技術(shù)編號：41774978
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請中實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制備工藝，特別涉及一種mos結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶體管的尺寸不斷縮小。目前，晶體管的工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)可以達(dá)到nm甚至.nm。、工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，使得單位面積內(nèi)可以容納更多的晶體管，從而實(shí)現(xiàn)更高密度的集成，提升芯片性能，但同時也存在亟待解決的技術(shù)問題，如mosfet（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，mos）存在的短溝道效應(yīng)（short?channel?effect）問題。短溝道效應(yīng)會影響晶體管的開啟與關(guān)閉特性，增加漏電流。隨著mosfet...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。