專利名稱：直流電弧噴射等離子體分束器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于直流電弧噴射等離子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種直流 電弧噴射等離子體分束器，應(yīng)用在對直流電弧噴射等離子體進(jìn)行分流和 約束，提高直流電弧等離子體均勻性的裝置。 技術(shù)背景
直流電弧噴射等離子體具有能量大、功率高、流速快的特點(diǎn)(^^..
Afafen'a/s，S(7卯^2W)，因此難于控制。尤其在利用這種等離子體進(jìn)行 化學(xué)氣相沉積時(shí)，常常造成所制備膜體中成分和組織的不均勻性，形成 大量的缺陷(參1*嚴(yán)廣嚴(yán)箏，直魔箏庸f沐噴射劍備無麥貧^支:^ ^^^^廣^"游逼^"蘊(yùn)l^設(shè)^六乂工逼沐學(xué)叛，33 6W)。對這種
等離子體的控制通常采用電磁場耦合流場的控制方法(^i ;發(fā)欲專^/ ZLW7 一辨寧庸f沐^)，然而這種控制受擾動(dòng)影響嚴(yán)重，等
離子體不均勻性仍然很大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種直流電弧噴射等離子體分束器，解決了 直流電弧噴射等離子體難于控制這一問題，可以對直流電弧噴射等離子 體進(jìn)行分流和約束，使分流束中的等離子體均勻性得到改善，裝置簡單， 操作簡便，而且避免了電磁場和流場擾動(dòng)對等離子體的影響。
本實(shí)用新型由遮蔽板、支桿、底座、封閉栓組成；在底座上安裝可 以調(diào)節(jié)高度的支桿，支桿上安置采用高熔點(diǎn)材料制成的遮蔽板，在遮蔽 板上間隔開出可開閉的束流孔，對直流電弧噴射等離子體進(jìn)行分流約束。 遮蔽板1與封閉栓2采用間隙配合，遮蔽板1與支桿3也采用間隙配合， 支桿3與底座4采用螺紋連接。遮蔽板、支桿、底座、封閉栓的材質(zhì)均 為石墨或難熔金屬。束流孔為分布在遮蔽板上的通孔，其孔徑(D)為 2-8mra，其在遮蔽板上的分布為以遮蔽板中心為圓心，向心徑向排列， 各束流孔的間隔(L)要比束流孔直徑大3到10mm，即D+3mm S L《D+10ram。
有益效果由于使用束流孔，降低了分流束中的等離子體的平均自
由程，增加了等離子體的碰撞截面，提高了等離子體的均勻性；此外， 由于束流孔具有平面分布特點(diǎn)，且束流孔可開閉，因此可以實(shí)現(xiàn)等離子 體的選區(qū)利用，避免了等離子體的交互作用，減少了擾動(dòng)，使等離子體 的均勻性進(jìn)一步提高。

圖1為直流電弧噴射等離子體分束器的總裝圖，其中，遮蔽板1; 封閉栓2;支桿3;底座4。
圖2為分束器的遮蔽板俯視圖。 圖3為分束器的遮蔽板側(cè)視圖。 圖4為分束器的封閉栓剖面圖。
圖5為分束器的支桿剖面圖。 圖6為分束器的底座俯視圖。 圖7為分束器的底座側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
圖1至圖7為本實(shí)用新型優(yōu)選的具體實(shí)施方式
，是應(yīng)用于直徑為5 厘米的直流電弧噴射等離子體的分束器的具體實(shí)例。遮蔽板為石墨，其 上鉆有彼此間隔的束流孔，用來封閉束流孔的封閉栓也為石墨，可嵌入 束流孔。遮蔽板安置在石墨支桿的臺(tái)肩上；支桿與石墨底座之間以螺紋 連接，使支桿可以上下調(diào)整高度。
在底座4上安裝可以調(diào)節(jié)高度的支桿3，支桿3上安置采用高熔點(diǎn) 材料制成的遮蔽板1,在遮蔽板1上間隔開出可開閉的束流孔，對直流 電弧噴射等離子體進(jìn)行分流約束。遮蔽板1與封閉栓2采用間隙配合， 遮蔽板1與支桿3也采用間隙配合，支桿3與底座4采用螺紋連接。束 流孔為分布在遮蔽板上的通孔,其孔徑(D)為4咖，其在遮蔽板上的分 布為以遮蔽板中心為圓心，向心徑向排列，各束流孔的間隔(L)比束 流孔直徑大4。
權(quán)利要求1、一種直流電弧噴射等離子體分束器，其特征在于，由遮蔽板、支桿、底座、封閉栓組成；在底座上安裝可以調(diào)節(jié)高度的支桿，支桿上安置采用高熔點(diǎn)材料制成的遮蔽板，在遮蔽板上間隔開出可開閉的束流孔；遮蔽板(1)與封閉栓(2)采用間隙配合，遮蔽板(1)與支桿(3)也采用間隙配合，支桿(3)與底座(4)采用螺紋連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求所述的直流電弧噴射等離子體分束器，其特征在于， 遮蔽板、支桿、底座、封閉栓的材質(zhì)均為石墨。
3、 根據(jù)權(quán)利要求所述的直流電弧噴射等離子體分束器，其特征在于， 束流孔為分布在遮蔽板上的通孔,其孔徑(D)為2-8mm，其在遮蔽板上 的分布為以遮蔽板中心為圓心，向心徑向排列，各束流孔的間隔(L) 要比束流孔直徑大3至IJ10mm。
專利摘要一種直流電弧噴射等離子體分束器，屬于直流電弧噴射等離子技術(shù)領(lǐng)域。由遮蔽板、支桿、底座、封閉栓組成；在底座上安裝可以調(diào)節(jié)高度的支桿，支桿上安置采用高熔點(diǎn)材料制成的遮蔽板，在遮蔽板上間隔開出可開閉的束流孔；遮蔽板(1)與封閉栓(2)采用間隙配合，遮蔽板(1)與支桿(3)也采用間隙配合，支桿(3)與底座(4)采用螺紋連接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，可以對直流電弧噴射等離子體進(jìn)行分流和約束，使分流束中的等離子體均勻性得到改善，裝置簡單，操作簡便，而且避免了電磁場和流場擾動(dòng)對等離子體的影響。
文檔編號H05H1/34GK201063955SQ20072010374
公開日2008年5月21日 申請日期2007年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月6日
發(fā)明者佟玉梅, 呂反修, 唐偉忠, 宋建華, 彬 李, 李成明, 杰·阿斯卡瑞, 薛前進(jìn), 陳廣超, 黑立富 申請人:北京科技大學(xué)