專利名稱：具有鋇涂層的石英坩堝的制作方法
技術領域：
具有鋇涂層的石英坩堝
技術領域：
本實用新型涉及一種石英坩堝，尤其是涉及一種具有鋇涂層的石英坩堝。背景技術：
公知的，石英坩堝作為拉制大直徑單晶硅是一種必不可少的設備之一，目前的石英坩堝在1450度以下使用，大致分為透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發展大規模集成電路必不可少的基礎材料。當今，世界半導體工業發達國家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝。他具有高純度、耐溫性強、尺寸大精度高、保溫性好、節約能源、質量穩定等優點。國內常用拉制單晶硅用石英坩堝18英寸和20英寸也有廠家使用22及以上的坩堝。目前國內坩堝生產廠家生產的18和20英寸坩堝技術都比較成熟。其生產使用原料石英砂主要由美國進口。國內產的石英砂純度都達不到其要求。其原料里雜質在生產時高溫熔制過程中產生黑點氣泡等對拉制單晶硅時其穩定性都有一定影響。目前坩堝生產涂層技術已被大多數廠家使用就是在普通石英砂溶制的坩堝表面涂上一層高純度石英砂使其形成致密層，其致密層能阻止單晶硅高溫拉制過程中硅與石英坩堝反應提高成晶率。但是發明人經過實驗發現，鋇對于單晶硅高溫拉制具有一定的輔助隔離作用，石英砂在高溫下容易出現石英砂成份與單晶硅的混合，由于單晶硅內出現了不應有的成份， 所以導致了單晶硅的質量降低。

發明內容本實用新型公開了一種具有鋇涂層的石英坩堝，所述的具有鋇涂層的石英坩堝通過在鍋體的內部面均勻的設置鋇涂層，；通過本實用新型對于石英坩堝的改良，有效地延長了石英坩堝的使用時間，不僅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩堝的強度得到增強，克服了石英坩堝熱熔引起單晶硅的質量降低。為實現上述發明目的，本實用新型采用如下技術方案一種具有鋇涂層的石英坩堝，包括石英坩堝本體，所述石英坩堝呈圓形結構，在鍋底與鍋體之間設有圓弧形過度，在鍋體的內側面設有全覆蓋的鍋體鋇涂層，鍋底上設有全覆蓋的底部鋇涂層，所述鍋體內側面與鍋底之間設有圓弧形過度鋇涂層形成石英坩堝內的鋇涂層全覆蓋結構。所述的具有鋇涂層的石英坩堝，所述鍋體鋇涂層、圓弧形過度鋇涂層和底部鋇涂層厚度為ι 2mm。所述的具有鋇涂層的石英坩堝，在鍋體的上檐面上設有全覆蓋的上檐鋇涂層且與鍋體的鍋體鋇涂層聯通。所述的具有鋇涂層的石英坩堝，所述上檐鋇涂層厚度為1 2mm。由于采用如上所述的技術方案，本實用新型具有如下有益效果[0013]本實用新型所述的具有鋇涂層的石英坩堝，由鍋底、圓弧形過度、鍋體形成石英坩堝，所述鍋底、圓弧形過度、鍋體的內部面均勻的設置鋇涂層，所述鍋體鋇涂層、圓弧形過度鋇涂層、鍋體鋇涂層和上檐鋇涂層通過全自動恒溫噴涂機進行噴涂，厚度在1 2mm或之間均可，但是保證石英坩堝內表面涂層薄厚均勻，涂層粘貼牢靠；通過本實用新型對于石英坩堝的改良，有效地延長了石英坩堝的使用時間，經過測試延長時間達到10小時以上，不僅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩堝的強度得到增強，克服了石英坩堝熱熔引起單晶硅的質量降低。

圖1是本實用新型的立體結構示意圖；圖2是本實用新型的結構示意圖；圖中1、上檐鋇涂層；2、鍋體；3、鍋體鋇涂層；4、圓弧形過度鋇涂層；5、底部鋇涂層；6、圓弧形過度；7、鍋底。
具體實施方式通過下面的實施例可以更詳細的解釋本實用新型，公開本實用新型的目的旨在保護本實用新型范圍內的一切變化和改進，本實用新型并不局限于下面的實施例；結合附圖1或2所述的具有鋇涂層的石英坩堝，包括石英坩堝本體，所述石英坩堝呈圓形結構，在鍋底7與鍋體2之間設有圓弧形過度6，在鍋體2的內側面設有全覆蓋的 1 2mm厚度鍋體鋇涂層3，鍋底7上設有全覆蓋的1 2mm厚度底部鋇涂層5，所述鍋體2 內側面與鍋底7之間設有1 2mm厚度圓弧形過度鋇涂層4，在鍋體2的上檐面上設有全覆蓋的1 2mm厚度上檐鋇涂層1且與鍋體2的鍋體鋇涂層3聯通形成石英坩堝內的鋇涂層全覆蓋結構。實施本實用新型所述的具有鋇涂層的石英坩堝，由鍋底7、圓弧形過度6、鍋體2形成石英坩堝，所述鍋底7、圓弧形過度6、鍋體2的內部面均勻的設置鋇涂層，所述鍋體鋇涂層3、圓弧形過度鋇涂層4、鍋體鋇涂層3和上檐鋇涂層1通過全自動恒溫噴涂機進行噴涂， 厚度在1 2mm或之間均可，但是保證石英坩堝內表面涂層薄厚均勻，涂層粘貼牢靠；通過本實用新型對于石英坩堝的改良，有效地延長了石英坩堝的使用時間，經過測試延長時間達到10小時以上，不僅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩堝的強度得到增強，克服了石英坩堝熱熔引起單晶硅的質量降低。以上內容中未細述部份為現有技術，故未做細述。
權利要求1.一種具有鋇涂層的石英坩堝，包括石英坩堝本體，所述石英坩堝呈圓形結構，在鍋底 (7)與鍋體(2)之間設有圓弧形過度(6)，其特征是在鍋體(2)的內側面設有全覆蓋的鍋體鋇涂層(3)，鍋底(7)上設有全覆蓋的底部鋇涂層(5)，所述鍋體(2)內側面與鍋底(7) 之間設有圓弧形過度鋇涂層(4)形成石英坩堝內的鋇涂層全覆蓋結構。
2.根據權利要求1所述的具有鋇涂層的石英坩堝，其特征是所述鍋體鋇涂層(3)、圓弧形過度鋇涂層(4)和底部鋇涂層(5)厚度為1 2mm。
3.根據權利要求1所述的具有鋇涂層的石英坩堝，其特征是在鍋體(2)的上檐面上設有全覆蓋的上檐鋇涂層(1)且與鍋體(2)的鍋體鋇涂層(3)聯通。
4.根據權利要求3所述的具有鋇涂層的石英坩堝，其特征是所述上檐鋇涂層(1)厚度為1 2mmο
專利摘要本實用新型涉及一種石英坩堝，尤其是涉及一種具有鋇涂層的石英坩堝，包括石英坩堝本體，所述石英坩堝呈圓形結構，在鍋底(7)與鍋體(2)之間設有圓弧形過度(6)，其特征是在鍋體(2)的內側面設有全覆蓋的鍋體鋇涂層(3)，鍋底(7)上設有全覆蓋的底部鋇涂層(5)，所述鍋體(2)內側面與鍋底(7)之間設有圓弧形過度鋇涂層(4)；本實用新型通過在鍋體的內部面均勻的設置鋇涂層，通過本實用新型對于石英坩堝的改良，有效地延長了石英坩堝的使用時間，不僅提高了拉晶的成品率，而且使石英坩堝的強度得到增強，克服了石英坩堝熱熔引起單晶硅的質量降低。
文檔編號C30B15/10GK202124672SQ20112012779
公開日2012年1月25日 申請日期2011年4月27日 優先權日2011年4月27日
發明者沈福茂 申請人:沈福茂