單晶金剛石的制造方法
【專利摘要】本發明提供在通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板上穩定地追加堆積氣相合成單晶金剛石而制造高質量的單晶金剛石的方法。一種在通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板上追加堆積氣相合成單晶金剛石的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)測量晶種基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的測量結果，判定是否進行晶種基板的平坦化的工序；(3)以下兩工序中之一，即，(3a)基于判定，對于需要平坦化的晶種基板，進行平坦化之后，追加堆積氣相合成單晶金剛石的工序，(3b)基于判定，對于不需要平坦化的晶種基板，不進行平坦化而追加堆積氣相合成單晶金剛石的工序。
【專利說明】單晶金剛石的制造方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及單晶金剛石的制造方法。

【背景技術】
[0002]金剛石具有5.47eV的寬帶隙，絕緣擊穿電場強度也非常高，達到lOMV/cm。并且，在物質當中具有最高的導熱系數，所以若將其用于電子器件，則作為高輸出功率電子器件是有利的。
[0003]另外，金剛石的漂移遷移率也很高，即使比較Johnson性能指數，在半導體當中作為高速電子器件也是有利的。所以，金剛石被稱為適合高頻率、高輸出功率電子器件的頂級半導體。
[0004]現在，金剛石半導體制作用的單晶金剛石大部分是由高壓法合成的被稱為Ib型的金剛石。這種Ib型金剛石含有大量氮雜質，而且只能獲得5_見方左右的大小，實用性低。
[0005]與此相對,通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n:CVD)法,如果是多晶金剛石的話則能夠獲得高純度的直徑6英寸左右的大面積的金剛石。然而，進行適于通常的電子器件的單晶化較為困難。這是因為以往使用單晶Si作為基板，Si與金剛石之間的晶格常數的差異大(錯配度達52.6% )，異質外延生長非常困難的緣故。
[0006]因此，人們進行了各種研究探索，有報道稱作為底膜將Pt (參照非專利文獻I)或Ir (參照非專利文獻2)在基礎基板上成膜，在其上面形成金剛石膜的方法較為有效。
[0007]目前，尤其是關于Ir的研究進展最快。該方法是在MgO、Si等的基礎基板上異質外延生長Ir膜。此外，也有研究建議可根據需要在Ir膜與基礎基板之間增加緩沖層。此夕卜，通過用直流等離子體CVD法進行基于氫氣稀釋甲烷氣體的離子照射前處理之后進行金剛石生長，已經從最初的亞微米尺寸，得到了目前數毫米尺寸的產品。
[0008]【現有技術文獻】
[0009]【非專利文獻】
[0010]【非專利文獻I]J.Mater.Res.Vol.11 (1996)ρρ.2955，2956
[0011]【非專利文獻2] Jpn.J.App1.Phys.Vol.35 (1996) pp.L1072-L1074


【發明內容】

[0012]發明要解決的課題
[0013]在由使用如上所述的底膜的CVD法制造單晶金剛石的制造方法中，基礎基板與底膜、進而與金剛石之間的線膨脹系數的差異很大，例如，MgO基板與Ir膜、進而金剛石的線膨脹系數分別是13.8 X KTfV1、7.1XlO-fV1U.1 X lO—V1，對金剛石生長后的基板而言，金剛石的厚度即使很小也會產生凸狀的較大彎曲，這會導致單晶金剛石的破損，給實用上帶來問題。
[0014]因此，在形成了底膜的基礎基板(底基板)上生長一層薄薄的金剛石層之后，從金剛石層/基礎基板分離出金剛石層，制成薄金剛石自立基板。并且，將此作為單晶金剛石晶種基板，進一步厚厚地追加堆積金剛石而完成，這種方法是有效的。
[0015]不過，這種晶種基板在某些條件下有時會產生較大的彎曲。如果在具有較大彎曲(低平坦度)的晶種基板上，利用微波CVD法、DC等離子CVD法等方法進行追加堆積，則在承載晶種基板的基臺和晶種基板之間將會產生間隙。一旦出現間隙，晶種基板會產生局部高溫，導致單晶金剛石的質量的降低。特別是在大功率和高碳濃度、高壓力等的能加快堆積速度的條件下，這一傾向尤為顯著。
[0016]本發明鑒于以上問題而完成，其目的在于，提供一種在通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板上穩定地追加堆積氣相合成單晶金剛石從而制造高質量的單晶金剛石的方法。
[0017]【解決問題的方法】
[0018]為了解決上述課題，根據本發明，可提供一種單晶金剛石的制造方法，gp，
[0019]一種單晶金剛石的制造方法，其為將通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板置于基臺上而追加堆積氣相合成單晶金剛石的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，包括以下工序:
[0020](I)測量追加堆積上述氣相合成單晶金剛石之前的上述單晶金剛石晶種基板的平坦度的工序；
[0021](2)基于上述平坦度的測量結果，判定是否進行上述單晶金剛石晶種基板的平坦化的工序；
[0022](3)以下2個工序中之一:
[0023](3a)基于上述判定，對于需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板，進行平坦化之后，追加堆積上述氣相合成單晶金剛石的工序，
[0024](3b)基于上述判定，對于不需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板，不進行平坦化而追加堆積上述氣相合成單晶金剛石的工序。
[0025]根據該單晶金剛石的制造方法，通過使用高平坦度的單晶金剛石晶種基板，或者通過進行低平坦度晶種基板的平坦化，使得晶種基板與基臺充分接觸而穩定地追加堆積，從而能夠得到高質量的單晶金剛石。
[0026]并且，此時，在上述(3a)工序中，根據上述單晶金剛石晶種基板的平坦度，通過在低功率條件下在上述單晶金剛石晶種基板的表面或背面形成堆積了氣相合成單晶金剛石的平坦化層來進行上述單晶金剛石晶種基板的平坦化。
[0027]根據這個方法，即使是低平坦度的單晶金剛石晶種基板，通過形成平坦化層使晶種基板與基臺充分接觸而穩定地追加堆積，從而能夠得到高質量的單晶金剛石。
[0028]并且，此時，在上述工序(3a)中，根據上述單晶金剛石晶種基板的平坦度，將上述單晶金剛石晶種基板置于上述基臺上，通過形成在上述基臺上的吸著孔進行減壓，利用腔室內氣體壓力與基臺吸著孔內氣體壓力的壓力差使上述單晶金剛石晶種基板吸著于上述基臺，從而能夠進行上述單晶金剛石晶種基板的平坦化。
[0029]根據這個方法，即使是低平坦度的單晶金剛石晶種基板，能夠通過將晶種基板吸著于基臺使其平坦，使晶種基板與基臺充分接觸而穩定地追加堆積，從而能夠得到高質量的單晶金剛石，因此，能夠得到高質量的單晶金剛石。
[0030]并且，在上述工序(2)的判定中，能夠將上述測量的平坦度大于20 μ m的單晶金剛石晶種基板作為需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板，將上述測量的平坦度為20 μ m以下的單晶金剛石晶種基板作為不需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板。
[0031]通過將是否進行單晶金剛石晶種基板的平坦化的判定基準設定為這樣的值，能夠在更高平坦度的晶種基板上進行追加堆積，因此，能夠更確實地得到高質量的單晶金剛石。
[0032]發明的效果
[0033]如上所述，根據本發明的單晶金剛石的制造方法，通過使用高平坦度的單晶金剛石晶種基板，或者通過對低平坦度的晶種基板進行平坦化，能夠使晶種基板和基臺充分接觸且穩定地進行追加堆積，故能得到高質量的單晶金剛石。另外，本發明的單晶金剛石，從結晶性及其尺寸而言，對于實用性的電子設備制作極為有用。因此，如果將這種單晶金剛石作為LED、功率器件等的電子器件用基板，則完全能夠獲得所期望的特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是表示本發明的單晶金剛石的制造方法的一個例子的流程圖。

【具體實施方式】
[0035]以下，對本發明的實施方式進行說明，不過，本發明并非限定于這些實施方式。
[0036]本發明人發現，為了使氣相合成單晶金剛石穩定地追加堆積于通過氣相合成得到的薄單晶金剛石晶種基板上，必須讓CVD裝置的基臺與晶種基板充分接觸，如果是高平坦度的晶種基板，則能夠使基臺與晶種基板充分接觸并且穩定地進行追加堆積，從而完成了本發明。
[0037]本發明人進一步發現，即使是低平坦度的晶種基板，通過以低堆積速度在晶種基板的表面或背面形成平坦化層而對晶種基板進行平坦化，或者利用設在基臺上的吸著孔減壓吸著來強制性地校正晶種基板而進行平坦化，則能夠使基臺和晶種基板充分接觸。
[0038]本發明為單晶金剛石的制造方法，其為將通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板置于基臺上而使氣相合成單晶金剛石追加堆積的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，包括以下工序:
[0039](I)測量追加堆積上述氣相合成單晶金剛石之前的上述單晶金剛石晶種基板的平坦度的工序；
[0040](2)基于上述平坦度的測量結果，判定是否進行上述單晶金剛石晶種基板的平坦化的工序；
[0041](3)以下2個工序中之一:
[0042](3a)基于上述判定，對于需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板，進行平坦化之后，追加堆積上述氣相合成單晶金剛石的工序，
[0043](3b)基于上述判定，對于不需要上述平坦化的上述單晶金剛石晶種基板，不進行平坦化而追加堆積上述氣相合成單晶金剛石的工序。
[0044]本發明的單晶金剛石的制造方法可按照圖1中的流程圖所示的流程來進行。
[0045]本發明中所使用的單晶金剛石晶種基板能夠通過以下步驟得到:例如，通過濺射法等在基礎基板上形成底膜，對形成了該底膜后的基礎基板進行為了金剛石生長核形成的預處理之后，通過CVD法來異質外延生長金剛石，再通過蝕刻法法等分離金剛石層(圖1(0))。
[0046]此種情況下，例如可使用MgO基板或Si基板作為基礎基板。
[0047]另外,例如可使用Ir膜或Pt膜作為底膜。
[0048]形成底膜時，例如，能夠通過使用Ir作為原料，可采用13.56MHz的R.F.磁控濺射法，在功率1，000W，Ar氣體氣氛，腔室內壓力5X10_2Torr的條件下進行制膜，從而形成底膜。
[0049]另外，進行為了金剛石生長核形成的預處理時，例如能夠使用氫稀釋甲烷作為原料氣體。具體來講，利用偏壓法，在氫稀釋甲烷(CH4的體積)/{(CH4+H2)的體積}=5.0vol.腔室內壓力為10Torr下，向基板側電極施加負電壓曝曬于等離子中90秒鐘，從而形成金剛石生長核。
[0050]應該說明的是，以下，將氫稀釋甲烷的vol.%規定為(CH4的體積)/{(CH4+H2)的體積}。
[0051]還有，在形成了底膜的基礎基板上異質外延生長金剛石時，例如，可使用氫稀釋甲烷作為原料氣體。具體來講，可采用2.45GHz的微波CVD法，在功率4，000W，氫稀釋甲烷
5.0vol.%，腔室內壓力IlOTorr的條件下進行堆積，從而形成金剛石層。
[0052]從底膜/基礎基板分離金剛石層時，例如，可以浸潰于磷酸溶液或熱混酸等的濕法刻蝕液中，在分離成金剛石層/底膜和基礎基板之后，用機械研磨法除去殘留的底膜，由此得到單晶金剛石晶種基板。另外，也可以不在濕法刻蝕液中浸潰而利用機械研磨法同時除去底膜/基礎基板。
[0053]對如此得到的基于氣相合成法的單晶金剛石晶種基板的平坦度進行測量(圖1(1))。(I)工序的平坦度的測量，例如可以采用觸針式彎曲測量機、激光光譜干涉式彎曲測量機，及激光斜入射干涉式彎曲測量機等來進行。
[0054]接著，基于在(I)工序中所測量的晶種基板的平坦度，對是否進行晶種基板的平坦化進行判定(圖1(2))。此時，可以將在(I)工序中所測量的平坦度大于20 μ m的晶種基板定為需要平坦化的單晶金剛石晶種基板，將在(I)工序中所測量的平坦度為20μπι以下的晶種基板定為不需要平坦化的單晶金剛石晶種基板。當然，并不限定于此，平坦度的判定基準根據所希望的產品金剛石基板的規格要求及載置晶種基板的基臺的平坦度等決定即可。
[0055]并且，在判定為需要平坦化的情況下，在(3a)工序中，根據單晶金剛石晶種基板的平坦度，能夠通過在單晶金剛石晶種基板的表面或背面以低功率條件形成堆積了氣相合成單晶金剛石的平坦化層，進行單晶金剛石晶種基板的平坦化。
[0056]根據這一方式，即使是低平坦度的晶種基板，通過形成平坦化層，能夠使晶種基板和基臺之間充分接觸從而穩定地進行追加堆積。并且，在形成平坦化層時，能夠通過使用例如氫稀釋甲烷作為原料氣體，以2.45GHz的微波CVD法，在功率1，000W，氫稀釋甲烷
6.0vol.%，腔室內壓力IlOTorr的條件下進行堆積來形成平坦化層。
[0057]另外，在(3a)工序中，根據單晶金剛石晶種基板的平坦度，也可將單晶金剛石晶種基板置于基臺上，從形成于基臺的吸著孔進行減壓，利用腔室內氣體壓力與基臺吸著孔內氣體壓力的壓力差，使單晶金剛石晶種基板吸著于基臺，從而強制地校正單晶金剛石晶種基板而進行平坦化。
[0058]根據這一方式，即使是低平坦度的晶種基板，通過使晶種基板吸著于基臺使晶種基板與基臺之間充分接觸，從而能夠穩定地進行追加堆積。
[0059]另外，在(3a)工序，進行了晶種基板的平坦化之后，也可以再次進行平坦度的測量。并且，也可以根據需要，再次進行平坦化。根據這一方式，能夠更確實地使用平坦的晶種基板進行單晶金剛石的追加堆積。此外，在晶種基板的平坦化中，為了形成更平坦的晶種基板，也可以將形成了平坦化層的晶種基板吸著于基臺進行追加堆積。
[0060]另外，(3a)工序及(3b)工序的追加堆積，能夠通過使用例如氫稀釋甲烷作為原料氣體，以2.45GHz的微波CVD法，在功率4，000W，氫稀釋甲烷5.0vol.%，腔室內壓力I 1Torr的條件下進行追加堆積的，從而造單晶金剛石。
[0061]如上所述，根據本發明的單晶金剛石的制造方法，通過使用高平坦度的單晶金剛石晶種基板，或進行低平坦度的晶種基板的平坦化，能夠使晶種基板與基臺之間充分接觸并穩定地進行追加堆積，故能夠得到高質量的單晶金剛石。而且，本發明的單晶金剛石，從結晶性及其尺寸來講，對制作實用性的電子器件極為有用。因此，如果將這種單晶金剛石用作LED、功率器件等的電子器件用基板，則完全能夠獲得所期望的特性。
[0062]【實施例】
[0063]以下，通過列舉實施例及比較例對本發明進行更詳細的說明，不過，本發明并非限定于此。
[0064]實施例1
[0065]作為基礎基板，準備10.0mm見方、厚度為1.0mm的四方(100)雙面研磨單晶MgO,在將要進行金剛石制膜的面的一側異質外延生長Ir形成地膜。制膜采用了將直徑6英寸、厚度5mm、純度99.9%以上的Ir作為靶的13.56MHz的R.F.磁控濺射法。將MgO基板加熱至800°C,確認基礎壓力達到6X KT7Torr以下后，弓丨入1sccm的Ar氣體。將通向排氣系統的閥門開口度調節為5X KT2Torr之后，輸入R.F.功率1，000W進行了 15分鐘的制膜。得到的Ir的膜厚為0.7 μ m。
[0066]接著,將形成了 Ir膜的MgO基板設置在14mm見方的平板型的電極上,確認基礎壓力達到IXKT6Torr以下后，引入500sccm的作為原料氣體的氫稀釋甲燒5.0vol.%。將通向排氣系統的閥門開口度調節為10Torr之后，向基板側電極加負電壓，曝曬于等離子中90秒鐘，在制膜有Ir膜的MgO基板表面形成了金剛石生長核。
[0067]接著，利用2.45GHz的微波CVD法異質外延生長了金剛石。將基板設置在微波CVD裝置的腔室內，使用回轉泵排氣至KT3Torr以下的基礎壓力后，引入I, OOOsccm的作為原料氣體的氫稀釋甲烷5.0vol.%。調解通向排氣系統的閥門開口度，使腔室內為IlOTorr之后，輸入功率4，OOOW的微波進行了 10小時的制膜。用測溫儀測量制膜中的基板溫度，結果為 900。。。
[0068]所得到的金剛石層在1mm見方的整個基板表面沒有剝離，為完整的連續膜，膜厚為50 μ m，平坦度為60 μ m。用蝕刻法除去Ir膜/MgO基板，制成了平坦度為20 μ m的自立構造單晶金剛石晶種基板。由于平坦度為20 μ m，故判定為該晶種基板不需要進行平坦化。
[0069]將該晶種基板置于基臺，再次使用微波CVD法，除了將制膜時間改為50小時以外，在與以上的金剛石層的堆積時同樣的條件下進行追加堆積，得到了共計為300 μ m的單晶金剛石。
[0070]通過SEM觀察、X光散射(Θ -2 Θ，極點圖)獲知，該單晶金剛石為均質外延金剛石。并且，通過拉曼光譜分析的評價結果也可確認到，是不包含非金剛石成分的高純度金剛
O
[0071]實施例2
[0072]將為制作晶種基板的金剛石層的堆積時的微波CVD法中的制膜時間設為15小時，除此以外，進行與實施例1同樣的操作，得到了膜厚為75 μ m、平坦度為90 μ m的金剛石層。用蝕刻法除去Ir膜/MgO基板，制成了平坦度為60 μ m的自立構造單晶金剛石晶種基板。由于平坦度為60 μ m，故判定為該晶種基板需要進行平坦化。
[0073]為了對該晶種基板進行平坦化，利用微波CVD法，在1，000W、氫稀釋甲烷
6.0vol.%U1Torr的條件下，對晶種基板的背面進行了 5小時的堆積而形成平坦化層，從而制成了膜厚為80 μ m、平坦度為20 μ m的晶種基板。
[0074]將該晶種基板置于基臺，再次使用微波CVD法，除把制膜時間改為44小時以外，在與實施例1中向晶種基板追加堆積時同樣的條件進行追加堆積，得到了共計為300 μ m的單晶金剛石。
[0075]通過SEM觀察、X光散射(Θ -2 Θ，極點圖)獲知，該單晶金剛石為均質外延金剛石。并且，通過拉曼光譜分析的評價結果也可確認到，是不包含非金剛石成分的高純度金剛
O
[0076]實施例3
[0077]將為制造晶種基板的金剛石層的堆積時的微波CVD法中的制膜時間設為15小時，除此以外，進行與實施例1同樣的操作，得到膜厚為75 μ m、平坦度為90 μ m的金剛石層。用蝕刻法法除去Ir膜/MgO基板，制成了平坦度為60 μ m的自立構造單晶金剛石晶種基板。由于平坦度為60 μ m，故判定為該晶種基板需要進行平坦化。
[0078]為了對該晶種基板進行平坦化，將晶種基板置于CVD裝置的基臺上，從形成于基臺上的吸著孔進行減壓，使晶種基板吸著在基臺上。確認到吸著時的晶種基板的平坦度為20 μ m以下。
[0079]對于該晶種基板，再次使用微波CVD法，除把制膜時間改為45小時以外，在與實施例I中向晶種基板追加堆積時同樣的條件下，邊進行上述吸著，邊進行追加堆積，從而得到了共計300 μ m的單晶金剛石。
[0080]通過SEM觀察、X光散射(Θ -2 Θ，極點圖)獲知，該單晶金剛石為均質外延金剛石。并且，通過拉曼光譜分析的評價結果也可確認到，是不包含非金剛石成分的高純度金剛
O
[0081]比較例
[0082]將為制造晶種基板的金剛石層的堆積時的微波CVD法中的制膜時間設為15小時，除此以外，進行與實施例1同樣的操作，得到了金剛石層。為了與實施例比較，測量了膜厚及平坦度，結果分別為膜厚75 μ m、平坦度90 μ m。然后，用蝕刻法法除去Ir膜/MgO基板，為了比較，再次測量了平坦度，結果為是平坦度為60 μ m的自立構造單晶金剛石晶種基板。
[0083]不進行是否進行平坦化的判定，在與向實施例1的晶種基板追加堆積時同樣的條件下，對晶種基板進行了追加堆積，結果以與晶種基板的基臺未接觸的部分為中心基板溫度升高，所堆積的金剛石不具有單結晶，而是具有細小的結晶粒。
[0084]如上所述，在使用高平坦度的晶種基板進行追加堆積的實施例1、通過在低平坦度的晶種基板上形成平坦化層來對晶種基板進行平坦化并進行追加堆積的實施例2、以及通過將低平坦度的晶種基板吸著于基臺來對晶種基板進行平坦化并進行追加堆積的實施例3中，晶種基板和基臺之間能夠充分接觸，穩定地進行追加堆積，從而能得到高質量的單晶金剛石。
[0085]而在不進行是否對低平坦度的晶種基板進行平坦化的判定，直接進行追加堆積的比較例中，以與晶種基板的基臺未接觸的部分為中心，基板溫度升高，未能得到單晶金剛
O
[0086]從以上結果可以清楚地看到，根據本發明的單晶金剛石的制造方法，通過使用高平坦度的單晶金剛石晶種基板，或者進行低平坦度的晶種基板的平坦化，能夠使觸晶種基板和基臺充分接觸并穩定地進行追加堆積，故能夠得到高質量的單晶金剛石。
[0087]應該說明的是，本發明并非限定于上述實施方式。上述實施方式僅為例示，任何具有與本發明的權利要求中所記載的技術思想事實上相同的構成，并達到相同的技術效果的技術方案，均涵蓋于本發明的技術范圍之中。
【權利要求】
1.一種單晶金剛石的制造方法，其為將通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板置于基臺上而追加堆積氣相合成單晶金剛石的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，包括以下工序: (1)測量追加堆積上述氣相合成單晶金剛石之前的所述單晶金剛石晶種基板的平坦度的工序； (2)基于所述平坦度的測量結果，判定是否進行所述單晶金剛石晶種基板的平坦化的工序； (3)以下2個工序中之一: (3a)基于所述判定，對于需要所述平坦化的所述單晶金剛石晶種基板，進行平坦化之后，追加堆積所述氣相合成單晶金剛石的工序， (3b)基于所述判定，對于不需要所述平坦化的所述單晶金剛石晶種基板，不進行平坦化而追加堆積所述氣相合成單晶金剛石的工序。
2.如權利要求1所述的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，在所述(3a)工序中，根據所述單晶金剛石晶種基板的平坦度，通過在低功率條件下在所述單晶金剛石晶種基板的表面或背面形成堆積了氣相合成單晶金剛石的平坦化層來進行所述單晶金剛石晶種基板的平坦化。
3.如權利要求1或權利要求2所述的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，在所述工序(3a)中，根據所述單晶金剛石晶種基板的平坦度，將所述單晶金剛石晶種基板置于所述基臺，從形成在所述基臺上的吸著孔進行減壓，利用腔室內氣體壓力與基臺吸著孔內氣體壓力的壓力差，使所述單晶金剛石晶種基板吸著于所述基臺，從而進行所述單晶金剛石晶種基板的平坦化。
4.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的單晶金剛石的制造方法，其特征在于，在所述工序(2)的判定中，將所述測量的平坦度大于20μπι的單晶金剛石晶種基板作為需要所述平坦化的所述單晶金剛石晶種基板，將所述測量的平坦度為20 μπι以下的單晶金剛石晶種基板作為不需要所述平坦化的所述單晶金剛石晶種基板。
【文檔編號】C30B29/04GK104451868SQ201410478813
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月18日 優先權日:2013年9月19日
【發明者】野口仁, 竹內大輔, 山崎聰, 小倉政彥, 加藤宙光, 牧野俊晴, 大串秀世 申請人:信越化學工業株式會社, 獨立行政法人產業技術綜合研究所