專利名稱：單次濕膜制線方法
技術領域：
本發明涉及一種單次濕膜制線方法，屬于觸控面板線路制程技術領域。
背景技術：
單片式玻璃觸控可以減少貼合次數、節省材料成本，同時可以減輕應用裝置的重量，而這一點對平板電腦來說尤其重要。從感應線路的良率成本看來，面板內嵌式觸控方案成本顯然較高。單片式玻璃觸控方案，在感應線路過程中出現不良品，所產生的損失僅是表面玻璃而已，但是面板內嵌式觸控方案就是整塊面板報廢掉。若是采用單片式玻璃觸控方案，品牌對于觸控控制芯片的掌控權會比較完整，不僅可以選擇合適的觸控控制芯片以求搭配、與終端的操作系統平臺優化；也可以因應不同的終端機構設計作觸控效能的微調，而且在觸控控制芯片與面板的供貨商選擇上也較為自由。玻璃材料的好處是可以承受較高的制程溫度、耐受性高，也因此在進行透明導電材料觸控感應層濺鍍時，往往可以有較好的阻抗值；玻璃材料可以應用于蝕刻印刷的方式實現感應線路。本發明創造正是利用玻璃基材的優良物理特性，采用半透光罩方法曝光顯影減少濕膜次數，提高線路良率，降低材料成本，進一步簡化制程。

發明內容
技術問題本發明針對玻璃基材觸控方式，采用半透光罩曝光顯影蝕刻減少濕膜次數，提出一種線路良率高，可以簡化制程，能降低觸控面板體的厚度和生產成本，不要再次大資本投入新技術設備的單次濕膜制線方法。技術方案本發明公開了一種單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩， 剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光30秒鐘 45秒鐘；濃度3 %的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘 45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；濃度4. 0摩爾/升 5. 0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5 %的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘 50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度0. 5摩爾/升 1. 0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。上述光阻厚度為8微米 12微米，金屬為銅鈦合金。
有益效果本發明公開了單次濕膜制線方法，通過采用半透光罩曝光顯影蝕刻減少濕膜次數，實現產品良率和觸控精準度高，還可以簡化制程降低觸控面板體的厚度和生產成本，不要再次大資本投入新技術設備。


圖1是本發明的制作流程示意框圖。
具體實施例方式下面是本發明的具體實施例來進一步描述圖1所示，本發明的單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩， 剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光30秒鐘 45秒鐘；濃度3 %的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘 45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；濃度4. 0摩爾/升 5. 0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5 %的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘 50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度0. 5摩爾/升 1. 0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。上述光阻厚度為8微米 12微米，金屬為銅鈦合金。實施例1 單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩， 剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光30秒鐘；濃度3%的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影
掉一半；濃度4. 0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5%的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度0. 5摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。上述光阻厚度為8微米，金屬為銅鈦合金。
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實施例2 單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩， 剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光45秒鐘；濃度3%的氫氧化鉀溶液第一次顯影45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影
掉一半；濃度5. 0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5%的氫氧化鉀溶液第二次顯影50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度1. 0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。上述光阻厚度為12微米，金屬為銅鈦合金。實施例3 單次濕膜制線方法，包括如下步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊；采用濕膜方式將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩， 剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光38秒鐘；濃度3%的氫氧化鉀溶液第一次顯影37秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影
掉一半；濃度4. 5摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5%的氫氧化鉀溶液第二次顯影38秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度0. 7摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。上述光阻厚度為10微米，金屬為銅鈦合金。
權利要求
1.一種單次濕膜制線方法，包括如下步驟，其特征在于所述步驟在千級無塵室中進行；玻璃基膜、氧化銦錫鍍膜、金屬鍍膜依次堆疊； 將正型光阻涂布在金屬鍍膜上；視窗內預設感應線路區域做半透光罩，視窗周邊預設金屬線路區域做不透光罩，剩余區域全透光設置；整個光阻面曝光30秒鐘 45秒鐘；濃度3%的氫氧化鉀溶液第一次顯影30秒鐘 45秒鐘，使感應線路區域的光阻厚度被顯影掉一半；濃度4. 0摩爾/升 5. 0摩爾/升的氯化銅第一次蝕刻掉全透光區域內金屬和氧化銦錫；濃度5%的氫氧化鉀溶液第二次顯影35秒鐘 50秒鐘，使視窗感應線路區域內光阻被全部顯影掉；金屬線路上殘留一半厚度的光阻；濃度0. 5摩爾/升 1. 0摩爾/升的氯化鐵蝕刻金屬，清除視窗區內的金屬，在視窗周邊形成金屬線路，蝕刻面脫膜。
2.如權利要求1所述單次濕膜制線方法，其特征在于所述光阻厚度為8微米 12微米。
3.如權利要求1所述單次濕膜制線方法，其特征在于所述金屬為銅鈦合金。
全文摘要
本發明公開了一種單次濕膜制線方法，屬于觸控面板線路制程技術領域。發明通過采用半透光罩曝光顯影蝕刻減少濕膜次數，實現產品良率和觸控精準度高，還可以簡化制程降低觸控面板體的厚度和生產成本，不要再次大資本投入新技術設備。
文檔編號H05K3/06GK102548227SQ20121000242
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月6日 優先權日2012年1月6日
發明者陳棟南 申請人:牧東光電(蘇州)有限公司