一種霍山石斛的種植方法
【專利摘要】本發明提供一種霍山石斛的種植方法，其特征在于以樹皮碎屑、米心石(質量比2∶1)為種植基質，并經過下列步驟：A.用0.05～0.1％的高錳酸鉀溶液，或者0.2％的百菌清浸泡基質5天，撈出晾曬后平鋪于種植床上，控制基質厚度10～15cm；B.將石斛幼苗取出，清水洗凈根部后用海藻進行包根；C.按10～15×15～20cm的株行距種植于上述基質中；D.種植后適量澆水、噴施營養液，噴灑殺菌劑或/和殺蟲劑，10～15個月即可采收。本發明具有取材容易、成本低、可循環使用、保水保肥效果好、密實度高等優點，有利于霍山石斛的良性生長，植株成活率高，勞動強度低，能使樹皮碎屑這一廢物得到充分利用。
【專利說明】一種霍山石斛的種植方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種種植方法，尤其是一種霍山石斛的種植方法，屬于植物栽培【技術領域】。
【背景技術】
[0002]霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬草本植物，主產于大別山區的安徽省霍山縣。霍山石斛是傳統的名貴中藥，有“千金草”、“軟黃金”之稱。現代藥理學研究表明，霍山石斛的多糖含量為普通石斛的3倍之多，能提高人體免疫力，尤其是對眼、咽、肺等器官疾病有特殊療效；霍山石斛能大幅度提高人體內SOD水平，非常適用于經常熬夜、用腦過度、體虛乏力的人群。然而霍山石斛在煉苗及原產地栽培過程中，成活率極低，嚴重影響了霍山石斛的發展。因此，許多科研人員對霍山石斛進行了快速繁殖技術的研究，大多集中在由野生種子萌發形成愈傷組織、原球莖，然后進行分化培養獲得再生苗。
[0003]現有技術中，經組織培養后的商品霍山石斛幼苗需要種植在以水苔、腐植土、木屑等基質上，才能保持或提聞種苗移栽的成活率。但這些基質不僅取材難，價格聞，而且使用期限短，保水保肥效果差，種植管理復雜，影響成品苗的生長質量和種植管理成本，從而直接影響石斛藥材的等級和價格，影響農民的收益。

【發明內容】

[0004]為克服現有技術中基質取材難、成本高、使用期限短，以及因保水保肥效果差而帶來的種植、管理復雜等缺 點，本發明提供一種取材容易，種植成本低，保水保肥效果好的霍山石斛種植方法。
[0005]本發明通過下列技術方案實現:一種霍山石斛種植方法，其特征在于以樹皮碎屑、米心石(質量比2: I)為種植基質，并經過下列步驟:
[0006]A.用0.05~0.1%的高錳酸鉀溶液，或者0.2%的百菌清浸泡基質5天，撈出晾曬后平鋪于種植床上，控制基質厚度10~15cm ；
[0007]B.將霍山石斛幼苗取出，清水小心洗凈根部，后用海藻進行包根；
[0008]C.按10~15 X 15~20cm的行距種植于A步驟的基質中；
[0009]D.種植后每2~5天澆水一次，操作按具體情況而定，每7天噴灑一次濃度為
0.12%的JT溶液，并噴灑防病用的殺菌劑或/和防蟲用的殺蟲劑，
[0010]E.霍山石斛的生長溫度不超過35°C，濕度保持80%，10~15個月即可采收。
[0011]所述A步驟的高錳酸鉀或百菌清均為市購商品。
[0012]所述B步驟的幼苗采用海藻包根。
[0013]所述D步驟的營養液為現有技術中的濃度為0.12%的JT溶液，其噴施量為常規量。
[0014]所述D步驟的殺菌劑或/和殺蟲劑采用現有技術中的常規藥劑，其用量為常規量。
[0015]本發明具有下列優點和效果:針對霍山石斛幼苗所具有的附生性這一特點，若使用普通基質移栽其成活率較低，而用水苔、木屑、腐植土等基質進行移栽，卻又存在成本高，取材難，使用期限短，種植管理成本高，操作煩雜等難題，本發明采用取材容易、成本低、使用期限長的樹皮碎屑和米心石作為種植基質，一則可充分利用樹皮碎屑所具有的保水、保肥性好，密實度高等獨特優點，使種植的石斛植株穩定，并有利于其健康生長，成活率高，同時能簡化管理和操作，降低農民的勞動強度，降低種植成本，減輕農民的負擔，增加農民收入，二則能使樹皮碎屑這一廢物得到充分利用，有效避免了其對環境造成的污染，利國利民，三則利用海藻包根可有效減少霍山石斛組織苗在栽培基質中的根系失水及機械損傷污染致死，同時保持較高的透氣性，提高霍山石斛組織苗的成活率。
【具體實施方式】
[0016]下面結合實施例對本發明做進一步描述。
[0017]本發明提供的霍山石斛種植方法，是以樹皮碎屑和米心石(質量比為2: I)為種植基質，并經過下列步驟:
[0018]A、用濃度為0.05%的高錳酸鉀水溶液，浸泡基質5天，撈出晾曬后平鋪于種植床上，控制基質厚度10~15cm;
[0019]B、將霍山石斛幼苗取出，清水小心洗凈根部，后用海藻進行包根；
[0020]C、按10~15X 15~20cm的行距種植于樹皮碎屑和米心石的基質中；
[0021]D、種植后每2~5天澆透水一次，操作按具體情況而定，每7天按常規量噴施一次濃度為0.12%的JT溶液，每2~3個月按40g/m2的量，并酌情噴灑防病用的稀釋1000倍的甲基托布津水溶液殺菌劑，同時按每平方米5g的量噴灑防蟲用的蝸克星殺蟲劑，保證霍山石斛的生長溫度不超過35°C，濕度保持80%，種植10個月即可收獲。
【權利要求】
1.一種霍山石斛的種植方法，其特征在于以樹皮碎屑和米心石為種植基質，并經過下列步驟: A.用0.05~0.1 %的高錳酸鉀溶液，或者0.2%的百菌清浸泡基質5天，撈出晾曬后平鋪于種植床上，控制基質厚度10~15cm ； B.將霍山石斛幼苗取出，清水小心洗凈根部，后用海藻進行包根； C.按10~15X 15~20cm的行距種植于A步驟的基質中； D.種植后每2~5天澆水一次，操作按具體情況而定，每7天噴灑一次濃度為0.12%的JT溶液，并噴灑防病用的殺菌劑或/和防蟲用的殺蟲劑， E.霍山石斛的生長溫度不超過35°C，濕度保持80%，10~15個月即可采收。
2.根據權利要求1所述的霍山石斛種植方法，其特征在于所述A步驟的高錳酸鉀或百菌清均為市購商品。
3.根據權利要求1所述的霍山石斛種植方法，其特征在于所述B步驟為海藻包根。
4 .根據權利要求1所述的霍山石斛種植方法，其特征在于所述D步驟的營養液為JT，其噴施量為常規量。
5.根據權利要求1所述的霍山石斛種植方法，其特征在于所述D步驟的殺菌劑或/和殺蟲劑采用現有技術中的常規藥劑，其用量為常規量。
6.根據權利要求1所述的霍山石斛種植方法，其特征在于所E步驟為霍山石斛的適宜生長條件。
【文檔編號】A01G31/00GK104012378SQ201310061776
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年2月28日 優先權日:2013年2月28日
【發明者】毛健, 姬中偉, 張敏, 牟穰, 陽志銳, 郭燕飛, 黎衛, 馮東陽, 鞏丹, 劉蕓雅 申請人:江南大學