本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體基片的表面處理方法。
背景技術：
1、在半導體器件制造過程中，柵極絕緣膜是非常關鍵的一步。其主要作用是防止電子漏流和電荷堆積，保證器件的可靠性和穩定性。
2、在常規的低溫多晶硅(low?temperature?poly-silicon，簡稱ltps)技術中，柵極絕緣(gate?insulator，簡稱gi)膜層采用化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡稱cvd)方法制作。但傳統方法存在著制備工藝復雜、生產效率低，且膜體結構不穩定等問題。
3、因此，亟待提供一種改進的半導體基片的表面處理方法以克服以上缺陷。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供一種改進的半導體基片的表面處理方法，可在半導體基片上形成結構穩定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡單、成本低、生產效率高。
2、為實現上述目的，本發明半導體基片的表面處理方法，包括以下步驟：
3、在半導體基片的表面上形成氧化硅層；
4、在所述氧化硅層上形成過渡層；
5、在所述過渡層上形成硅基層；以及
6、在所述硅基層上形成柵極絕緣層。
7、與現有技術相比，本發明首先在在半導體基片的表面上形成氧化硅層，繼而在氧化硅層上形成較薄的過渡層，再在過渡層上形成硅基層，最后在硅基層上形成柵極絕緣層，通過氧化層、過渡層、硅基層和柵極絕緣層之間的結合，使得作為表層的柵極絕緣層與基片之間的接觸界面穩定，結合力大大增強，穩定性高、不容易脫落；而且，這樣的形成方法操作簡單、可以降低生產成本、提高生產效率。
8、作為一個優選實施例，形成所述氧化硅層之前，對所述半導體基片進行清洗。
9、作為一個優選實施例，采用氣相沉積形成所述氧化硅層和所述硅基層。
10、作為一個優選實施例，所述氣相沉積包括化學氣相沉積(cvd)和/或物理氣相沉積(pvd)。
11、作為一個優選實施例，所述化學氣相沉積包括等離子增強型化學氣相淀積(pecvd)。
12、作為一個優選實施例，所述柵極絕緣層包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種。
13、作為一個優選實施例，采用蝕刻形成所述柵極絕緣層。
14、作為一個優選實施例，所述氧化硅層的厚度為200-300nm。
15、作為一個優選實施例，所述過渡層為鋁，所述過渡層的厚度為20-30nm。
16、作為一個優選實施例，所述硅基層的厚度為400-500nm，所述柵極絕緣層的厚度為150-250nm。
1.一種半導體基片的表面處理方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：形成所述氧化硅層之前，對所述半導體基片進行清洗。
3.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于，采用氣相沉積形成所述氧化硅層和所述硅基層。
4.如權利要求3所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述氣相沉積包括化學氣相沉積(cvd)和/或物理氣相沉積(pvd)。
5.如權利要求4所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述化學氣相沉積包括等離子增強型化學氣相淀積(pecvd)。
6.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述柵極絕緣層包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種。
7.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：采用蝕刻形成所述柵極絕緣層。
8.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述氧化硅層的厚度為200-300nm。
9.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述過渡層為鋁，所述過渡層的厚度為20-30nm。
10.如權利要求1所述的半導體基片的表面處理方法，其特征在于：所述硅基層的厚度為400-500nm，所述柵極絕緣層的厚度為150-250nm。