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一種圖像傳感器的像素陣列以及像素電路的制作方法

文檔序號:41374795發(fā)布日期:2025-03-21 15:30閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種圖像傳感器的像素電路,其特征在于,包括:

2.如權(quán)利要求1所述的像素電路,其特征在于,所述增益控制電路包括:

3.如權(quán)利要求2所述的像素電路,其特征在于,所述第一增益支路包括:

4.如權(quán)利要求2所述的像素電路,其特征在于,所述第一增益支路包括第二感光單元、第二轉(zhuǎn)移晶體管、第一溢出電容和第一量化晶體管;

5.如權(quán)利要求2所述的像素電路,其特征在于,第二增益支路包括第三感光單元、第三轉(zhuǎn)移晶體管、第二溢出電容和第二量化晶體管;

6.如權(quán)利要求1所述的像素電路,其特征在于,所述復(fù)位電路包括復(fù)位晶體管,其控制端接收復(fù)位控制信號,第一端連接所述第一電源電壓,第二端連接至所述第一浮動擴散節(jié)點;和/或,

7.一種圖像傳感器的像素陣列,其特征在于,包括第一感光單元、第二感光單元和第三感光單元,其中,所述第一感光單元的滿阱容量大于所述第二感光單元的滿阱容量大于等于所述第三感光單元的滿阱容量,且所述第二感光單元的曝光時長小于所述第一感光單元的曝光時長小于所述第三感光單元的曝光時長。

8.如權(quán)利要求7所述的像素陣列,其特征在于,所述第一感光單元沿第一方向和第二方向排列于所述像素陣列中,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向;

9.如權(quán)利要求7所述的像素陣列,其特征在于,所述第一感光單元按行與列排列于所述像素陣列中,所述第二感光單元位于所述第一感光單元的頂點上,所述第三感光單元位于所述第一感光單元的中心。

10.如權(quán)利要求7所述的像素陣列,其特征在于,每個所述第一感光單元由n2個具有相同濾色器的像素組成,所述第二感光單元位于所述第一感光單元的頂點上,所述第三感光單元位于所述第一感光單元的中心。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)描述了一種圖像傳感器的像素電路以及像素陣列,像素電路包括:第一感光單元,配置為在第一曝光時長內(nèi)接收光信號以產(chǎn)生第一圖像信號;第一浮動擴散節(jié)點,連接至第一感光單元;第一轉(zhuǎn)移晶體管,連接于第一感光單元與第一浮動擴散節(jié)點之間;增益控制電路,連接第一浮動擴散節(jié)點,以采集第二曝光時長下生成的第二圖像信號和采集第三曝光時長下生成的第三圖像信號,第二曝光時長小于第一曝光時長小于第三曝光時長,且增益控制電路至少將第三圖像信號存儲于溢出單元后輸出;復(fù)位電路,連接于增益控制電路與第一電源電壓之間;讀出電路,連接于第一浮動擴散節(jié)點。本申請的像素電路可以提高動態(tài)范圍,并解決運動偽影問題。

技術(shù)研發(fā)人員:馮思雨,胡澤望,於亥雨
受保護的技術(shù)使用者:思特威(上海)電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240411
技術(shù)公布日:2025/3/20
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