本公開涉及半導體存儲器裝置。更具體地，本公開涉及具有其中存儲器單元陣列和位線讀出放大器(blsa；下文中也被稱為讀出放大器)位于不同晶圓上并豎直重疊的結構的半導體存儲器裝置。

背景技術：

1、半導體存儲器裝置可以被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置在電源被切斷時丟失存儲的數據，而非易失性存儲器裝置即使在電源被切斷時也保持存儲的數據。易失性存儲器裝置包括dram、fram等。

2、為了提高半導體存儲器裝置的集成度，正在開發各種單元結構，并且正在開發一種其中存儲器單元陣列和檢測存儲在存儲器單元中的數據的讀出放大器形成在不同的芯片上并且被布置為彼此豎直重疊的結構。

技術實現思路

1、一些示例實施例提供了具有其中布線被有效地設置的堆疊芯片結構的半導體存儲器裝置。

2、一些示例實施例減少了具有堆疊芯片結構的半導體存儲器裝置中的位線和互補位線之間的耦接。

3、根據示例實施例，一種半導體存儲器裝置包括：第一芯片，其包括彼此相鄰的第一陣列矩陣和第二陣列矩陣，第一陣列矩陣和第二陣列矩陣各自包括多個存儲器單元；以及第二芯片，其位于第一芯片下方，第二芯片包括被配置為驅動第一陣列矩陣和第二陣列矩陣的存儲器單元的多個讀出放大器。多條第一單元位線位于第一陣列矩陣中，多條第二單元位線位于第二陣列矩陣中，并且多條第一位線和多條第一互補位線位于第一陣列矩陣下方，并且多條第二位線和多條第二互補位線位于第二陣列矩陣下方。第一位線中的每一條連接到第一單元位線中的一條，第一互補位線中的每一條連接到第二單元位線中的一條，第二位線中的每一條連接到第二單元位線中的一條，第二互補位線中的每一條連接到第一單元位線中的一條，并且讀出放大器包括多個第一讀出放大器和多個第二讀出放大器，多個第一讀出放大器中的至少一部分位于第一陣列矩陣下方，多個第二讀出放大器中的至少一部分位于第二陣列矩陣下方。成對的第一位線中的一條和第一互補位線中的對應的一條連接到第一讀出放大器中的對應的一個，并且成對的第二位線中的一條和第二互補位線中的對應的一條連接到第二讀出放大器中的對應的一個。

4、根據示例實施例，一種半導體存儲器裝置包括：第一芯片，其包括陣列矩陣，陣列矩陣包括多個存儲器單元；以及第二芯片，其包括多個讀出放大器，讀出放大器位于第一芯片下方并且被配置為驅動陣列矩陣的存儲器單元。多條單元位線位于陣列矩陣中，多條位線和多條互補位線位于陣列矩陣下方，成對的位線中的一條和互補位線中的對應的一條連接到讀出放大器中的對應的一個，并且屏蔽線、位線中的第二條和互補位線中的第二條中的至少一條位于共同連接到讀出放大器中的對應的一個的成對的位線中的一條和互補位線中的對應的一條之間。

5、根據示例實施例，一種半導體存儲器裝置包括：第一芯片，其包括陣列矩陣，陣列矩陣包括多個存儲器單元；以及第二芯片，其包括多個讀出放大器，讀出放大器位于第一芯片下方并且被配置為驅動陣列矩陣的存儲器單元。多條單元位線位于陣列矩陣中，多條位線和多條互補位線位于陣列矩陣下方，并且成對的位線中的一條和互補位線中的對應的一條連接到讀出放大器中的對應的一個。第二芯片包括將位線和互補位線連接到讀出放大器的多個下接合焊盤、多個第一連接層、以及多個第二連接層。第一連接層中的一個第一連接層連接到讀出放大器中的對應的一個讀出放大器的第一輸入端子，并且第二連接層中的對應的一個第二連接層連接到讀出放大器中的所述對應的一個讀出放大器的第二輸入端子，第一連接層中的每一個連接到下接合焊盤中的對應的一個，并且第二連接層中的每一個連接到下接合焊盤中的對應的一個。

6、根據示例實施例，通過有效地設置連接存儲器單元和讀出放大器的布線，可以減小布線的長度。

7、根據示例實施例，通過在將位線和互補位線連接到讀出放大器的布線之間設置將其它位線或互補位線連接到讀出放大器的布線，可以減小位線和互補位線之間的耦接。

技術特征：

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中：

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一位線與所述第一單元位線的連接、所述第二互補位線與所述第一單元位線的連接、所述第一互補位線與所述第二單元位線的連接以及所述第二位線與所述第二單元位線的連接位于所述第一陣列矩陣與所述第二陣列矩陣之間的邊界區域中。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一位線、所述第一互補位線、所述第二位線和所述第二互補位線中的每一條位于所述第一芯片中，并且包括多條上布線和多個上過孔件。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第二芯片包括將所述第一位線、所述第一互補位線、所述第二位線和所述第二互補位線連接到所述讀出放大器的多條下布線和多個下過孔件。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中：

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，在共同連接到所述第一讀出放大器中的對應的一個的所述第一位線中的一條和所述第一互補位線中的對應的一條之間，放置有屏蔽線、所述第一位線中的另一條和所述第一互補位線中的另一條中的至少一條。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中，在共同連接到所述第一讀出放大器中的對應的一個的所述第一位線中的一條和所述第一互補位線中的對應的一條當中，一條是直線，并且另一條是折線。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，所述折線與所述屏蔽線交叉并且與所述屏蔽線絕緣。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，所述折線包括位于所述屏蔽線的兩側處的第一部分和第二部分、與所述屏蔽線交叉并絕緣的連接部分、連接在所述第一部分和所述連接部分之間的第一過孔件、以及連接在所述第二部分和所述連接部分之間的第二過孔件。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，所述折線與所述第一位線和所述第一互補位線當中的至少一條交叉且絕緣。

12.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中：

13.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，所述下接合焊盤中的所述一個下接合焊盤連接到所述第一位線，并且所述下接合焊盤中的所述另一個下接合焊盤連接到所述第一互補位線。

14.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個下接合焊盤的組對應于所述第一連接層中的一個和所述第二連接層中的對應的一個兩者。

15.根據權利要求14所述的半導體存儲器裝置，其中，所述下接合焊盤的組中的一半連接到所述第一位線，所述下接合焊盤的組中的剩余一半連接到所述第一互補位線。

16.一種半導體存儲器裝置，包括：

17.根據權利要求16所述的半導體存儲器裝置，其中，在共同連接到所述讀出放大器中的對應的一個的所述位線中的一條和所述互補位線中的對應的一條當中，一條是直線，并且另一條是折線。

18.根據權利要求17所述的半導體存儲器裝置，其中，所述折線與所述屏蔽線交叉并且與所述屏蔽線絕緣。

19.一種半導體存儲器裝置，其包括：

20.根據權利要求19所述的半導體存儲器裝置，其中，所述下接合焊盤的組對應于所述第一連接層中的一個和所述第二連接層中的對應的一個兩者。

技術總結
一種半導體存儲器裝置可以包括：第一芯片，其包括彼此相鄰并且包括存儲器單元的第一陣列矩陣和第二陣列矩陣；以及第二芯片，其位于第一芯片下方，并且包括被配置為驅動存儲器單元的讀出放大器，其中，第一單元位線位于第一陣列矩陣中，并且第二單元位線位于第二陣列矩陣中，其中，第一位線和第一互補位線位于第一陣列矩陣下方，并且第二位線和第二互補位線位于第二陣列矩陣下方，并且其中，第一位線和第二位線分別連接到第一單元位線和第二單元位線，第一互補位線和第二互補位線分別連接到第二單元位線和第一單元位線。

技術研發人員：李昊錫,姜奎彰,鄭強燮,金多榮,樸榮奭
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28