技術編號：41707024
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造，尤其涉及一種mems空腔結構的制備方法。背景技術、微電子機械系統(mems，micro?electro?mechanical?system)是能夠感知實體世界或作為致動器的微型尺寸器件，mems廣泛的應用于制作基于硅材料的微傳感器、微執行器等微機械基本部分及微機電器件與裝置。、現有的mems空腔結構的制備方法，在soi晶圓的頂硅層上完成mems器件區的制備之后，在soi晶圓的底硅層的背面形成凹槽結構，最后將第一晶圓鍵合至soi晶圓的底硅層上，形成mems空腔結構。這種方...
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