專利名稱：半導體光針治療儀的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種醫(yī)療器具，更準確地說，是涉及一種半導體光針治療儀。
用光針照射病灶或穴位可治療某些疾患，國內(nèi)外已經(jīng)在臨床上得到了廣泛應用。隨著半導體激光二極管或發(fā)光二極管的大量涌現(xiàn)，最近幾年出現(xiàn)了多種采用體積小、使用壽命長、價格便宜的半導體激光二極管或發(fā)光二極管做光源的半導體光針治療儀。例如，1995年2月22日公告CN1098957A的中國發(fā)明專利說明書就公開了一種“可見光半導體激光針療儀”。它是由激光發(fā)射頭和一盒體構成，之間用電纜線連接，整機結構緊湊、功能齊全。它的激光發(fā)射頭外型呈筆狀，頭部為圓柱形，內(nèi)含半導體激光二極管和聚焦光束的光學透鏡。這種結構的激光發(fā)射頭不足之處是1．一些病灶，如中耳炎、鼻炎等等在器官的里部，頭部較粗呈圓柱形的激光發(fā)射頭不能插入器官，照射這類病灶就不適合了；2．為了防止交叉感染，每次使用激光發(fā)射頭都要進行消毒處理，該激光發(fā)射頭的前端有一空腔，它給消毒處理帶來了麻煩。
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種半導體光針治療儀，其半導體光針發(fā)射頭不僅利于照射各種疾患，而且消毒處理方便。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，由半導體光針發(fā)射頭和電源盒構成本發(fā)明的半導體光針治療儀，半導體光針發(fā)射頭設計成筆型用光纖輸出光。筆內(nèi)含有伸出筆頭的光纖、半導體激光二極管或發(fā)光二極管及驅動電路模塊，用電源線與電源盒連接。其中，光纖與二極管發(fā)光面直接耦合。
本治療儀采用交流供電，電源盒內(nèi)含有整流穩(wěn)壓模塊，能提供穩(wěn)定的直流電壓。選用不同的驅動電路模塊，可構成連續(xù)光輸出或脈沖光輸出不同的半導體光針治療儀。
半導體光針發(fā)射頭采用這種筆型結構，適合于照射各種疾患和穴位，當治療中耳炎和鼻炎疾患時，可方便的將筆尖插入耳孔或鼻孔內(nèi)直接照射病灶，提高了療效。半導體光針發(fā)射頭除尾部外，整個筆是密封的，既可擦洗又可浸泡，使消毒可靠簡便。
下面結合附圖對本發(fā)明做進一步詳細說明。


圖1為本發(fā)明半導體光針治療儀的外形結構示意圖。
圖2為半導體光針發(fā)射頭的結構圖。
本發(fā)明的半導體光針治療儀，含有半導體光針發(fā)射頭9和電源盒10，兩者之間用電源線7連接。半導體光針發(fā)射頭9由筆頭1、筆座2及筆筒3構成，內(nèi)含伸出筆頭1套有不銹鋼管的光纖4、半導體激光二極管或發(fā)光二極管5及驅動電路模塊6，電源線7穿過護套8與電源盒10連接。套有不銹鋼管的光纖4與半導體激光二極管或發(fā)光二極管5的發(fā)光面直接耦合，用固定塊11貼固。
最佳實施例1半導體光針治療儀的結構如圖1所示，半導體光針發(fā)射頭的結構如圖2所示。其中采用了InGaAlP半導體激光二極管，選用了穩(wěn)功率連續(xù)輸出驅動電路模塊。整機組裝后達到的基本性能為輸出波長650nm(紅色可見光)，激光連續(xù)輸出功率5mw，輸入電源交流220V。
最佳實施例2半導體光針治療儀的結構如圖1所示，半導體光針發(fā)射頭的結構如圖2所示。其中采用了GaAs半導體發(fā)光二極管，選用了脈沖驅動電路模塊。整機組裝后達到的基本性能為輸出波長940nm(紅外光)，光脈沖頻率為6Hz，峰值功率為3mw，輸入電源交流220V。
權利要求
1．一種半導體光針治療儀，是由半導體光針發(fā)射頭(9)和電源盒(10)組成，其特征在于半導體光針發(fā)射頭(9)設計成筆型用光纖輸出光，它由筆頭(1)、筆座(2)及筆筒(3)構成，內(nèi)含伸出筆頭(1)套有不銹鋼管的光纖(4)、半導體激光二極管或發(fā)光二極管(5)及驅動電路模塊(6)，電源線(7)穿過護套(8)與電源盒(10)連接。
2．根據(jù)權利要求1所述的半導體光針治療儀，其特征在于套有不銹鋼管的光纖(4)與半導體激光二極管或發(fā)光二極管(5)的發(fā)光面直接耦合，用固定塊(11)貼固。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種由半導體光針發(fā)射頭和電源盒組成的半導體光針治療儀。半導體光針發(fā)射頭設計成筆型用光纖輸出光。筆內(nèi)含有伸出筆頭1套有不銹鋼管的光纖4、半導體激光二極管或發(fā)光二極管5及驅動電路模塊6,光纖與二極管的發(fā)光面直接耦合。這種筆型半導體光針發(fā)射頭,不僅結構簡單可靠,而且使用方便,適合于照射各種疾患和穴位,也易于消毒處理。整機結構緊湊、造價低廉。除用于醫(yī)院外,亦適合家庭中使用。
文檔編號A61N5/06GK1283514SQ0012691
公開日2001年2月14日 申請日期2000年9月1日 優(yōu)先權日2000年9月1日
發(fā)明者崔金松 申請人:崔金松