整板殘銅率c1；具體地，若無銅區(qū)20為多個(gè)，則選取面積最大的無銅區(qū)20的面積作為所述面積s1。如此，能夠選取最具有代表性的無銅區(qū)20進(jìn)行計(jì)算，實(shí)現(xiàn)處理速度的提高。s300：根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2；具體地，所述根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，包括以下步驟：提供多個(gè)相同的試驗(yàn)pcb板，所述試驗(yàn)pcb板上具有多個(gè)面積不同的試驗(yàn)無銅區(qū)；提供多個(gè)總膠量不同的試驗(yàn)半固化片，多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)進(jìn)行填膠，壓合后分別獲取各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積；利用各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積擬合得出預(yù)估數(shù)學(xué)模型；將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2。利用多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)填膠壓合后得到的各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，從而得出關(guān)于半固化片的總膠量p和流膠30面積s2的預(yù)估數(shù)學(xué)模型。將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型即可得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，處理效率高。s400：計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；s500：比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小，若c1≥c2，則使用該半固化片進(jìn)行填膠。上述電路板填膠方法，通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，根據(jù)獲取的pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。s600：若c1＜c2，則更換總膠量p更大的半固化片，并重復(fù)上述步驟直至c1≥c2。對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1＜c2，則說明半固化片的總膠量p不充分，此時(shí)調(diào)整半固化片的總膠量p并重復(fù)上述步驟直至c1≥c2，能夠避免造成層壓分層、空洞或白斑等缺陷。s700：若c1＜c2，則在無銅區(qū)20上進(jìn)行鋪銅。對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1＜c2，則說明半固化片的總膠量p不充分，此時(shí)在無銅區(qū)20上進(jìn)行鋪銅，能夠避免造成層壓分層、空洞或白斑等缺陷。可以理解地是，步驟s600和步驟s700可以擇一施行，也可以同時(shí)施行，具體根據(jù)實(shí)際需要選擇。上述電路板填膠方法，通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，根據(jù)獲取的pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)施例還提供一種電路板填膠設(shè)備，包括：獲取單元，用于獲取pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1及要求的整板殘銅率c1；運(yùn)算單元，用于根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2；計(jì)算單元，用于計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較單元，用于比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述電路板填膠設(shè)備，運(yùn)算單元通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，計(jì)算單元根據(jù)獲取單元獲取的pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，比較單元再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。在本實(shí)施例中，所述運(yùn)算單元包括第一運(yùn)算單元及第二運(yùn)算單元；第一運(yùn)算單元，用于利用各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積擬合得出預(yù)估數(shù)學(xué)模型；第二運(yùn)算單元，用于將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2。第一運(yùn)算單元利用多個(gè)試驗(yàn)半固化片與多個(gè)試驗(yàn)pcb板一一對(duì)應(yīng)填膠壓合后得到的各個(gè)試驗(yàn)無銅區(qū)的流膠面積數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，從而得出關(guān)于半固化片的總膠量p和流膠30面積s2的預(yù)估數(shù)學(xué)模型。第二運(yùn)算單元將半固化片的總膠量p代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型即可得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，處理效率高。本實(shí)施例還提供一種電路板填膠系統(tǒng)，包括：獲取單元、運(yùn)算單元、計(jì)算單元、比較單元及控制器；控制器，所述控制器包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)以下步驟：獲取單元獲取pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1及要求的整板殘銅率c1；運(yùn)算單元根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2；計(jì)算單元計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較單元比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述電路板填膠系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)，運(yùn)算單元通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，計(jì)算單元根據(jù)獲取單元獲取的pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，比較單元再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)以下步驟：獲取pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1及要求的整板殘銅率c1；根據(jù)半固化片的總膠量p，得出與該半固化片的總膠量p對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2；計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝1-s1/(s1+s2)；比較整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小。上述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)，通過半固化片的總膠量p得出對(duì)應(yīng)的流膠30面積s2，根據(jù)獲取的pcb板10上無銅區(qū)20的面積s1計(jì)算出與該無銅區(qū)20對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2，再對(duì)整板殘銅率c1與局部殘銅率c2的大小進(jìn)行比較，若c1≥c2，則說明半固化片的總膠量p充分。使用該半固化片進(jìn)行填膠就能夠避免電路板出現(xiàn)局部缺膠的問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量。下面通過一個(gè)具體的實(shí)施例驗(yàn)證本實(shí)施例電路板填膠方法的可行性：本實(shí)施例采用底銅厚度為105μm的pcb板及規(guī)格為1080+3313的半固化片，其對(duì)應(yīng)的總膠量為45μm。pcb板上的無銅區(qū)為8個(gè)，8個(gè)無銅區(qū)均為圓形區(qū)域，8個(gè)無銅區(qū)的半徑r分別是5mm、10mm、15mm、20mm、30mm、40mm、60mm、70mm。要求的整板殘銅率c1為61％。將半固化片的總膠量45μm代入預(yù)估數(shù)學(xué)模型，得出對(duì)應(yīng)的流膠面積s2＝π(38.1+r)2-πr2。計(jì)算出與8個(gè)無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝＝1-πr2/π(38.1+r)2，結(jié)果如下表所示；無銅區(qū)半徑r(mm)510152030406070局部殘銅率c2(％)98.695.792.088.180.573.762.558.0實(shí)際壓合發(fā)現(xiàn)，無銅區(qū)半徑r≤60mm的無銅區(qū)壓合后品質(zhì)良好，沒有出現(xiàn)層壓分層、空洞或白斑等缺陷。而無銅區(qū)半徑r＝70mm的無銅區(qū)壓合后出現(xiàn)層壓分層、空洞和白斑等缺陷，半固化片的總膠量45μm不能滿足該無銅區(qū)的填膠需求。經(jīng)比較，由于半徑r＝70mm的無銅區(qū)對(duì)應(yīng)的局部殘銅率c2＝58％，而要求的整板殘銅率c1為61％，即c1＜c2，說明半固化片的總膠量45μm不充分，該結(jié)論與實(shí)際壓合結(jié)果符合。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁12