1.一種植入式柔性神經微電極梳，其特征在于，所述植入式柔性神經微電極梳主要由柔性襯底層(1)、柔性絕緣層(2)和設置于柔性襯底層(1)和柔性絕緣層(2)之間的金屬連接線層(3)組成；
所述植入式柔性神經微電極梳包括依次連接的梳齒狀結構(4)、網格結構(5)、實心結構(6)和焊盤(7)；所述梳齒狀結構(4)上設有電極位點(8)；所述焊盤(7)上設有焊接點；
所述金屬連接線層(3)由金屬連接線組成，金屬連接線連接電極位點和焊接點；
所述電極位點和焊接點表面沒有柔性絕緣層(2)。
2.根據權利要求1所述的植入式柔性神經微電極梳，其特征在于，所述柔性襯底層(1)與金屬連接線層(3)之間設有粘附層；
優選地，所述粘附層所用材料為鉻；
優選地，所述粘附層的厚度為1nm～100nm，優選為5nm；
優選地，所述柔性襯底層(1)所用材料為SU-8光刻膠、聚對二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，所述柔性襯底層(1)的厚度為1μm～20μm，優選為5μm；
優選地，所述柔性絕緣層(2)所用材料為SU-8光刻膠、聚對二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，所述柔性絕緣層(2)的厚度為1μm～20μm，優選為5μm；
優選地，所述金屬連接線層(3)中金屬連接線的材料為金、鉑或銥中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，所述金屬連接線層(3)的厚度為10nm～1000nm，優選為100nm；
優選地，所述金屬連接線層(3)中金屬連接線的線寬為1μm～50μm，優選為10μm。
3.根據權利要求1或2所述的植入式柔性神經微電極梳，其特征在于，所述梳齒狀結構(4)的梳齒個數為1個～1000個，優選為16個；
優選地，所述梳齒狀結構(4)的每一個梳齒上設有電極位點(8)；
優選地，所述梳齒狀結構(4)上電極位點的個數為1～1000個，優選為16個；
優選地，所述電極位點(8)包括電極襯底和位于電極襯底中心處的電極；
優選地，所述電極襯底為圓形，其直徑為1μm～200μm，優選為40μm；
優選地，所述電極為圓形，其直徑為1μm～100μm，優選為20μm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的植入式柔性神經微電極梳，其特征在于，所述植入式柔性神經微電極梳中梳齒狀結構(4)、網格結構(5)和實心結構(6)的整體長度為1mm～5cm，優選為1cm或2cm；
優選地，所述梳齒狀結構(4)的長度為1mm～5cm，優選為1mm、3mm或5mm；
優選地，所述梳齒狀結構(4)中梳齒的寬度為1μm～200μm，優選為20μm；
優選地，所述實心結構(6)的長度為1mm～1cm，寬度為1mm～5cm；
優選地，所述網格結構(5)隨梳齒狀結構(1)的變化而變化；
優選地，所述網格結構(5)中縱向支撐條的寬度為1μm～100μm，優選為50μm；
優選地，所述焊盤(7)的尺寸為(0.1～4)mm×(0.1～4)mm；
優選地，所述焊盤(7)上焊接點的大小為(100～2000)μm×(100～2000)μm，優選為400μm×400μm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的植入式柔性神經微電極梳，其特征在于，所述網格結構(5)為縱向漸變式網格結構、橫向漸變式網格結構、均勻網格結構或縱向偏離角度為45度的網格結構中任意一種或至少兩種結構的組合；
優選地，所述縱向漸變式網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離依次遞增；
優選地，所述縱向漸變式網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離向梳齒狀結構(4)一側依次遞增；
優選地，所述縱向支撐條之間的距離以1μm～100μm的距離依次遞增，優選為10μm；
優選地，所述橫向漸變式網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述橫向網格條的寬度從實心結構(6)向梳齒狀結構(4)逐漸遞減；
優選地，所述橫向漸變式網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述橫向網格條的寬度逐漸遞減至1μm～200μm，優選為10μm或30μm；
優選地，所述均勻網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述縱向支撐條之間的距離相等，縱向支撐條之間的間距為10μm～1000μm，優選為500μm。
優選地，所述均勻網格結構包括橫向網格條和縱向支撐條，所述橫向網格條之間的距離相等，橫向網格條之間的間距為10μm～1000μm，優選為200μm。
6.根據權利要求1-5任一項所述的植入式柔性神經微電極梳的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)在載體上旋涂正性光刻膠，前烘，光刻出標記圖形，留出焊盤位置用光刻膠進行保護，后烘堅膜，去除殘膠；
(2)在步驟(1)處理后得到的載體上蒸鍍或濺射犧牲層，剝離形成犧牲層和標記圖形；
(3)在步驟(2)中形成犧牲層和標記圖形的載體一側旋涂柔性襯底材料，依次經前烘、曝光、后烘和顯影處理，形成柔性襯底層，180℃下高溫堅膜；
(4)在步驟(3)所形成的柔性襯底層上旋涂正性光刻膠，經前烘、曝光和顯影處理形成圖形化的電極位點、連接線和焊接點，再用電子束或熱蒸鍍形成粘附層；
(5)在步驟(4)形成的粘附層上用電子束或熱蒸鍍形成金屬層，然后經剝離處理制備出電極位點、連接線和焊接點；
(6)在步驟(5)形成了電極位點、連接線和焊接點后的金屬層上旋涂柔性絕緣材料，經前烘、曝光、后烘和顯影處理，暴露出電極位點和焊接點，180℃下高溫堅膜；
(7)將步驟(6)得到的柔性微電極梳放置于去除犧牲層的溶液中，釋放出柔性微電極梳；
(8)對步驟(7)得到的柔性微電極梳進行劃片，得到最終產品。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中在經過預處理后的載體上懸涂正性光刻膠；
優選地，所述預處理為：將載體用丙酮和水進行清洗，然后烘干，再用氧等離子體進行清洗；
優選地，所述載體為硅片和/或玻璃片；
優選地，步驟(1)中所述正性光刻膠為S1813和/或AZ1500正性光刻膠；
優選地，步驟(1)中所述去除殘膠采用氧等離子體進行去除。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述犧牲層的厚度為10nm～1000nm，優選為100nm；
優選地，步驟(2)中所述犧牲層為鋁層和/或鎳層；
優選地，步驟(3)中所述柔性襯底材料為SU-8光刻膠、聚對二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，步驟(3)中所述柔性襯底層的厚度為1μm～20μm，優選為5μm；
優選地，步驟(4)中所述正性光刻膠為S1813和/或AZ1500正性光刻膠；
優選地，步驟(4)中所述粘附層為Cr層；
優選地，步驟(4)中所述粘附層的厚度為1nm～100nm，優選為5nm；
優選地，步驟(5)中所述金屬層的材料為金、鉑或銥中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，步驟(5)中所述金屬層的厚度為10nm～1000nm，優選為100nm；
優選地，步驟(6)中所述柔性絕緣材料為SU-8光刻膠、聚對二甲苯或聚酰亞胺中任意一種或至少兩種的組合；
優選地，步驟(6)中所述柔性絕緣材料層的厚度為1μm～20μm，優選為5μm；
優選地，步驟(7)中所述去除犧牲層為：對犧牲層進行腐蝕；
優選地，所述腐蝕過程采用三氯化鐵和/或鹽酸溶液。
9.根據權利要求1-5任一項所述的植入式柔性神經微電極梳的植入方法，其特征在于，所述植入方法包括以下步驟：
(1)柔性神經微電極梳在液體的表面張力作用下，自發卷曲成針狀結構；
(2)用固化材料對步驟(1)中所述柔性神經微電極梳進行固化處理；
(3)用環氧樹脂膠對固化后的柔性神經微電極梳與載體交界處進行固化；
(4)將步驟(2)處理后的柔性神經微電極梳刺入生物組織后，清洗處理未植入生物組織的部分，完成植入過程。
10.根據權利要求9所述的植入方法，其特征在于，步驟(2)中所述固化材料為聚乙二醇；
優選地，所述聚乙二醇的分子量為1000～4000，優選為2000；
優選地，步驟(2)中所述固化處理為：將溶化后的固化材料涂覆在柔性神經微電極梳的表面進行固化；
優選地，步驟(4)中所述清洗處理為：用腦脊液清洗處理。