技術領域

本發明涉及農業栽培種植技術領域，具體涉及一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法。

背景技術：

在目前的設施果菜生產中，很多地區的推廣單位引進了先進無土栽培生產國家的各種無土栽培技術和系統，如營養液膜系統、深液流系統、巖棉培、袋培、槽培等，但這些設備和技術大多為照搬照抄，設備成本居高不下，同時缺少配套的栽培管理技術，導致生產效益較低。

技術實現要素：

本發明的目的就是針對上述現有技術中的缺陷，提供了一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法。

為了實現上述目的，本發明提供的技術方案為：一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，包括以下步驟：

1）安裝復合栽培裝備；

2）西瓜和砧木品種選擇；

3）嫁接育苗；

4）定植；

5）水肥管理；

6）植株調整；

7）采收；

8）病蟲害防治。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟1）的復合栽培裝備，包括有栽培槽、地膜、黑白防滲膜、栽培盆缽、基質袋、營養液池、水泵及其配套灌溉回流管路；營養液池容積為3m³，栽培槽和蓋板選用高密度泡沫材料，栽培槽寬度90cm、長6.5m。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟2）中，西瓜選擇優良西瓜品種，砧木選擇根系發達，抗病性強的砧木品種。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟3）中，嫁接育苗是先進行溫湯浸種，小西瓜種子比砧木種子晚處理一周；砧木種子，浸泡洗凈后，晾至表面不打滑時進行嗑口處理，然后進行催芽，再將催芽后的砧木種子點播于32穴的穴盤中，西瓜種子點播于育苗盤中，覆土1.5cm～2cm，將播種后的育苗盤放在布置好的地熱線上；當砧木第一片真葉展平，接穗子葉未展平時采用插接法進行西瓜嫁接；嫁接時將砧木生長點及真葉徹底摘除，起出接穗，再用同接穗莖粗相同的鐵簽，從砧木生長點一側子葉基部向下對側朝下斜插0.3cm～0.5cm，鐵簽尖端略微插破莖的表皮，接穗在子葉下0.8cm～1.0cm處45°下刀斜切，切口長O.6cm，切好接穗后立即拔出竹簽，將接穗斜插，稍穿破莖的表皮，并使接穗的兩片子葉同砧木的兩片子葉成十字形后嫁接完成；同時邊嫁接邊澆水，澆透水后及時擺進育苗苗床，蓋上兩層塑料膜，待生長10d，嫁接苗完全成活后，逐漸通風直至撤掉拱棚頂部覆蓋的塑料膜，及時抹除砧木生長點發出的側芽，定植前7d～10d，對幼苗由高到低進行低溫鍛煉，最低溫度不低于12℃。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟4）中，定植過程為：當西瓜幼苗4葉1心，嫁接口愈合完好，健壯無病，節間短粗，葉片濃綠，根系發達且嫁接苗齡為30d～35d時，將嫁接苗定植于底部設置有空隙的定植缽內，浸透水，放置在栽培槽蓋板上預留的栽培孔內，定植缽底部與基質袋之間預留有0.5cm的空隙用于通氣。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟5）中，水肥管理為：定植兩周內，栽培槽內保持5-6cm高水位，根系扎進基質袋內前，從定植缽澆水1次，保證西瓜幼苗對水分需求；同時需根據溫室內溫度及基質袋含水量，適時進行水循環，夏季白天2h循環1次，晚上4-5h循環1次；冬季6h循環1次，基質袋的含水量控制在50-70%；西瓜緩苗期后，給予流量0.15m³/s與高度3-4㎝的營養液供應， EC值控制在2.0-3.0，在西瓜植株伸蔓期和果實生長期施肥3-4次。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟6）中，植株調整為：每株保留二個健壯莖蔓，一個作為結瓜蔓，一個作為輔養蔓，結瓜蔓達到50cm時，用吊蔓器或麻繩進行吊蔓，輔養蔓平鋪于壟上；膨大期對主蔓摘心，摘除瓜前多余枝蔓；種植相同品種時采用熊蜂授粉，每667m²溫室需授粉熊蜂40頭～50頭，授粉后，1株瓜秧同時座2～3個幼瓜，最終選留1個果形周正、生長迅速的幼瓜，幼瓜長至200g～300g時，用網絲袋套住幼瓜吊于上部鐵絲。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟7）中，采收過程為：采用座瓜標記法鑒別成熟度，用多種顏色的毛線做座瓜標記，記載座果日期，依據氣候、瓜齡，結合試樣，確定成熟度后，按標記批次采摘；采摘時剪斷果柄，輕拿輕放，并進行簡單外包裝。

進一步的，上述的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，所述步驟8）中，病蟲害防治是以農業防治為基礎，綜合物理防治、生物防治和化學防治方式。

本發明的有益效果為：本發明提供的一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，充分利用了水培與基質培的優點，節水節肥的同時，可提高單位面積果菜產量50%以上，優質蔬菜商品率提高到90%以上，水肥利用效率提高40%以上，節省勞動力60%以上，且無廢液產生。

附圖說明

圖1顯示為水培與基質培復合栽培系統示意圖。

圖2顯示為作物定植后系統運行截面圖。

具體實施方式

實施例1：

一種日光溫室精品西瓜的水培與基質培復合栽培種植方法，包括以下步驟：

步驟一、栽培裝備的安裝：一種日光溫室精品西瓜水培與基質培復合栽培設備，其主要包括栽培槽、地膜、黑白防滲膜、栽培盆缽、基質袋、營養液池、水泵及其配套灌溉回流管路（圖1）。生產示范中，首先進行栽培槽與營養液池的設計，營養液池設計容積為3m³。其次，進行栽培槽、基質袋裝填、蓋板、定植缽的安裝，栽培槽和蓋板選用密度較高的泡沫材料；安裝設備前平整溫室地面，鋪上地布，擺放栽培槽，槽寬度90cm（栽培兩列西瓜寬度），長6.5m，鋪上黑白防滲膜，再鋪放基質袋兩列，蓋好蓋板。最后進行給水系統、定時開關和回水裝置的安裝。具體安裝情況見圖1。

步驟二、選用優良品種

本地區溫室種植精品西瓜多選擇新疆生產建設兵團第六師農業科學研究所選育的新優42號等品種；砧木常選擇鄭州果樹研究所育成的超豐抗生王，其根系發達，抗病性強。

步驟三、嫁接育苗

首先進行溫湯浸種，小西瓜種子比砧木種子晚處理一周；砧木種子，浸泡洗凈后，晾至表面不打滑時進行嗑口處理。然后進行催芽。然后將催芽后的砧木種子點播于32穴的穴盤中，西瓜種子點播于育苗盤中，覆土1.5cm～2cm，將播種后的育苗盤放在事先布置好的地熱線上。

當砧木第一片真葉展平，接穗子葉未展平時采用插接法進行西瓜嫁接。嫁接時將砧木生長點及真葉徹底摘除，起出接穗，再用同接穗莖粗相同的鐵簽，從砧木生長點一側子葉基部向下對側朝下斜插0.3cm～0.5cm，鐵簽尖端稍微插破莖的表皮。接穗在子葉下0.8cm～1.0cm處45°下刀斜切，切口長O.6cm，切好接穗后立即拔出竹簽，將接穗斜插，稍穿破莖的表皮，并使接穗的兩片子葉同砧木的兩片子葉成十字形后嫁接完成。邊嫁接邊澆水，澆透水后及時擺進育苗苗床，蓋上兩層塑料膜。10d左右，嫁接苗完全成活后，逐漸通風直至撤掉拱棚頂部覆蓋的塑料膜，及時抹除砧木生長點發出的側芽。定植前7d～10d，對幼苗由高到低進行低溫鍛煉，最低溫度不低于12℃。

步驟四、定植

當西瓜幼苗4葉1心，嫁接口愈合完好，健壯無病，節間短粗，葉片濃綠，根系發達，嫁接苗齡30d～35d。將其定植于底部多空隙的定植缽內，浸透水，放置在栽培槽蓋板上預留的栽培孔內，方盆底部與基質袋之間預留0.5cm空隙通氣，見圖2。

步驟五、水肥管理

定植兩周內，栽培槽內保持較高水位，根系扎進基質袋內前，需從定植缽澆水1次，保證西瓜幼苗對水分需求。同時需根據溫室內溫度及基質袋含水量情況，適時進行水循環，夏季白天2h循環1次，晚上4-5h循環1次；冬季6h循環1次，基質袋的含水量控制在50-70%。西瓜緩苗期后，給予一定流量與高度的營養液供應，植物根系穿過栽培盆缽的孔隙生長到基質袋內以及栽培槽空隙中。營養液采用山東農業大學西瓜營養液配方，其EC值控制在2.0-3.0，在西瓜植株伸蔓期、果實生長期施肥3-4次。

步驟六、植株調整

每株保留二個健壯莖蔓，一個作為結瓜蔓，一個作為輔養蔓，結果莖蔓達到50cm時，用吊蔓器或麻繩進行吊蔓，輔養蔓平鋪于壟上；膨大期對主蔓摘心，摘除瓜前多余枝蔓。

種植同一品種時，可采用熊蜂授粉，每667m²溫室需授粉熊蜂1箱(40頭～50頭)。授粉以后，1株瓜秧可同時座2～3個幼瓜，最終選留1個果形周正、生長迅速的幼瓜。幼瓜長至200g～300g時，用網絲袋套住幼瓜吊于上部鐵絲。

步驟七、采收

成熟度鑒別采用座瓜標記法。用不同顏色毛線做好座瓜標記，記載座果日期，依據氣候、瓜齡，結合試樣，確定成熟度后，按標記批次采摘。采摘時剪斷果柄，輕拿輕放，并進行簡單外包裝。

步驟八、病蟲害防治

溫室西瓜生長期主要的病蟲害有霜霉病、白粉病和炭疽??；蟲害主要有紅蜘蛛、蚜蟲和斑潛蠅。

防治原則

按照“預防為主，綜合防治”的植保方針，以農業防治為基礎，綜合應用物理、生物、化學措施，嚴格遵守農藥安全使用準則，控制病蟲的危害，把有害物質（農藥殘留）的含量控制在最大允許限度以下，達到農產品安全生產的目的。

農業防治

選用抗病品種：選用抗病性、抗逆性強的優良西瓜及砧木品種。

清潔田園：將病殘體、病果全部帶出棚外，銷毀或深埋。尤其是前茬作物騰茬后，徹底清潔田園，高溫悶棚。

培育無病蟲壯苗：采用嫁接育苗和菌根育苗。

環境調控：覆蓋地膜，及時通風。

物理防治

用防蟲網覆蓋溫室入口、放風口及溫室前沿，高溫季節可用防蟲網覆蓋整個溫室。溫室內每隔3m懸掛一張黃板和藍板，高度高于植株生長點。黃板誘殺白粉虱和蚜蟲；藍板誘殺薊馬。

生物防治

利用天敵誘殺害蟲:利用瓢蟲、草蛉捕食蚜蟲、紅蜘蛛。

使用微生物天敵防治蟲害：應用細菌、病毒、真菌的生物制劑防蟲治病。

化學防治

主要病蟲害藥劑防治方法如表1所示。

表1

最后應說明的是：以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。