專利名稱：一種粘污太陽能硅片的清洗方法
技術領域：
本發明涉及一種粘污太陽能硅片的清洗方法，尤其適用于經過通常清洗エ藝后，部分表面具有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應物、硅片氧化物的粘污太陽能硅片清洗。
背景技術：
目前，太陽能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并經脫膠后，先用純水漂洗，接著用純水超聲清洗，然后又在純水中加入清洗劑進行超聲波清洗，之后再經多次純水超聲波漂洗即完成清洗エ藝。通過這種正常的清洗エ藝后，再通過檢驗，經常會檢出較大比重的粘污片，上面會有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應物、硅片氧化物等，這些粘污的太陽能硅片如果采用通常的清洗エ藝再次清洗，幾乎沒有效果。只有報廢或作次片處 理，影響了太陽能硅片的合格率。

發明內容
本發明的目的是提供具有很好的清洗效果的一種粘污太陽能硅片的清洗方法。本發明采取的技術方案是一種粘污太陽能硅片的清洗方法，其特征在于將硅片放入水中，并在水中按質量百分比加入I I. 5%的清洗液和O. I O. 3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45 55°C，再采用超聲波清洗硅片5 10分鐘；接著，將硅片放在質量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。采用本發明，可以極大地提高粘污太陽能硅片的清洗效果，達到提高太陽能硅片清洗合格率的目的；據實踐表明，太陽能硅片的清洗合格率由原來的98%提高到99. 99%。
具體實施例方式下面結合具體的實施例對本發明作進ー步說明。I、將若干粘污太陽能硅片放在100 kg水中，并加入I I. 5 kg的清洗液和O. I
O.3 kg的氫氧化鈉，將該溶液加熱到45 55°C，用超聲波清洗硅片5 10分鐘。2、接著，將硅片放在質量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘。3、最后用純水超聲溢流清洗硅片二道以上，每道5 8分鐘時間即可。
權利要求
1.一種粘污太陽能硅片的清洗方法，其特征在于將硅片放入水中，并在水中按質量百分比加入I I. 5%的清洗液和O. I O. 3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45 55°C，再采用超聲波清洗硅片5 10分鐘；接著，將硅片放在質量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。
全文摘要
本發明涉及一種粘污太陽能硅片的清洗方法，該方法是將硅片放入水中，并在水中按質量百分比加入1～1.5%的清洗液和0.1～0.3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45～55℃，再采用超聲波清洗硅片5～10分鐘；接著，將硅片放在質量百分比濃度為1～2%的檸檬酸溶液中漂洗5～10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。采用本發明，可以極大地提高粘污太陽能硅片的清洗效果，達到提高太陽能硅片清洗合格率的目的；據實踐表明，太陽能硅片的清洗合格率由原來的98%提高到99.99%。
文檔編號B08B3/12GK102744230SQ20121026124
公開日2012年10月24日 申請日期2012年7月26日 優先權日2012年7月26日
發明者井辰龍, 余小金, 吳志軍, 郜勇軍 申請人:浙江矽盛電子有限公司