技術特征：

技術總結
本發明涉及一種神經刺激電極及其制造方法，包括：S1：對半導體襯底進行擴散摻雜處理；S2：然后在半導體襯底的正面刻蝕出電極陣列結構；S3：向電極陣列結構的溝槽內填充玻璃；S4：再將半導體襯底的正面與一襯片鍵合；S5：接著對半導體襯底的背面進行減薄；S6：再對半導體襯底的背面進行金屬電極圖形化；S7：最終剝離形成神經刺激電極，本發明可形成高密度電極陣列，且電極形狀可任意設計成圓形，方形，三角等所需圖案，電極陣列可均勻排布也可疏密分布；并可與刺激芯片實現倒裝焊連接，避免了柔性電極陣列隨著電極陣列密度增加，與刺激芯片所需連接線大量增加的弊端，還可實現晶圓化大批量生產，并大幅度降低生產成本。

技術研發人員：於廣軍;楊旭燕;王偉;楊佳威
受保護的技術使用者：杭州暖芯迦電子科技有限公司
技術研發日：2017.05.15
技術公布日：2017.10.03