專利名稱：選擇性腐蝕石英晶片的裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種石英晶片的加工裝置，具體地說是一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置。
背景技術：
現有石英晶片制造過程中的腐蝕工序是晶片制造過程中的最后工序。腐蝕的作用是將晶片因研磨來的破壞層去掉，降低石英晶體諧振器的等效串聯阻抗，所以腐蝕掉的厚度一般僅有幾微米，腐蝕時間短，整個晶片表面都要腐蝕到，因此只需將晶片放入網籃中搖擺以保證晶片充分散開。而在深腐蝕工藝中，腐蝕的作用相當于研磨，腐蝕的厚度根據目標頻率的不同至少需幾十微米，且需要腐蝕的是晶片的震蕩部分，為選擇性腐蝕。選擇性腐蝕主要采用曝光掩膜法。即先在晶體方片表面涂覆感光材料，然后將需曝光的圖形夾持在晶體方片兩面，經曝光后使得需要腐蝕的部分暴露出來，再將晶體方片整體放入腐蝕液中腐蝕。待腐蝕完成后，去除掉保護層。這種方法的優點是腐蝕深度可控，缺點是工序非常復雜，加工成本高。

發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足，提供一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置，用該裝置深腐蝕晶體方片，不僅可以獲得高頻率晶體器件，而且工序簡單，可以降低加工成本。本發明采用了以下技術方案包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板，上夾板下端面與下夾板上端面上有相互配合的平面區域，下夾板上端面的平面區域開有數個與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區域相通的腐蝕孔，腐蝕孔的形狀與晶體方片待腐蝕區域形狀相同。加工時，將晶體方片放入下夾板的模腔中，將上夾板蓋在下夾板上并用夾具夾緊，再將其放入腐蝕液中，腐蝕液通過腐蝕孔對晶體方片上、下表面的腐蝕孔暴露區域進行腐蝕，選擇合適的腐蝕時間即可獲得相應頻率的晶體器件。為了防止腐蝕液由上、下夾板之間的間隙滲入模腔中，腐蝕晶休體方片不需腐蝕的區域，影響產品的性能，本發明上、下夾板的邊緣設有與平面區域交錯設置的配合面，可以防止腐蝕液由上、下夾板四周滲入。為了方便上、下夾板的安裝，上、下夾板的邊緣對應位置開有定位孔。本發明的一個優選方案是上、下夾板呈對稱設置，上夾板下端面和下夾板上端面的平面區域分別開有上、下模腔，上、下模腔合在一起形成與晶體方片形成配合的整體模腔。這種結構的上、下夾板互換性好，容易操作，不會發生裝配錯誤，可提高裝配效率。本發明采用上、下夾板作為選擇性腐蝕石英晶片的裝置，結構簡單，裝配方便，可以滿足石英晶片深度腐蝕的要求，用它加工的晶片振蕩頻率可以提高至60 255MHz，可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要，并且與曝光掩膜法相比，具有加工工序短、操作簡單的優點，可以大幅度降低晶片加工成本。


圖I為本發明結構示意圖。圖2為圖I中晶片的俯視圖。
具體實施例方式由圖I和圖2所示，本發明選擇性腐蝕石英晶片的裝置，包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板1、2，上、下夾板呈對稱設置，上夾板I下端面與下夾板2上端面的中部區域有相互配合的平面區域，上夾板I下端面和下夾板2上端面的平面區域分別開有數個與晶體方片形成配合、且高度為晶體方片厚度一半的上、下模腔13、23。本例中上、下夾板1、2上分別設有四個上、下模腔13、23，每個模腔可放置一塊晶體方片。 上、下夾板1、2上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區域相通的四個腐蝕孔11、21，腐蝕孔11、21的形狀與晶體方片待腐蝕區域形狀相同。本例中加工的晶體方片呈長方形的薄片，可切割成四塊晶片，每個晶片的上下兩面中間有經腐蝕的圓形凹槽。上、下夾板1、2可以采用非對稱結構，即上述模腔可以單獨設在下夾板上端面。上、下夾板1、2的邊緣設有相互配合的凸起12、22，凸起部分的配合面與上、下夾板1、2中間的平面區域形成交錯設置，以防止腐蝕液由上、下夾板四周滲入。上述凸起的形狀不局限于實施例圖I和圖2中的形狀，可以是設在下夾板表面的斷面呈弧形或方形或倒V形等形狀，上夾板上設有與之形狀配合的凹槽。當然相鄰兩個模腔之間的平面區域也可以設置類似的防滲漏結構。上、下夾板1、2的邊緣對應位置開有定位孔4，可以方便上、下夾板的裝配。加工時，先將四塊晶體方片分別放入下夾板2的四個下模腔23中，在合上上夾板I，用夾具將上、下夾板I、2夾緊，再將其放入腐蝕液中，腐蝕液通過上、下夾板1、2上的腐蝕孔11、21對晶體方片上、下表面的腐蝕孔暴露區域進行腐蝕，待腐蝕結束后，取出并從上下夾板中取出晶體方片，再經粘跎、切跎、磨邊、分選等工序制成晶片。
權利要求
1.選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板(I、2)，上夾板(I)下端面與下夾板(2)上端面上有相互配合的平面區域，下夾板(2)上端面的平面區域開有數個與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板(1、2)上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區域相通的腐蝕孔(11、21)，腐蝕孔(11、21)的形狀與晶體方片待腐蝕區域形狀相同。
2.根據權利要求I所述的選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是上、下夾板(1、2)的邊緣設有與平面區域交錯設置的配合面。
3.根據權利要求I所述的選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是上、下夾板(1、2)的邊緣對應位置開有定位孔(4)。
4.根據權利要求I或2或3所述的選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是上、下夾板(1、2)呈對稱設置，上夾板(I)下端面和下夾板(2)上端面的平面區域分別開有上、下模腔(13、23)，上、下模腔(13、23)合在一起形成與晶體方片形成配合的整體模腔。
全文摘要
本發明涉及一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置，包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板，上夾板下端面與下夾板上端面上有相互配合的平面區域，下夾板上端面的平面區域開有數個與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區域相通的腐蝕孔，腐蝕孔的形狀與晶體方片待腐蝕區域形狀相同。本發明結構簡單，裝配方便，可以滿足石英晶片深度腐蝕的要求，與曝光掩膜法相比，具有加工工序短、操作簡單的優點，可以大幅度降低晶片加工成本。
文檔編號C30B33/10GK102904540SQ20121036106
公開日2013年1月30日 申請日期2012年9月25日 優先權日2012年9月25日
發明者唐勁, 張幫嶺 申請人:銅陵晶越電子有限公司