陰陽銅箔電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟：提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進(jìn)行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；在經(jīng)過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進(jìn)行蝕刻操作；將陰陽銅箔板件第一面上的保護(hù)膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進(jìn)行蝕刻操作；將陰陽銅箔板件第二面上的保護(hù)膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進(jìn)行退膜，獲得蝕刻后的陰陽銅箔電路板。通過該方法能夠有利于避免蝕刻陰陽銅箔時(shí)出現(xiàn)蝕刻過度或蝕刻不足等情況，也能避免傳統(tǒng)蝕刻方法中出現(xiàn)的無法蝕刻或板面出現(xiàn)殘銅、線小等情況，從而能夠提高產(chǎn)品的合格率。
【專利說明】陰陽銅箔電路板的制作方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種陰陽銅箔電路板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]精細(xì)線路的制作中蝕刻是最關(guān)鍵也是最困難的部分。隨著PCB (Printed CircuitBoard，印刷電路板)行業(yè)的發(fā)展，其對精細(xì)線路的要求越來越高，而對于陰陽銅(一塊芯板的兩面銅厚不一致)板而言，其兩面銅厚不一致，且在同一個(gè)板內(nèi)往往存在不同尺寸線寬與間距，線路間“溝槽”的縱橫比(=(銅厚+抗蝕層厚度)/線間距)不同，造成擴(kuò)散層厚度的不同，若在同樣蝕刻條件下，會造成厚銅面及小間距尺寸部分蝕刻合適，而薄銅面及大間距尺寸處過度蝕刻(或側(cè)蝕嚴(yán)重)；或者，薄銅面及大間距尺寸處蝕刻合適，而厚銅面及小間距尺寸處出現(xiàn)蝕刻不足或蝕刻不凈的情況，兩面銅厚蝕刻難以達(dá)到要求。
[0003]對于陰陽銅蝕刻問題，通常有兩種方案:一種方案是根據(jù)兩面底銅的不同時(shí)行分別補(bǔ)償，然后兩面同時(shí)進(jìn)行蝕刻，其主要通過工程對設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行補(bǔ)償來實(shí)現(xiàn)，而對于小間距精細(xì)線路制作而言，存在補(bǔ)償后銅薄的一面線寬間距不足，從而無法蝕刻的現(xiàn)象；另一種方案則是兩面各按照底銅實(shí)際厚度進(jìn)行補(bǔ)償，蝕刻過程中通過調(diào)節(jié)藥水噴頭壓力、蝕刻速度以及噴頭數(shù)量等方式，從而一次完成雙面蝕刻。此法雖可以一次將雙面板進(jìn)行蝕刻完成，但蝕刻過程中要對蝕刻速度、噴頭壓力以及噴頭數(shù)量等參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，較為耗時(shí)，而且板面通常還會出現(xiàn)殘銅、線小等缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，本發(fā)明在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種陰陽銅箔電路板的制作方法，通過該方法能夠有效提高產(chǎn)品的合格率。
[0005]其技術(shù)方案如下:
[0006]一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟:
[0007]提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進(jìn)行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；
[0008]在經(jīng)過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進(jìn)行蝕刻操作；
[0009]將陰陽銅箔板件第一面上的保護(hù)膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進(jìn)行蝕刻操作；
[0010]將陰陽銅箔板件第二面上的保護(hù)膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進(jìn)行退膜，獲得陰陽銅箔電路板。
[0011]本發(fā)明通過采用一種保護(hù)膜，在蝕刻過程中對陰陽銅箔板件的線路進(jìn)行保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)對陰陽銅箔板件進(jìn)行單面蝕刻，在單面蝕刻過程中可根據(jù)需要設(shè)置蝕刻條件達(dá)到最佳蝕刻狀態(tài)，能夠有利于避免蝕刻陰陽銅箔時(shí)出現(xiàn)蝕刻過度或蝕刻不足等情況，也能避免傳統(tǒng)蝕刻方法中出現(xiàn)的無法蝕刻或板面出現(xiàn)殘銅、線小等情況，從而能大幅度提高陰陽銅箔電路板的可制造性，提聞廣品的合格率。
[0012]優(yōu)選地，在貼保護(hù)膜后，進(jìn)行空壓操作。
[0013]優(yōu)選地，在進(jìn)行空壓操作的步驟中，空壓的壓力設(shè)為1.5-2.5kg，空壓的溫度設(shè)為IOO0C -120。。。
[0014]優(yōu)選地，在蝕刻的步驟中，蝕刻速度控制為0.8-5m / min，并將蝕刻面朝下。將蝕刻面朝下，其目的在于減小水池效應(yīng)。
[0015]優(yōu)選地，對IOZ以上的底銅進(jìn)行至少兩次蝕刻。
[0016]優(yōu)選地，所述的保護(hù)膜為聚酯保護(hù)膜。此類聚酯保護(hù)膜可以耐顯影藥水、酸性蝕刻藥水以及退膜藥水的化學(xué)腐蝕；而且此類保護(hù)膜還具有一定的粘性，實(shí)際應(yīng)用時(shí)牢牢地粘附在板面上，以阻擋藥水對板面的沖擊，而且使用完成后容易從板面上撕掉，撕掉后不會對板面產(chǎn)生污染。
[0017]優(yōu)選地，在貼感光膜的步驟中，貼膜壓力設(shè)為60+ / -5PSI，貼膜溫度設(shè)為110+ / -10°c，貼膜速度設(shè)為 1.2-1.6mm / min。
[0018]優(yōu)選地，在貼感光膜的步驟中，感光膜采用LDI專用干膜；在曝光的步驟中，采用LDI曝光，且曝光能級設(shè)為7-8級。
[0019]優(yōu)選地，在顯影的步驟中，顯影前作顯影點(diǎn)測試，顯影點(diǎn)設(shè)為40% -60%，并將顯影速度設(shè)為2_3m / min。
[0020]優(yōu)選地，在對感光膜進(jìn)行退膜的步驟中，退膜速度控制為1.0-4.5m / min。
[0021]本發(fā)明的有益效果在于:
[0022](I)本發(fā)明有利于避免出現(xiàn)陰陽銅板件因雙面補(bǔ)償線后間距不足而無法蝕刻的問題，從而增加陰陽銅箔電路板的可制造性。
[0023](2)本發(fā)明有利于避免傳統(tǒng)方法的陰陽銅蝕刻過程中因調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)蝕刻所帶來的殘銅、線小等缺陷，能提聞生廣合格率。
[0024](3)本發(fā)明可以解決各種陰陽銅板件的蝕刻問題，且不影響較小線寬線距的制作。【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述陰陽銅箔電路板的制作流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0027]如圖1所示，一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟:
[0028]提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進(jìn)行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；
[0029]在經(jīng)過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進(jìn)行蝕刻操作；
[0030]將陰陽銅箔板件第一面上的保護(hù)膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進(jìn)行蝕刻操作；
[0031]將陰陽銅箔板件第二面上的保護(hù)膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進(jìn)行退膜，獲得蝕刻后的陰陽銅箔電路板。[0032]實(shí)施例一
[0033]上述陰陽銅箔電路板可為內(nèi)層陰陽銅芯板，針對此種內(nèi)層芯板，其具體制作流程如下:
[0034]S1、對內(nèi)層陰陽銅芯板按照常規(guī)的補(bǔ)償方法進(jìn)行補(bǔ)償；
[0035]對于0.50Z的銅箔，單邊補(bǔ)償0.2mil ；10Z的銅箔則補(bǔ)償0.5mil。如補(bǔ)償后間距不足，可使用動(dòng)態(tài)補(bǔ)償進(jìn)行制作。
[0036]S2、對補(bǔ)償后的板件進(jìn)行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0037]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進(jìn)行貼感光膜操作。
[0038]在該步驟中貼膜壓力設(shè)為55PSI，貼膜溫度設(shè)為100°C ;貼膜速度設(shè)為1.2mm /min0
[0039]S4、對貼感光膜后的內(nèi)層芯板采用LDI曝光，曝光能級為7級。
[0040]S5、對曝光后的板件進(jìn)行顯影操作，顯影速度設(shè)為2m / min。其中，顯影前做顯影點(diǎn)測試，顯影點(diǎn)為40%。
[0041]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護(hù)膜；板面貼完保護(hù)膜后，則進(jìn)行空壓，且空壓壓力設(shè)為1.5kg ;空壓溫度設(shè)為100°c;然后對板件的第二面進(jìn)行常規(guī)蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用0.8m / min，蝕刻次數(shù)為兩次，1z銅箔則使用0.8m / min的蝕刻速度作四次蝕刻，另外蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0042]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進(jìn)行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護(hù)膜，并對板件的第二面貼上保護(hù)膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用0.8m / min，蝕刻次數(shù)為兩次，1z銅箔則使用0.8m / min的蝕刻速度作四次蝕刻，且在蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0043]S8、蝕刻結(jié)束后，撕掉板件第二面上的保護(hù)膜，并將板件第一面和第二面上同時(shí)進(jìn)行感光膜退膜，且退膜速度控制為1.0m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0044]實(shí)施例二
[0045]上述陰陽銅箔電路板依然為內(nèi)層陰陽銅芯板，針對該內(nèi)層芯板，根據(jù)需要采用不同的參數(shù)進(jìn)行制作，其具體制作流程如下:
[0046]S1、對內(nèi)層陰陽銅芯板按照常規(guī)的補(bǔ)償方法進(jìn)行補(bǔ)償；
[0047]對于0.50Z的銅箔，單邊補(bǔ)償0.2mil ；10Z的銅箔則補(bǔ)償0.5mil。如補(bǔ)償后間距不足，可使用動(dòng)態(tài)補(bǔ)償進(jìn)行制作。
[0048]S2、對補(bǔ)償后的板件進(jìn)行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0049]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進(jìn)行貼感光膜操作。
[0050]在該步驟中貼膜壓力設(shè)為65PSI，貼膜溫度設(shè)為120°C ;貼膜速度設(shè)為1.6mm /min。
[0051]S4、對貼感光膜后的內(nèi)層芯板采用LDI曝光，曝光能級為8級。
[0052]S5、對曝光后的板件進(jìn)行顯影操作，顯影速度設(shè)為3m / min。其中，顯影前做顯影點(diǎn)測試，顯影點(diǎn)為60%。
[0053]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護(hù)膜；板面貼完保護(hù)膜后，則進(jìn)行空壓，且空壓壓力設(shè)為2.5kg ;空壓溫度設(shè)為120°C;然后對板件的第二面進(jìn)行常規(guī)蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用5m / min，loz銅箔則使用5m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，另外蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0054]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進(jìn)行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護(hù)膜，并對板件的第二面貼上保護(hù)膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用5m / min，loz銅箔則使用5m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，且在蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0055]S8、蝕刻結(jié)束后，撕掉板件第二面上的保護(hù)膜，并將板件第一面和第二面上同時(shí)進(jìn)行感光膜退膜，且退膜速度控制為4.5m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0056]實(shí)施例三
[0057]上述陰陽銅箔電路板可為外層層壓板，針對外層層壓板的蝕刻制作，其具體制作流程如下:
[0058]S1、對外層層壓板按照常規(guī)的補(bǔ)償方法進(jìn)行補(bǔ)償；
[0059]對于0.50Z的銅箔，單邊補(bǔ)償0.2mil ；10Z的銅箔則補(bǔ)償0.5mil。如補(bǔ)償后間距不足，可使用動(dòng)態(tài)補(bǔ)償進(jìn)行制作。
[0060]S2、對補(bǔ)償后的板件進(jìn)行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0061]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進(jìn)行貼感光膜操作。
[0062]在該步驟中貼膜壓力設(shè)為60PSI，貼膜溫度設(shè)為110°C ;貼膜速度設(shè)為1.4mm /min。
[0063]S4、對貼感光膜后的外層層壓板采用LDI曝光，曝光能級為7_8級。
[0064]S5、對曝光后的板件進(jìn)行顯影操作，顯影速度設(shè)為2.6m / min。其中，顯影前做顯影點(diǎn)測試，顯影點(diǎn)為50%。
[0065]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護(hù)膜；板面貼完保護(hù)膜后，則進(jìn)行空壓，且空壓壓力設(shè)為2kg ;空壓溫度設(shè)為120°C;然后對板件的第二面進(jìn)行常規(guī)蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用3.1m / min, 1z銅箔則使用3.1m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，另外蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0066]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進(jìn)行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護(hù)膜，并對板件的第二面貼上保護(hù)膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用3.1m / min, 1z銅箔則使用3.1m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，且在蝕刻時(shí)，將蝕刻面朝下，以減小水池效應(yīng)。
[0067]S8、蝕刻結(jié)束后，撕掉板件第二面上的保護(hù)膜，并將板件第一面和第二面上同時(shí)進(jìn)行感光膜退膜，且退膜速度控制為1.8m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0068]上述實(shí)施例一至實(shí)施例三的保護(hù)膜均為聚酯保護(hù)膜。此類聚酯保護(hù)膜可以耐顯影藥水、酸性蝕刻藥水以及退膜藥水的化學(xué)腐蝕；而且此類保護(hù)膜還具有一定的粘性，實(shí)際應(yīng)用時(shí)牢牢地粘附在板面上，以阻擋藥水對板面的沖擊，而且使用完成后容易從板面上撕掉，撕掉后不會對板面產(chǎn)生污染。
[0069]以上所有實(shí)施例均具有以下優(yōu)點(diǎn)或原理:
[0070]1、上述實(shí)施例均有利于避免出現(xiàn)陰陽銅板因雙面補(bǔ)償線后間距不足而無法蝕刻的情況，從而增加陰陽銅箔板件的可制造性。
[0071]2、上述實(shí)施例均有利于避免傳統(tǒng)方法的陰陽銅蝕刻過程中因調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)蝕刻所帶來的殘銅、線小等缺陷，從而有利于提高生產(chǎn)合格率。
[0072]3、上述實(shí)施例可以解決相應(yīng)陰陽銅板件的蝕刻問題，且不影響較小線寬線距的制作。
[0073]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進(jìn)行貼感光膜、曝光和顯影的蝕刻前操作； 在經(jīng)過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進(jìn)行蝕刻操作； 將陰陽銅箔板件第一面上的保護(hù)膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護(hù)膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進(jìn)行蝕刻操作； 將陰陽銅箔板件第二面上的保護(hù)膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進(jìn)行退膜，獲得陰陽銅箔電路板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼保護(hù)膜后，進(jìn)行空壓操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在進(jìn)行空壓操作的步驟中，空壓的壓力設(shè)為1.5-2.5kg，空壓的溫度設(shè)為100°C -120°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在蝕刻的步驟中，蝕刻速度控制為0.8-5m / min，并將蝕刻面朝下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，對IOZ以上的底銅進(jìn)行至少兩次蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，所述的保護(hù)膜為聚酯保護(hù)膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼感光膜的步驟中，貼膜壓力設(shè)為60+ / -5PSI，貼膜溫度設(shè)為110+ / _10°C，貼膜速度設(shè)為1.2-1.6mm / min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼感光膜的步驟中，感光膜采用LDI專用干膜；在曝光的步驟中，采用LDI曝光，且曝光能級設(shè)為7-8 級。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在顯影的步驟中，顯影前作顯影點(diǎn)測試，顯影點(diǎn)設(shè)為40%-60%，并將顯影速度設(shè)為2-3m / min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在對感光膜進(jìn)行退膜的步驟中，退膜速度控制為1.0-4.5m / min。
【文檔編號】H05K3/06GK103796437SQ201410040505
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】袁處, 李艷國, 陳蓓 申請人:廣州興森快捷電路科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司