本實(shí)用新型涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種抗干擾的手機(jī)攝像頭及手機(jī)。

背景技術(shù)：

隨著智能手機(jī)技術(shù)的快速發(fā)展，手機(jī)目前已成為人們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚碾娮釉O(shè)備之一，其功能也是日益豐富。其中一項(xiàng)基礎(chǔ)功能是由手機(jī)攝像頭來(lái)完成的拍照及攝像，幾乎所有的智能手機(jī)都具備此功能。然而攝像頭是一種高精密的光學(xué)元件和電路元件的組合，其集成度高，元件分布比較密集，很容易受到手機(jī)上其他電路元件的干擾。例如，在使用手機(jī)打開(kāi)攝像頭拍照的時(shí)，如果突然有電話打進(jìn)來(lái)，射頻的高頻信號(hào)會(huì)干擾攝像頭的時(shí)鐘信號(hào)端，造成攝像頭界面會(huì)突然花屏，嚴(yán)重影響手機(jī)攝像頭的正常使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種抗干擾的手機(jī)攝像頭及手機(jī)。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

構(gòu)造一種抗干擾的手機(jī)攝像頭，包括具有腔室的鏡座，所述腔室內(nèi)設(shè)置有鏡頭組、感光芯片及主控芯片；其中，所述攝像頭主控芯片包括PCLK信號(hào)線和MCLK信號(hào)線；所述PCLK信號(hào)線上串聯(lián)連接有第一磁珠，所述PCLK信號(hào)線 還并聯(lián)有容值為27pF的第一對(duì)地電容；所述MCLK信號(hào)線上串聯(lián)連接有第二磁珠，所述MCLK信號(hào)線還并聯(lián)有容值為27pF的第二對(duì)地電容。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述PCLK信號(hào)線上設(shè)置有斷開(kāi)的兩點(diǎn)，所述第一磁珠內(nèi)穿設(shè)有第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線的兩端與所述PCLK信號(hào)線上斷開(kāi)的兩點(diǎn)連接。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述MCLK信號(hào)線上設(shè)置有斷開(kāi)的兩點(diǎn)，所述第二磁珠內(nèi)穿設(shè)有第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線的兩端與所述MCLK信號(hào)線上斷開(kāi)的兩點(diǎn)連接。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述第一磁珠為鐵氧體片狀磁珠。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述第二磁珠為鐵氧體片狀磁珠。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述鏡頭組包括第一鏡頭和第二鏡頭，所述第一鏡頭和所述第二鏡頭之間設(shè)置有紅外截止層，所述第二鏡頭與所述感光芯片之間設(shè)置有透射層。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述紅外截止層包括第一透明基板、以及設(shè)置于所述第一透明基板上表面的紅外截止膜。

本實(shí)用新型所述的手機(jī)攝像頭，其中，所述主控芯片的電源端連接有容值為1μF的接地電容。

本實(shí)用新型還提供了一種手機(jī)，包括外殼、顯示屏和電路板，其中，還包括如前述任一項(xiàng)所述的手機(jī)攝像頭，所述手機(jī)攝像頭的主控芯片設(shè)置于所述電路板上。

本實(shí)用新型的有益效果在于：通過(guò)在攝像頭主控芯片的PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別串聯(lián)一顆磁珠，同時(shí)通過(guò)在PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別并聯(lián)27pF的對(duì)地電容，濾掉高頻信號(hào)，以抑制手機(jī)有來(lái)電時(shí)射頻信號(hào) 對(duì)攝像頭造成的高頻干擾。

附圖說(shuō)明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中：

圖1是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的抗干擾的手機(jī)攝像頭主控芯片連接原理圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的抗干擾的手機(jī)攝像頭包括具有腔室的鏡座，腔室內(nèi)設(shè)置有鏡頭組、感光芯片及主控芯片P1；其中主控芯片P1連接原理如圖1所示，攝像頭主控芯片P1包括PCLK信號(hào)線和MCLK信號(hào)線；PCLK信號(hào)線上串聯(lián)連接有第一磁珠L(zhǎng)1，PCLK信號(hào)線還并聯(lián)有容值為27pF的第一對(duì)地電容C1；MCLK信號(hào)線串聯(lián)連接有第二磁珠L(zhǎng)2，MCLK信號(hào)線還并聯(lián)有容值為27pF的第二對(duì)地電容C2。通過(guò)在攝像頭主控芯片P1的PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別串聯(lián)一顆磁珠，同時(shí)通過(guò)在PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別并聯(lián)27pF的對(duì)地電容，濾掉高頻信號(hào)，以抑制手機(jī)有來(lái)電時(shí)射頻信號(hào)對(duì)攝像頭造成的高頻干擾。

上述實(shí)施例中，如圖1所示，在攝像頭主控芯片P1的PCLK信號(hào)線上設(shè)置有斷開(kāi)的兩點(diǎn)，第一磁珠L(zhǎng)1內(nèi)穿設(shè)有第一導(dǎo)線，第一導(dǎo)線的兩端與PCLK信號(hào)線上斷開(kāi)的兩點(diǎn)連接。同樣，在攝像頭主控芯片P1的MCLK信號(hào)線上設(shè)置有斷開(kāi)的兩點(diǎn)，第二磁珠L(zhǎng)2內(nèi)穿設(shè)有第二導(dǎo)線，第二導(dǎo)線的兩端與MCLK信號(hào)線上斷開(kāi)的兩點(diǎn)連接。

優(yōu)選地，上述第一磁珠L(zhǎng)1為鐵氧體片狀磁珠；第二磁珠L(zhǎng)2也優(yōu)選為鐵氧 體片狀磁珠。

優(yōu)選地，如圖1所示，上述實(shí)施例的主控芯片P1的電源端AVDD、DVDD連接有容值為1μF的接地電容C3。

優(yōu)選地，上述實(shí)施例中，鏡頭組包括第一鏡頭和第二鏡頭，第一鏡頭和第二鏡頭之間設(shè)置有紅外截止層，第二鏡頭與感光芯片之間設(shè)置有透射層。紅外截止層包括第一透明基板、以及設(shè)置于第一透明基板上表面的紅外截止膜。通過(guò)采用紅外截止層濾除紅外入射光線，同時(shí)通過(guò)透射層增強(qiáng)光線投射，可以達(dá)到消除雜光的目的，提升影像效果，使得成像畫(huà)面更加明亮。

本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，還提供了一種手機(jī)，包括外殼、顯示屏和電路板，其中，還包括如前述任一實(shí)施例中所描述的手機(jī)攝像頭，手機(jī)攝像頭的主控芯片P1設(shè)置于電路板上，其具體原理描述參見(jiàn)前述實(shí)施例，在此不贅述。通過(guò)在攝像頭主控芯片P1的PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別串聯(lián)一顆磁珠，同時(shí)通過(guò)在PCLK信號(hào)線及MCLK信號(hào)線上分別并聯(lián)27pF的對(duì)地電容，濾掉高頻信號(hào)，以抑制手機(jī)有來(lái)電時(shí)射頻信號(hào)對(duì)攝像頭造成的高頻干擾。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。