示例實施方式涉及半導體器件。具體地，示例實施方式涉及包括柵極結構的半導體器件。

背景技術：

1、半導體器件可以包括設置在有源鰭上的柵極結構。柵極結構可以包括包含金屬的電極。由于設置在柵極結構下方的有源鰭的影響，可能出現柵極結構斷裂的缺陷。

技術實現思路

1、示例實施方式提供了包括柵極結構的半導體器件。

2、根據示例實施方式，提供了一種半導體器件。該半導體器件可以包括：在襯底的上部的柵極溝槽，柵極溝槽沿第一方向延伸；在柵極溝槽中彼此間隔開的第一有源鰭，每個第一有源鰭從柵極溝槽的底部突出，每個第一有源鰭的上表面具有第一垂直水平；在柵極溝槽中的第二有源鰭，第二有源鰭從柵極溝槽的底部突出，第二有源鰭的上表面具有高于第一垂直水平的第二垂直水平，其中，在第一方向上從第二有源鰭到柵極溝槽的端部的距離小于在第一方向上從第一有源鰭到柵極溝槽的端部的距離；隔離圖案，填充柵極溝槽的下部以暴露第一有源鰭和第二有源鰭的上側壁和頂表面；以及在柵極溝槽中在隔離圖案上的柵極結構，柵極結構填充柵極溝槽，其中，柵極結構的與第一有源鰭的上部重疊的第一部分具有第一堆疊結構，第一堆疊結構包括柵極絕緣層、第一電極和第一蓋層圖案，其中，柵極結構的與第二有源鰭的上部重疊的第二部分具有第二堆疊結構，第二堆疊結構包括柵極絕緣層、第二電極和第二蓋層圖案，以及其中，第二電極的垂直高度大于第一電極的垂直高度。

3、根據示例實施方式，提供了一種半導體器件。該半導體器件可以包括：襯底，包括單元陣列區域和與單元陣列區域的邊緣相鄰的界面區域；在單元陣列區域的襯底上的第一有源圖案和在相鄰的第一有源圖案之間的第一溝槽中的第一隔離圖案；在襯底的界面區域上的第二隔離圖案，第二隔離圖案設置在第二溝槽中，第二溝槽具有比第一溝槽的內部寬度大的內部寬度；柵極溝槽，穿過第一有源圖案、第一隔離圖案和第二隔離圖案的上部，柵極溝槽沿第一方向從單元陣列區域延伸到界面區域；第一有源鰭，在單元陣列區域上在柵極溝槽中彼此間隔開，每個第一有源鰭包括從第一隔離圖案突出的部分，從第一隔離圖案突出的所述部分具有第一垂直高度；在柵極溝槽中的第二有源鰭，第二有源鰭從第一隔離圖案和第二隔離圖案突出，其中，第二有源鰭的從第一隔離圖案和第二隔離圖案突出的部分具有大于第一垂直高度的第二垂直高度，以及其中，在第一方向上從第二有源鰭到柵極溝槽的端部的距離小于在第一方向上從第一有源鰭到柵極溝槽的端部的距離；以及柵極結構，在柵極溝槽內在第一隔離圖案和第二隔離圖案上并且填充柵極溝槽，其中，柵極結構的與第一有源鰭的上部重疊的第一部分具有第一堆疊結構，第一堆疊結構包括柵極絕緣層、第一電極和第一蓋層圖案，其中，柵極結構的與第二有源鰭的上部重疊的第二部分具有第二堆疊結構，第二堆疊結構包括柵極絕緣層、第二電極和第二蓋層圖案，以及其中，第二電極的垂直高度大于第一電極的垂直高度。

4、根據示例實施方式，提供了一種半導體器件。該半導體器件可以包括：從襯底突出的第一有源鰭，每個第一有源鰭的頂表面在第一垂直水平處；從襯底突出的第二有源鰭，第二有源鰭的頂表面在高于第一垂直水平的第二垂直水平處；在第一有源鰭上沿第一方向延伸的第一柵極結構，第一柵極結構具有第一堆疊結構，第一堆疊結構包括柵極絕緣層、第一電極和第一蓋層圖案；以及在第二有源鰭上的第二柵極結構，第二柵極結構接觸第一柵極結構在第一方向上的端部，第二柵極結構具有第二堆疊結構，第二堆疊結構包括柵極絕緣層、第二電極和第二蓋層圖案，其中，第一電極的最下表面與第二電極的最下表面共面，第二電極的上表面高于第一電極的上表面。

5、在根據示例實施方式的半導體器件中，柵極結構的與第二有源鰭重疊的第二部分中包括的第二電極的垂直高度大于柵極結構的與第一有源鰭重疊的第一部分中包括的第一電極的垂直高度。由于第二電極具有足夠的高度，因此可以減少在制造半導體器件的工藝期間第二電極斷裂的缺陷。

技術特征：

1.一種半導體器件，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一電極包括第一導電圖案和堆疊在所述第一導電圖案上的第二導電圖案，所述第一導電圖案包括第一金屬，所述第二導電圖案包括多晶硅，以及

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第三導電圖案的上表面低于所述第一導電圖案的上表面，并且所述第三導電圖案的所述上表面高于所述第二有源鰭的頂表面。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案的最下表面與所述第三導電圖案的最下表面共面。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第四導電圖案包括金屬材料。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一蓋層圖案的上表面與所述第二蓋層圖案的上表面共面。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一蓋層圖案的垂直高度大于所述第二蓋層圖案的垂直高度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極結構的所述第二部分與所述第二有源鰭的上部重疊并且在所述第一方向上延伸到所述柵極溝槽的所述端部。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極結構的所述第二部分與所述第二有源鰭的上部重疊，以及

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述第一方向上從所述第二有源鰭到所述柵極溝槽的所述端部的分隔距離大于相鄰的第一有源鰭之間的分隔距離以及在所述第一有源鰭之一和所述第二有源鰭之間的分隔距離中的每個。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述第一方向上在所述第二有源鰭和所述柵極溝槽的所述端部之間的所述隔離圖案的堆疊結構在形狀和材料中的至少之一方面與在所述第一有源鰭之間的所述隔離圖案的堆疊結構以及在所述第二有源鰭和相鄰的第一有源鰭之間的所述隔離圖案的堆疊結構中的每個不同。

12.一種半導體器件，包括：

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第一電極包括第一導電圖案和堆疊在所述第一導電圖案上的第二導電圖案，所述第一導電圖案包括第一金屬，所述第二導電圖案包括多晶硅，以及

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述第一金屬包括鈦氮化物。

15.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述第四導電圖案包括金屬材料。

16.根據權利要求13所述的半導體器件，進一步包括：

17.一種半導體器件，包括：

18.根據權利要求17所述的半導體器件，其中，所述第一電極包括第一導電圖案和堆疊在所述第一導電圖案上的第二導電圖案，所述第一導電圖案包括第一金屬，所述第二導電圖案包括多晶硅，以及

19.根據權利要求17所述的半導體器件，其中，所述第一電極包括第一導電圖案，所述第一導電圖案包括第一金屬，以及

20.根據權利要求17所述的半導體器件，其中，所述第一電極包括第一導電圖案和堆疊在所述第一導電圖案上的第二導電圖案，所述第一導電圖案包括第一金屬，所述第二導電圖案包括多晶硅，以及

技術總結
一種半導體器件包括：在襯底上沿第一方向延伸的柵極溝槽；從柵極溝槽的底部突出的第一有源鰭，每個第一有源鰭的上表面具有第一垂直水平；在柵極溝槽中的第二有源鰭；第二有源鰭的上表面具有高于第一垂直水平的第二垂直水平；以及在填充柵極溝槽的隔離圖案上的柵極結構。柵極結構的與第一有源鰭的上部重疊的第一部分包括第一電極。柵極結構的與第二有源鰭的上部重疊的第二部分包括第二電極。第二電極的垂直高度大于第一電極的垂直高度。

技術研發人員：金康仁,金炅桓
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28