1.一種具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，包括信號(hào)采樣電路、前置放大器和動(dòng)態(tài)鎖存器，所述信號(hào)采樣電路基于柵壓自舉電路btsp并采用襯底電壓偏置技術(shù)設(shè)計(jì)，所述動(dòng)態(tài)鎖存器包括鎖存器lat、失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路acc和動(dòng)態(tài)比較器；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述信號(hào)采樣電路包括反相器inv0、反相器inv1、反相器inv2、反相器inv3、反相器inv4、反相器inv5、柵壓自舉電路btsp、晶體管nmos0、晶體管nmos1、晶體管nmos2、晶體管nmos3、晶體管nmos4、晶體管nmos5、晶體管nmos6、晶體管nmos7、晶體管pmos0、電容c0和電容c1；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述前置放大器包括晶體管nmos8、晶體管nmos9、晶體管nmos10、晶體管nmos11和晶體管nmos12；
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)鎖存器中的動(dòng)態(tài)比較器包括反相器inv6、反相器inv7、或非門nor1、或非門nor2、晶體管nmos13、晶體管nmos14、晶體管nmos15、晶體管nmos16、晶體管nmos17、晶體管pmos1、晶體管pmos2、晶體管pmos3、晶體管pmos4、晶體管pmos5、晶體管pmos6、晶體管pmos7、晶體管pmos8、晶體管pmos9、晶體管pmos10、晶體管pmos11、晶體管pmos12、晶體管pmos13和晶體管pmos14；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路acc包括incndec單元0至incndec單元9、d觸發(fā)器0至d觸發(fā)器9、左輸出門電路和右輸出門電路，incndec單元與d觸發(fā)器9一一對應(yīng)；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述右輸出門電路包括反相器inv8、反相器inv9、與非門nand1、與非門nand2、與非門nand3、與非門nand4、與非門nand5、與非門nand6、或非門nor3、或非門nor4、或非門nor5和或非門nor6，所述左輸出門電路包括反相器inv10、反相器inv11、與非門nand7、與非門nand8、與非門nand9、與非門nand10、與非門nand11、與非門nand12、或非門nor7、或非門nor8、或非門nor9和或非門nor10；
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有失調(diào)電壓自動(dòng)校準(zhǔn)電路的高精度動(dòng)態(tài)比較器，其特征在于，所述incndec單元包括異或門xor0、異或門xor1、與非門nand13、反相器inv13，所述異或門xor0的第一輸入端用于作為dec端，所述異或門xor0的第二輸入端和所述異或門xor1的第二輸入端相連作為b端，所述異或門xor0的輸出端連接所述與非門nand13的第一輸入端，所述與非門nand13的第二輸入端和所述異或門xor1的第一輸入端相連作為cin端，所述與非門nand13的輸出端連接所述反相器inv13的輸入端，所述反相器inv13的輸出端作為cb端，所述異或門xor1的輸出端作為s端。