本發(fā)明屬于神經(jīng)生物材料與微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種柔性神經(jīng)微電極梳及其制備方法和植入方法，尤其涉及一種植入式柔性神經(jīng)微電極梳及其制備方法和植入方法。

背景技術(shù)：

神經(jīng)微電極是連接神經(jīng)組織與外部設(shè)備的關(guān)鍵部件，在神經(jīng)系統(tǒng)疾病輔助治療及認(rèn)知行為方面具有廣泛的應(yīng)用前景。神經(jīng)微電極的好壞直接決定了神經(jīng)活動(dòng)記錄系統(tǒng)或神經(jīng)功能重建系統(tǒng)可達(dá)到的極限性能，一個(gè)理想的植入式神經(jīng)電極需要滿足以下幾個(gè)特點(diǎn)：盡可能小的植入損傷、有效的記錄和刺激、良好的生物相容性和長期的穩(wěn)定性等。

目前，應(yīng)用最廣的植入式神經(jīng)微電極為硅基剛性神經(jīng)微電極，剛性神經(jīng)微電極的機(jī)械性能與大腦不匹配，易在大腦中發(fā)生微移動(dòng)，引起大腦的炎癥反應(yīng)，并且膠質(zhì)細(xì)胞易包附在剛性神經(jīng)電極的周圍，引起電極的失效。對(duì)比剛性神經(jīng)微電極，柔性微電極則可與腦神經(jīng)細(xì)胞緊密的包附在一起，并可隨大腦發(fā)生移動(dòng)，降低炎癥反應(yīng)。因此，發(fā)展柔性的、可與大腦力學(xué)性能相匹配的可植入式柔性神經(jīng)微電極是現(xiàn)今需要解決的問題。

柔性微電極由于機(jī)械強(qiáng)度與大腦相匹配，但是由于剛度不夠，不易植入大腦的內(nèi)部，因此需要研究針對(duì)超薄柔性神經(jīng)電極植入大腦深部的方法。另一方面，如何減小神經(jīng)電極的植入面積，減小植入過程對(duì)腦組織的損傷，同時(shí)提供多個(gè)電極檢測(cè)位點(diǎn)，是亟需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種植入式柔性神經(jīng)微電極梳及其制備方法和植入方法。本發(fā)明采用良好生物相容性的柔性材料作為襯底和絕緣層，制備了前端為梳齒狀結(jié)構(gòu)，中間為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和實(shí)心結(jié)構(gòu)，后端為具有焊接點(diǎn)的焊盤的柔性神經(jīng)微電極梳。前端梳齒狀結(jié)構(gòu)上有用于腦神經(jīng)檢測(cè)的電極位點(diǎn)，線、網(wǎng)和面的結(jié)構(gòu)提高了柔性電極在形變過程中的力學(xué)穩(wěn)定性。該植入式神經(jīng)微電極梳在液體的表面張力作用下，會(huì)自動(dòng)卷曲為針狀結(jié)構(gòu)，從而大大減小在腦組織中的植入面積。該植入式柔性神經(jīng)微電極梳的力學(xué)性能與腦組織匹配，可實(shí)現(xiàn)對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行多點(diǎn)、長效穩(wěn)定跟蹤測(cè)量。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供了一種植入式柔性神經(jīng)微電極梳，所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳主要由柔性襯底層、柔性絕緣層和設(shè)置于柔性襯底層和柔性絕緣層之間的金屬連接線層組成。

所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳包括依次連接的梳齒狀結(jié)構(gòu)、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、實(shí)心結(jié)構(gòu)和焊盤；所述梳齒狀結(jié)構(gòu)上設(shè)有電極位點(diǎn)；所述焊盤上設(shè)有焊接點(diǎn)。

所述金屬連接線層由金屬連接線組成，金屬連接線連接電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)。

所述電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)表面沒有柔性絕緣層，而金屬連接線表面則覆有柔性絕緣層。

本發(fā)明中，所述柔性襯底層、柔性絕緣層和設(shè)置于柔性襯底層和柔性絕緣層之間的金屬連接線層形成一個(gè)包夾式的三明治結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線-網(wǎng)-面結(jié)構(gòu)，形成了針狀到平面的過渡結(jié)構(gòu)，其梳齒狀結(jié)構(gòu)在水中會(huì)漂浮在水面上；置于空氣中，在毛細(xì)作用下會(huì)形成針狀，經(jīng)固化后有利于神經(jīng)微電極梳的植入；其網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在卷曲作用力下會(huì)卷成滾筒或半滾筒狀，植入后可與大腦進(jìn)行良好的貼合。

以下作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，但不作為本發(fā)明提供的技術(shù)方案的限制，通過以下技術(shù)方案，可以更好的達(dá)到和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)目的和有益效果。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述柔性襯底層與金屬連接線層之間設(shè)有粘附層。

優(yōu)選地，所述粘附層所用材料為鉻。

優(yōu)選地，所述粘附層的厚度為1nm～100nm，例如1nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5nm。

優(yōu)選地，所述柔性襯底層所用材料為SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：SU-8光刻膠和聚對(duì)二甲苯的組合，聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合，SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合等。

優(yōu)選地，所述柔性襯底層的厚度為1μm～20μm，例如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、13μm、15μm、17μm或20μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5μm。

優(yōu)選地，所述柔性絕緣層所用材料為SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：SU-8光刻膠和聚對(duì)二甲苯的組合，聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合，SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合等。

優(yōu)選地，所述柔性絕緣層的厚度為1μm～20μm，例如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、13μm、15μm、17μm或20μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5μm。

本發(fā)明中，所述柔性襯底層和柔性絕緣層均采用具有良好生物相容性和機(jī)械彈性的柔性材料。

優(yōu)選地，所述金屬連接線層中金屬連接線的材料為金、鉑或銥中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：金和鉑的組合，鉑和銥的組合，金、鉑和銥的組合等。所述金屬連接線所用材料并不限于金、鉑或銥，其他可達(dá)到相同傳導(dǎo)性能的金屬同樣適用于本發(fā)明。

優(yōu)選地，所述金屬連接線層的厚度為10nm～1000nm，例如10nm、50nm、100nm、300nm、500nm、800nm或1000nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為100nm。

優(yōu)選地，所述金屬連接線層中金屬連接線的線寬為1μm～50μm，例如1μm、5μm、10μm、20μm、30μm、40μm或50μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為10μm。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述梳齒狀結(jié)構(gòu)的梳齒個(gè)數(shù)為1個(gè)～1000個(gè)，例如1個(gè)、10個(gè)、50個(gè)、100個(gè)、300個(gè)、500個(gè)、700個(gè)或1000個(gè)等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為16個(gè)。

優(yōu)選地，所述梳齒狀結(jié)構(gòu)的每一個(gè)梳齒上設(shè)有電極位點(diǎn)。

優(yōu)選地，所述梳齒狀結(jié)構(gòu)上電極位點(diǎn)的個(gè)數(shù)為1個(gè)～1000個(gè)，例如1個(gè)、10個(gè)、50個(gè)、100個(gè)、300個(gè)、500個(gè)、700個(gè)或1000個(gè)等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為16個(gè)。

本發(fā)明中，所述電極位點(diǎn)用于神經(jīng)電信號(hào)刺激或記錄，這些電極位點(diǎn)組成了電極陣列，每列上有一個(gè)或多個(gè)神經(jīng)電極位點(diǎn)，整齊排布或間隔分散在襯底的梳狀前端(如圖3(a)和圖3(b)所示)。

優(yōu)選地，所述電極位點(diǎn)包括電極襯底和位于電極襯底中心處的電極。

優(yōu)選地，所述電極襯底為圓形，其直徑為1μm～200μm，例如1μm、10μm、30μm、50μm、100μm、130μm、150μm、170μm或200μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為40μm。

優(yōu)選地，所述電極為圓形，其直徑為1μm～100μm，例如1μm、5μm、10μm、30μm、50μm、70μm或100μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為20μm。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳中梳齒狀結(jié)構(gòu)、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和實(shí)心結(jié)構(gòu)的整體長度為1mm～5cm，例如1mm、5mm、1cm、2cm、3cm、4cm、或5cm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為1cm或2cm。

本發(fā)明中，所述柔性神經(jīng)微電極梳的尺寸可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需要進(jìn)行調(diào)整，以滿足不同大腦的檢測(cè)需求，并不限于上述所列尺寸。

優(yōu)選地，所述梳齒狀結(jié)構(gòu)的長度為1mm～5cm，例如1mm、3mm、5mm、1cm、2cm、3cm、4cm或5cm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為1mm、3mm或5mm。

本發(fā)明中，所述柔性神經(jīng)微電極梳中梳齒狀結(jié)構(gòu)可形成長度不同的微針。

優(yōu)選地，所述梳齒狀結(jié)構(gòu)中梳齒的寬度為1μm～200μm，例如1μm、10μm、20μm、50μm、100μm、150μm或200μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為20μm。

優(yōu)選地，所述實(shí)心結(jié)構(gòu)的長度為1mm～1cm，例如1mm、3mm、5mm、7mm或1cm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用；寬度為1mm～5cm，例如1mm、3mm、5mm、7mm、1cm、2cm、3cm、4cm或5cm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

優(yōu)選地，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)隨梳齒狀結(jié)構(gòu)的變化而變化。

優(yōu)選地，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中縱向支撐條的寬度為1μm～100μm，例如1μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm或100μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為50μm。

優(yōu)選地，所述焊盤的尺寸為(0.1～4)mm×(0.1～4)mm，例如0.1mm×0.1mm、0.2mm×0.1mm、1mm×2mm、3.5mm×3.5mm、3.7mm×4mm、4mm×4mm或4mm×3.7mm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

優(yōu)選地，所述焊盤上焊接點(diǎn)的大小為(100～2000)μm×(100～2000)μm，例如100μm×100μm、200μm×100μm、300μm×400μm、400μm×400μm、600μm×800μm、1000μm×1000μm、1300μm×1500μm、1500μm×1700μm或2000μm×2000μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為400μm×400μm。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)為縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)或縱向偏離角度為45度的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中任意一種或至少兩種結(jié)構(gòu)的組合。

本發(fā)明中，所述縱向偏離角度是指縱向支撐條偏離矩形的角度。

優(yōu)選地，所述縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離依次遞增(如圖5所示)。

優(yōu)選地，所述縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離向梳齒狀結(jié)構(gòu)一側(cè)依次遞增。

優(yōu)選地，所述縱向支撐條之間的距離以1μm～100μm的距離依次遞增，例如1μm、5μm、10μm、30μm、50μm、70μm或100μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為10μm。

優(yōu)選地，所述橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述橫向網(wǎng)格條的寬度從實(shí)心結(jié)構(gòu)向梳齒狀結(jié)構(gòu)逐漸遞減(如圖6所示)。

優(yōu)選地，所述橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述橫向網(wǎng)格條的寬度逐漸遞減至1μm～200μm，例如1μm、5μm、10μm、30μm、50μm、70μm、100μm、130μm、150μm、170μm或200μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為10或30μm。

優(yōu)選地，所述均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離相等(如圖7所示)，縱向支撐條之間的間距為10μm～1000μm，例如10μm、30μm、50μm、70μm、100μm、300μm、500μm、700μm或1000μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為500μm。

優(yōu)選地，所述均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述橫向網(wǎng)格條之間的距離相等，橫向網(wǎng)格條之間的間距為10μm～1000μm，例如10μm、30μm、50μm、70μm、100μm、300μm、500μm、700μm或1000μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為200μm。

第二方面，本發(fā)明提供了上述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)在載體上旋涂正性光刻膠，前烘，光刻出標(biāo)記圖形，留出焊盤位置用光刻膠進(jìn)行保護(hù)，后烘堅(jiān)膜，去除殘膠；

(2)在步驟(1)處理后得到的載體上蒸鍍或?yàn)R射犧牲層，剝離形成犧牲層和標(biāo)記圖形；

(3)在步驟(2)中形成犧牲層和標(biāo)記圖形的載體一側(cè)旋涂柔性襯底材料，依次經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，形成柔性襯底層，180℃下高溫堅(jiān)膜；

(4)在步驟(3)所形成的柔性襯底層上旋涂正性光刻膠，經(jīng)前烘、曝光和顯影處理形成圖形化的電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)，再用電子束或熱蒸鍍形成粘附層；

(5)在步驟(4)形成的粘附層上用電子束或熱蒸鍍形成金屬層，然后經(jīng)剝離處理制備出電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)；

(6)在步驟(5)形成了電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)后的金屬層上旋涂柔性絕緣材料，經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，暴露出電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)，180℃下高溫堅(jiān)膜；

(7)將步驟(6)制備的柔性微電極梳放置于去除犧牲層溶液中，釋放出柔性微電極梳；

(8)對(duì)步驟(7)得到的柔性微電極梳進(jìn)行劃片，得到最終產(chǎn)品。

上述各步驟中所述的旋涂、前烘、光刻、后烘堅(jiān)膜、去除殘膠、電子束或熱蒸鍍以及剝離等過程為微納加工領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)手段，故具體操作過程不再贅述。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(1)中在經(jīng)過預(yù)處理后的載體上懸涂正性光刻膠。

優(yōu)選地，所述預(yù)處理為：將載體用丙酮和水進(jìn)行清洗，然后烘干，再用氧等離子體進(jìn)行清洗。其中，所述烘干目的在于去除載體表面的水分。

優(yōu)選地，所述載體為硅片和/或玻璃片。

優(yōu)選地，步驟(1)中所述正性光刻膠為S1813和/或AZ1500正性光刻膠。

優(yōu)選地，步驟(1)中所述去除殘膠采用氧等離子體進(jìn)行去除。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(2)中所述犧牲層的厚度為10nm～1000nm，例如10nm、30nm、50nm、70nm、100nm、300nm、500nm、700nm或1000nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為100nm。

優(yōu)選地，步驟(2)中所述犧牲層為鋁層和/或鎳層。

優(yōu)選地，步驟(3)中所述柔性襯底材料為SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：SU-8光刻膠和聚對(duì)二甲苯的組合，聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合，SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合等。

優(yōu)選地，步驟(3)中所述柔性襯底層的厚度為1μm～20μm，例如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、15μm或20μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5μm。

優(yōu)選地，步驟(4)中所述正性光刻膠為S1813和/或AZ1500正性光刻膠。

優(yōu)選地，步驟(4)中所述粘附層為Cr層。

優(yōu)選地，步驟(4)中所述粘附層的厚度為1nm～100nm，例如1nm、5nm、10nm、30nm、50nm、70nm或100nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5nm。

優(yōu)選地，步驟(5)中所述金屬層的材料為金、鉑或銥中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：金和鉑的組合，鉑和銥的組合，金、鉑和銥的組合等。所述金屬連接線所用材料并不限于金、鉑或銥，其他可達(dá)到相同傳導(dǎo)性能的金屬同樣適用于本發(fā)明。

優(yōu)選地，步驟(5)中所述金屬層的厚度為10nm～1000nm，例如10nm、50nm、100nm、300nm、500nm、800nm或1000nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為100nm。

優(yōu)選地，步驟(6)中所述柔性絕緣材料為SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：SU-8光刻膠和聚對(duì)二甲苯的組合，聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合，SU-8光刻膠、聚對(duì)二甲苯和聚酰亞胺的組合等。

優(yōu)選地，步驟(6)中所述柔性絕緣材料層的厚度為1μm～20μm，例如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、15μm或20μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為5μm。

優(yōu)選地，步驟(6)中所述去除犧牲層為：對(duì)犧牲層進(jìn)行腐蝕。

優(yōu)選地，所述腐蝕過程采用三氯化鐵和/或鹽酸溶液。

第三方面，本發(fā)明提供了上述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的植入方法，所述植入方法包括以下步驟：

(1)柔性神經(jīng)微電極梳在液體(如水)的表面張力作用下，自發(fā)卷曲成針狀結(jié)構(gòu)；

(2)用固化材料對(duì)步驟(1)中所述柔性神經(jīng)微電極梳進(jìn)行固化處理；

(3)用環(huán)氧樹脂膠對(duì)固化后的柔性神經(jīng)微電極梳與載體交界處進(jìn)行固化；

(4)將步驟(2)處理后的柔性神經(jīng)微電極梳刺入生物組織后，清洗處理未植入生物組織的部分完成植入過程。

本發(fā)明中，當(dāng)柔性神經(jīng)微電極梳刺入生物組織后，固化材料會(huì)遇到液體溶解。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(2)中所述固化材料為聚乙二醇。

本發(fā)明所用固化材料為可在生物體內(nèi)溶解或生物降解的材料，且其固化后硬度需滿足柔性電極的植入要求。同時(shí)，由于所用固化材料具有良好的生物兼容性，不會(huì)引起大腦的排異反應(yīng)；并且，所用固化材料具有較好的水溶性，會(huì)在大腦組織中分解釋放出柔性電極。

優(yōu)選地，所述聚乙二醇的分子量為1000～4000，例如1000、1500、2000、2500、3000、3500或4000等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用，優(yōu)選為2000。

優(yōu)選地，步驟(2)中所述固化處理為：將溶化后的固化材料涂覆在柔性神經(jīng)微電極梳的表面進(jìn)行固化。

優(yōu)選地，步驟(4)中所述清洗處理為：用腦脊液清洗處理。

本發(fā)明中，對(duì)柔性神經(jīng)微電極梳進(jìn)行固化處理目的在于提高電極的柔性神經(jīng)微電極梳的硬度；用環(huán)氧樹脂膠對(duì)固化后的柔性神經(jīng)微電極梳與載體交界處進(jìn)行固化目的在于，避免柔性植入式柔性神經(jīng)微電極梳與硅基底交界處發(fā)生斷裂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

(1)本發(fā)明所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳與常規(guī)的二維平面神經(jīng)電極不同，柔性神經(jīng)微電極梳的梳齒狀結(jié)構(gòu)的每一個(gè)梳齒上設(shè)有電極位點(diǎn)，這些電極位點(diǎn)組成了電極陣列，每一列均可隨腦組織自由運(yùn)動(dòng)；并且該植入式柔性神經(jīng)微電極梳在液體的表面張力作用下，會(huì)自動(dòng)卷曲為針狀結(jié)構(gòu)，從而大大減小在腦組織中的植入面積；

(2)本發(fā)明所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線到網(wǎng)到面的漸變式結(jié)構(gòu)，可提高柔性電極在形變過程中的力學(xué)穩(wěn)定性；

(3)本發(fā)明所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳的力學(xué)性能與腦組織相匹配，不會(huì)引起大腦的炎癥反應(yīng)，可對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行多點(diǎn)、長期穩(wěn)定跟蹤測(cè)量；

(4)本發(fā)明所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳經(jīng)固化材料固化后，其機(jī)械強(qiáng)度可顯著提高，在植入大腦后，由于所用固化材料和大腦具有良好的生物兼容性，不會(huì)引起大腦的排異反應(yīng)；而且所用固化材料具有較好的水溶性，會(huì)在大腦組織中分解釋放出柔性電極。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的分層示意圖；

圖2是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的梳齒狀結(jié)構(gòu)中電極位點(diǎn)間隔分散排布示意圖；

圖3(b)是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的梳齒狀結(jié)構(gòu)中電極位點(diǎn)整齊排布示意圖；

圖4是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的制備方法的工藝流程圖；

圖5是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)是本發(fā)明實(shí)施例1中所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳在水中形態(tài)；

圖8(b)是本發(fā)明實(shí)施例1中所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳在空氣中形態(tài)；

圖9(a)是本發(fā)明實(shí)施例2中所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳在水中形態(tài)；

圖9(b)是本發(fā)明實(shí)施例2中所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳在空氣中形態(tài)；

圖10(a)是本發(fā)明實(shí)施例5中固化后植入式柔性神經(jīng)微電極梳的示意圖；

圖10(b)是本發(fā)明實(shí)施例5中固化后植入式柔性神經(jīng)微電極梳的示意圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例5中固化后植入式柔性神經(jīng)微電極梳在小鼠大腦的植入過程示意圖；

其中，1-柔性襯底層，2-柔性絕緣層，3-金屬連接線層，4-梳齒狀結(jié)構(gòu)，5-網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，6-實(shí)心結(jié)構(gòu)，7-焊盤，8-電極位點(diǎn)，9-載體，10-正性光刻膠，11-鋁層，12-柔性材料，13-金屬層。

具體實(shí)施方式

為更好地說明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。但下述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的簡(jiǎn)易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分提供了一種植入式柔性神經(jīng)微電極梳，如圖1所示，所述柔性神經(jīng)微電極梳主要由柔性襯底層1、柔性絕緣層2和設(shè)置于柔性襯底層和柔性絕緣層之間的金屬連接線層3組成。

如圖2所示，所述柔性神經(jīng)微電極梳包括依次連接的梳齒狀結(jié)構(gòu)4、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5、實(shí)心結(jié)構(gòu)6和焊盤7；所述梳齒狀結(jié)構(gòu)4上設(shè)有電極位點(diǎn)8(如圖3(a)和圖3(b)所示)；所述焊盤7上設(shè)有焊接點(diǎn)。

所述金屬連接線層由金屬連接線組成，金屬連接線連接電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)。

所述電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)表面沒有柔性絕緣層。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分提供了所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的制備方法，如圖4所示，其制備方法包括以下步驟：

(1)在載體上旋涂正性光刻膠，前烘，光刻出標(biāo)記圖形，留出焊盤位置用光刻膠進(jìn)行保護(hù)，后烘堅(jiān)膜，去除殘膠；

(2)在步驟(1)處理后得到的載體上蒸鍍或?yàn)R射犧牲層，剝離形成犧牲層和標(biāo)記圖形；

(3)在步驟(2)中形成了鋁犧牲層和標(biāo)記圖形的載體一側(cè)旋涂柔性襯底材料，依次經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，形成柔性襯底層，180℃下高溫堅(jiān)膜；

(4)在步驟(3)所形成的柔性襯底層上旋涂正性光刻膠，經(jīng)前烘、曝光和顯影處理形成圖形化的電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)，再用電子束或熱蒸鍍形成粘附層；

(5)在步驟(4)形成的粘附層上用電子束或熱蒸鍍形成金屬層，然后經(jīng)剝離處理制備出電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)；

(6)在步驟(5)形成了電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)后的金屬層上旋涂柔性絕緣材料，經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，暴露出電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)，180℃下高溫堅(jiān)膜；

(7)將步驟(6)得到的柔性微電極梳放置于去除犧牲層的溶液中，釋放出柔性微電極梳；

(8)對(duì)步驟(7)得到的柔性微電極梳進(jìn)行劃片，得到最終產(chǎn)品。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分提供了所述植入式柔性神經(jīng)微電極梳的植入方法，所述植入方法包括以下步驟：

(1)柔性神經(jīng)微電極梳在液體(如水)的表面張力作用下，自發(fā)卷曲成針狀結(jié)構(gòu)；

(2)用固化材料對(duì)步驟(1)中所述柔性神經(jīng)微電極梳進(jìn)行固化處理；

(3)用環(huán)氧樹脂膠對(duì)固化后的柔性神經(jīng)微電極梳與載體交界處進(jìn)行固化；

(4)將步驟(2)處理后的柔性神經(jīng)微電極梳刺入生物組織后，清洗處理未植入生物組織的部分，完成植入過程。

以下為本發(fā)明典型但非限制性實(shí)施例：

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供了一種植入式柔性神經(jīng)微電極梳，所述柔性神經(jīng)微電極梳主要由柔性襯底層1、柔性絕緣層2和設(shè)置于柔性襯底層1和柔性絕緣層2之間的金屬Au連接線層3組成，其中柔性襯底層1和柔性絕緣層2所用材料為SU-8光刻膠，所述柔性襯底層1和柔性絕緣層2的厚度均為5μm，金屬Au連接線層3的厚度為100nm。

所述柔性神經(jīng)微電極梳包括依次連接的梳齒狀結(jié)構(gòu)4、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5、實(shí)心結(jié)構(gòu)6和焊盤7；所述梳齒狀結(jié)構(gòu)4上設(shè)有電極位點(diǎn)8；所述焊盤7上設(shè)有焊接點(diǎn)。

所述金屬Au連接線層3由金屬Au連接線組成，金屬Au連接線的線寬為10μm，金屬Au連接線連接電極位點(diǎn)8和焊接點(diǎn)；所述電極位點(diǎn)8和焊接點(diǎn)表面沒有柔性絕緣層2；所述柔性襯底層1與金屬連接線層3之間設(shè)有粘附層。

所述梳齒狀結(jié)構(gòu)4的每一個(gè)梳齒上設(shè)有電極位點(diǎn)8，共有16個(gè)電極位點(diǎn)，這些電極位點(diǎn)組成了電極陣列，整齊排布每一個(gè)梳齒上，如圖3(b)所示。

所述電極位點(diǎn)8包括電極襯底和位于電極襯底中心處的電極，電極襯底為圓形，其直徑為40μm，電極為圓形，其直徑為20μm。

所述柔性神經(jīng)微電極梳中梳齒狀結(jié)構(gòu)4、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5和實(shí)心結(jié)構(gòu)6的整體長度為1cm，其中梳齒狀結(jié)構(gòu)4的長度為3mm，梳齒的寬度為20μm；實(shí)心結(jié)構(gòu)6的長度為0.5cm，寬度為3mm；網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5中縱向支撐條的寬度為50μm；焊盤7的尺寸為3.5μm×4μm，焊盤7上焊接點(diǎn)的大小為400μm×400μm。

所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)6為縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)如圖5所示，該縱向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離向梳齒狀結(jié)構(gòu)4一側(cè)以10μm的間距依次遞增。

本實(shí)施例所述的柔性神經(jīng)微電極梳在水中會(huì)漂浮在水面上，如圖8(a)所示，置于空氣中，在毛細(xì)作用下會(huì)形成針狀；其網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5在卷曲作用力下會(huì)卷成半滾筒狀，如圖8(b)所示。

本實(shí)施例所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳與外界的連接有一個(gè)過渡，其中網(wǎng)格結(jié)構(gòu)可與大腦較好的長效貼合，并可減小電極使用過程中引起的變化，極大的提高電極使用效率；同時(shí)，該植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線到網(wǎng)到面的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，形成了針狀到平面的過渡結(jié)構(gòu)，可有效降低植入過程對(duì)神經(jīng)細(xì)胞的損傷，保證電極工作的長期穩(wěn)定性。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供了一種柔性神經(jīng)微電極梳，所述柔性神經(jīng)微電極梳主要由柔性襯底層1、柔性絕緣層2和設(shè)置于柔性襯底層1和柔性絕緣層2之間的金屬鉑連接線層3組成，其中柔性襯底層1和柔性絕緣層2所用材料為SU-8，所述柔性襯底層1和柔性絕緣層2的厚度均為5μm，金屬鉑連接線層3的厚度為100nm。

所述柔性神經(jīng)微電極梳包括依次連接的梳齒狀結(jié)構(gòu)4、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5、實(shí)心結(jié)構(gòu)6和焊盤7；所述梳齒狀結(jié)構(gòu)4上設(shè)有電極位點(diǎn)8；所述焊盤7上設(shè)有焊接點(diǎn)。

所述金屬鉑連接線層3由金屬鉑連接線組成，金屬鉑連接線的線寬為5μm，金屬鉑連接線連接電極位點(diǎn)8和焊接點(diǎn)；所述電極位點(diǎn)8和焊接點(diǎn)表面沒有柔性絕緣層2；所述柔性襯底層1與金屬連接線層3之間設(shè)有粘附層。

所述梳齒狀結(jié)構(gòu)4的每一個(gè)梳齒上設(shè)有電極位點(diǎn)8，共有16個(gè)電極位點(diǎn)，這些電極位點(diǎn)組成了電極陣列，分散排布每一個(gè)梳齒上，如圖3(a)所示。

所述電極位點(diǎn)8包括電極襯底和位于電極襯底中心處的電極，電極襯底為圓形，其直徑為40μm，電極為圓形，其直徑為20μm。

所述柔性神經(jīng)微電極梳中梳齒狀結(jié)構(gòu)4、網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5和實(shí)心結(jié)構(gòu)6的整體長度為2cm，其中梳齒狀結(jié)構(gòu)4的長度為3mm，梳齒的寬度為20μm；實(shí)心結(jié)構(gòu)6的長度為1cm，寬度為3mm；網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5中縱向支撐條的寬度為50μm；焊盤7的尺寸為3.5μm×4μm，焊盤7上焊接點(diǎn)的大小為400μm×400μm。

所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5為均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)(如圖7所示)，所述均勻網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，橫向網(wǎng)格條之間的間距為200μm，縱向支撐條之間的間距為500μm。

本實(shí)施例所述的柔性神經(jīng)微電極梳在水中會(huì)漂浮在水面上，如圖9(a)所示，置于空氣中，在毛細(xì)作用下會(huì)形成針狀；其網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在卷曲作用力下會(huì)卷成滾筒狀，如圖9(b)所示。

本實(shí)施例所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳與外界的連接有一個(gè)過渡，其中網(wǎng)格結(jié)構(gòu)可與大腦較好的長效貼合，并可減小電極使用過程中引起的變化，極大的提高電極使用效率；同時(shí)，該植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線到網(wǎng)到面的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，形成了針狀到平面的過渡結(jié)構(gòu)，可有效降低植入過程對(duì)神經(jīng)細(xì)胞的損傷，保證電極工作的長期穩(wěn)定性。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供了一種柔性神經(jīng)微電極梳，所述柔性神經(jīng)微電極梳中除了柔性襯底層1和柔性絕緣層2所用材料為聚酰亞胺，金屬連接線層3中金屬連接線的材料為銥，柔性襯底層1和柔性絕緣層2的厚度均為8μm，金屬銥連接線層的厚度為100nm，金屬鉑連接線的線寬為20μm，電極位點(diǎn)8中電極襯底的直徑為50μm，電極位點(diǎn)8中電極的直徑為30μm，梳齒狀結(jié)構(gòu)4的長度為5mm，梳齒的寬度為40μm；網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5中縱向支撐條的寬度為100μm，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5為橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)(如圖6所示)，所述橫向漸變式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括橫向網(wǎng)格條和縱向支撐條，所述橫向網(wǎng)格條之間的距離向?qū)嵭慕Y(jié)構(gòu)6一側(cè)的間距逐漸遞減至30μm，其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例2中的結(jié)構(gòu)相同。

本實(shí)施例所述的柔性神經(jīng)微電極梳在水中會(huì)漂浮在水面上，置于空氣中，在毛細(xì)作用下會(huì)形成針狀；其網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在卷曲作用力下會(huì)卷成滾筒狀。

本實(shí)施例所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳與外界的連接有一個(gè)過渡，其中網(wǎng)格結(jié)構(gòu)可與大腦較好的長效貼合，并可減小電極使用過程中引起的變化，極大的提高電極使用效率；同時(shí)，該植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線-網(wǎng)-面結(jié)構(gòu)，形成了針狀到平面的過渡結(jié)構(gòu)，可有效降低植入過程對(duì)神經(jīng)細(xì)胞的損傷，保證電極工作的長期穩(wěn)定性。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供了上述柔性神經(jīng)微電極梳的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將載體硅片9用丙酮和水進(jìn)行清洗，然后烘干，再用氧等離子體進(jìn)行清洗，載體上硅片9旋涂S1813正性光刻膠10，前烘，光刻出標(biāo)記圖形，留出焊盤位置用光刻膠進(jìn)行保護(hù)，后烘堅(jiān)膜，采用氧等離子體去除殘膠；

(2)在步驟(1)處理后得到的載體9上用電子束蒸鍍100nm鋁層11，剝離形成鋁犧牲層和標(biāo)記圖形；

(3)在步驟(2)中形成了鋁犧牲層和標(biāo)記圖形的載體一側(cè)旋涂柔性材料12，依次經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，形成柔性襯底層，180℃下高溫堅(jiān)膜；

(4)在步驟(3)所形成的柔性襯底層上旋涂S1813正性光刻膠10，經(jīng)前烘、曝光和顯影處理形成圖形化的電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)，再用電子束蒸鍍形成5nm的Cr粘附層；

(5)在步驟(4)形成的粘附層上用電子束蒸鍍形成金屬層13，然后經(jīng)剝離處理制備出電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)；

(6)在步驟(5)形成了電極位點(diǎn)、連接線和焊接點(diǎn)后的金屬層13上旋涂柔性材料12，經(jīng)前烘、曝光、后烘和顯影處理，暴露出電極位點(diǎn)和焊接點(diǎn)，制備柔性絕緣層，180℃下高溫堅(jiān)膜，再采用三氯化鐵溶液去除鋁犧牲層，釋放出柔性微電極梳；

(7)對(duì)步驟(6)得到的柔性微電極梳進(jìn)行劃片，得到最終產(chǎn)品。

實(shí)施例5：

本實(shí)施例提供了上述柔性神經(jīng)微電極梳的植入方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將溶化后的分子量為2000的聚乙二醇涂覆在柔性神經(jīng)微電極梳的表面進(jìn)行固化處理，使柔性神經(jīng)微電極梳的梳齒狀結(jié)構(gòu)形成針狀；

(2)用環(huán)氧樹脂膠對(duì)固化后的柔性神經(jīng)微電極梳與載體交界處進(jìn)行固化；

(3)將步驟(2)處理后的柔性神經(jīng)微電極梳刺入小鼠大腦后，用腦脊液清洗處理未植入部分，完成植入過程。

本實(shí)施例中柔性神經(jīng)微電極梳經(jīng)固化后，其形態(tài)如圖10(a)和圖10(b)所示，其機(jī)械強(qiáng)度得到顯著提高。植入后，由于聚乙二醇和大腦具有良好的生物兼容性，不會(huì)引起大腦的排異反應(yīng)，而且聚乙二醇具有較好的水溶性，會(huì)在大腦組織中分解釋放出柔性電極。柔性神經(jīng)電極梳在小鼠大腦的植入過程如圖11。

對(duì)比例1：

本對(duì)比例提供了一種柔性神經(jīng)微電極，所述柔性神經(jīng)微電極梳除了將梳齒狀結(jié)構(gòu)4替換為為平面結(jié)構(gòu)，即沒有梳齒狀結(jié)構(gòu)外，其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例2中的結(jié)構(gòu)相同。

本對(duì)比例所述柔性神經(jīng)微電極由于不具有梳齒狀結(jié)構(gòu)，因而其不會(huì)形成針狀，在植入大腦時(shí)易對(duì)神經(jīng)細(xì)胞造成損傷。

對(duì)比例2：

本對(duì)比例提供了一種柔性神經(jīng)微電極，所述柔性神經(jīng)微電極梳除了不具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)5外，其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例2中的結(jié)構(gòu)相同。

本對(duì)比例所述柔性神經(jīng)微電極由于不具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，其彈性較差，且與大腦的貼合度較差，在使用過程中電極易發(fā)生變化，電極使用效率低。

綜合實(shí)施例1-5和對(duì)比例1-2的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳與常規(guī)的二維平面神經(jīng)電極不同，柔性神經(jīng)微電極梳的梳齒狀結(jié)構(gòu)的每一個(gè)梳齒上設(shè)有電極位點(diǎn)，這些電極位點(diǎn)組成了電極陣列，每一列均可隨腦組織自由運(yùn)動(dòng)；并且該植入式柔性神經(jīng)微電極梳在液體的表面張力作用下，會(huì)自動(dòng)卷曲為針狀結(jié)構(gòu)，從而大大減小在腦組織中的植入面積。所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳具有獨(dú)特的線到網(wǎng)到面的漸變式結(jié)構(gòu)，提高了柔性電極在形變過程中的力學(xué)穩(wěn)定性。

所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳的力學(xué)性能與腦組織相匹配，不會(huì)引起大腦的炎癥反應(yīng)，可對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行多點(diǎn)、長期穩(wěn)定跟蹤測(cè)量。所述的植入式柔性神經(jīng)微電極梳經(jīng)固化材料固化后，其機(jī)械強(qiáng)度可顯著提高，在植入大腦后，由于所用固化材料和大腦具有良好的生物兼容性，不會(huì)引起大腦的排異反應(yīng)；而且所用固化材料具有較好的水溶性，會(huì)在大腦組織中分解釋放出柔性電極。

申請(qǐng)人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)方法才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。