技術(shù)編號(hào)：41765123
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體基片的表面處理方法。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體器件制造過程中，柵極絕緣膜是非常關(guān)鍵的一步。其主要作用是防止電子漏流和電荷堆積，保證器件的可靠性和穩(wěn)定性。、在常規(guī)的低溫多晶硅(low?temperature?poly-silicon，簡(jiǎn)稱ltps)技術(shù)中，柵極絕緣(gate?insulator，簡(jiǎn)稱gi)膜層采用化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡(jiǎn)稱cvd)方法制作。但傳統(tǒng)方法存在著制備工藝復(fù)雜、生產(chǎn)效率低，且膜體結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定等...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。