技術編號：41773498
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體存儲器裝置。更具體地，本公開涉及具有其中存儲器單元陣列和位線讀出放大器(blsa；下文中也被稱為讀出放大器)位于不同晶圓上并豎直重疊的結(jié)構(gòu)的半導體存儲器裝置。背景技術、半導體存儲器裝置可以被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置在電源被切斷時丟失存儲的數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器裝置即使在電源被切斷時也保持存儲的數(shù)據(jù)。易失性存儲器裝置包括dram、fram等。、為了提高半導體存儲器裝置的集成度，正在開發(fā)各種單元結(jié)構(gòu)，并且正在開發(fā)一種其中存儲器單元陣列和檢測存儲...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。