本發明屬于封裝基板，具體涉及一種階梯金手指封裝基板的制備方法。

背景技術：

1、封裝基板是一種用于承載芯片的線路板，具有高密度、高精度、高性能、小型化及輕薄化的特點，可為芯片提供支撐、散熱和保護作用，同時也可以為芯片與線路板母板之間提供電器連接及物理支撐。

2、目前，封裝基板板上的獨立階梯金手指設計，無法通過其他層導體導通電流來實現圖形電鍍；業界一般采用拉電鍍引線方式導通電流來制作，而去除電鍍引線易形成過蝕，導致線路開路或變形，以及蝕刻不凈引起的尖端放電效應，導致封裝基板電信號質量變差。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種階梯金手指封裝基板的制備方法，本發明提供的制備方法能夠實現獨立階梯金手指的制作，且制備方法簡單，制得的階梯金手指封裝基板電信號質量優良，穩定性高。

2、為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

3、本發明提供了一種階梯金手指封裝基板的制備方法，包括以下步驟：

4、將雙面覆銅板制孔，得到導通孔，所述導通孔貫穿所述雙面覆銅板的兩表面；然后在所述導通孔的孔壁上沉銅，得到鍍銅通孔；最后進行整板電鍍，得到通孔鍍銅板；

5、在所述通孔鍍銅板的兩表面制備一次線路，所述一次線路包括與鍍銅通孔連通的第一線路和與鍍銅通孔不連通的第二線路，得到一次線路板；

6、在所述一次線路板的兩表面化學沉銅，在第一線路板的上表面得到第一銅導電層，在所述第一線路板的下表面得到第二銅導電層；

7、在所述第一銅導電層和第二銅導電層的表面使用干膜壓膜，然后將第一銅導電層和/或第二銅導電層表面的干膜依次進行曝光和顯影，暴露出階梯金手指區域，所述階梯金手指區域包括位于第一線路上的階梯金手指區域和位于第二線路上的階梯金手指區域，得到第一半成品；

8、在第一半成品的表面進行圖形電鍍，在階梯金手指區域得到梯度銅層，得到第二半成品；

9、將所述第二半成品依次進行退膜、退沉銅和除鈀，所述退沉銅為采用閃蝕的方法去除暴露的第一銅導電層和第二銅導電層，得到第三半成品；

10、將所述第三半成品的兩表面制備阻焊層，所述阻焊層暴露出所述第三半成品表面的梯度銅層和第三半成品表面的金手指區域，所述金手指區域包括位于第一線路上的金手指區域和位于第二線路上的金手指區域，得到第四半成品；

11、在所述第四半成品的表面暴露的梯度銅層和金手指區域表面依次制備ni層和au層，得到ni/au層，得到階梯金手指封裝基板。

12、優選的，所述壓膜時使用的干膜的厚度為30~100μm。

13、優選的，所述第一銅導電層和第二銅導電層的厚度為0.2~1μm。

14、優選的，所述一次線路的厚度為15~70μm。

15、優選的，所述梯度銅層的厚度為15~70μm。

16、優選的，所述雙面覆銅板的銅箔厚度為2~12μm；所述導通孔的孔壁上沉銅的厚度為0.2~1μm。

17、優選的，所述制孔采用機械鉆孔、co2激光鉆孔或uv激光鉆孔。

18、優選的，所述制孔采用co2激光鉆孔時，且所述雙面覆銅板的銅箔厚度≥12μm時，所述co2激光鉆孔之前，還包括：將所述雙面覆銅板進行棕化減銅處理；所述棕化減銅后雙面覆銅板的銅箔厚度為3~9μm。

19、優選的，所述一次線路的制備方法包括依次進行前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻和褪膜。

20、優選的，所述ni層的厚度為3~8μm；所述au層的厚度為0.02~0.4μm。

21、本發明提供了一種階梯金手指封裝基板的制備方法，包括以下步驟：將雙面覆銅板制孔，得到導通孔，所述導通孔貫穿所述雙面覆銅板的兩表面；然后在所述導通孔的孔壁上沉銅，得到鍍銅通孔；最后進行整板電鍍，得到通孔鍍銅板；在所述通孔鍍銅板的兩表面制備一次線路，所述一次線路包括與鍍銅通孔連通的第一線路和與鍍銅通孔不連通的第二線路，得到一次線路板；在所述一次線路板的兩表面化學沉銅，在第一線路板的上表面得到第一銅導電層，在所述第一線路板的下表面得到第二銅導電層；在所述第一銅導電層和第二銅導電層的表面使用干膜壓膜，然后將第一銅導電層和/或第二銅導電層表面的干膜依次進行曝光和顯影，暴露出階梯金手指區域，所述階梯金手指區域包括位于第一線路上的階梯金手指區域和位于第二線路上的階梯金手指區域，得到第一半成品；在第一半成品的表面進行圖形電鍍，在階梯金手指區域得到梯度銅層，得到第二半成品；將所述第二半成品依次進行退膜、退沉銅和除鈀，所述退沉銅為采用閃蝕的方法去除暴露的第一銅導電層和第二銅導電層，得到第三半成品；將所述第三半成品的兩表面制備阻焊層，所述阻焊層暴露出所述第三半成品表面的梯度銅層和第三半成品表面的金手指區域，所述金手指區域包括位于第一線路上的金手指區域和位于第二線路上的金手指區域，得到第四半成品；在所述第四半成品的表面暴露的梯度銅層和金手指區域表面依次制備ni層和au層，得到ni/au層，得到階梯金手指封裝基板。本發明在完成一次線路的基礎上，采用半加成（semi-additiveprocess，sap）法，先化學沉銅，利用化學沉銅得到的銅導電層實現圖形電鍍，得到制備階梯金手指的梯度銅層，然后通過閃蝕去除基材上的導電層，最后得到階梯金手指封裝基板。本發明提供的制備方法能夠實現獨立階梯金手指的制作，有效解決了獨立階梯金手指制備時去除電鍍引線易形成過蝕影響金手指形狀，以及電鍍引線蝕刻不凈引起的尖端放電的問題，本發明制得的階梯金手指封裝基板電信號質量優良，穩定性高。同時，本發明提供的制備方法簡單，不需要增加設備投入，只用常規封裝基板加工設備即可，適宜工業化應用。

技術特征：

1.一種階梯金手指封裝基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述壓膜時使用的干膜的厚度為30~100μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一銅導電層和第二銅導電層的厚度為0.2~1μm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述一次線路的厚度為15~70μm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述梯度銅層的厚度為15~70μm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述雙面覆銅板的銅箔厚度為2~18μm；所述導通孔的孔壁上沉銅的厚度為0.2~1μm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制孔采用機械鉆孔、co2激光鉆孔或uv激光鉆孔。

8.根據權利要求1、6或7所述的制備方法，其特征在于，所述制孔采用co2激光鉆孔時，且所述雙面覆銅板的銅箔厚度≥12μm時，所述co2激光鉆孔之前，還包括：將所述雙面覆銅板進行棕化減銅處理；所述棕化減銅后雙面覆銅板的銅箔厚度為3~9μm。

9.根據權利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，所述一次線路的制備方法包括依次進行前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻和褪膜。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述ni層的厚度為3~8μm；所述au層的厚度為0.02~0.4μm。

技術總結
本發明屬于封裝基板技術領域，具體涉及一種階梯金手指封裝基板的制備方法。本發明在完成一次線路的基礎上，采用SAP工藝，先化學沉銅，利用導電層實現圖形電鍍，得到制備階梯金手指的梯度銅層，然后通過閃蝕去除基材上的導電層，最后得到階梯金手指封裝基板。本發明提供的制備方法能夠實現獨立階梯金手指的制作，有效解決了獨立階梯金手指制備時去除電鍍引線易形成過蝕影響金手指形狀，以及電鍍引線蝕刻不凈引起的尖端放電的問題，本發明制得的階梯金手指封裝基板電信號質量優良，穩定性高。同時，本發明提供的制備方法簡單，不需要增加設備投入，只用常規封裝基板加工設備即可，適宜工業化應用。

技術研發人員：康孝恒,屈剛
受保護的技術使用者：深圳市志金電子有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24