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一種提高真絲織物雙面滲透印花滲透性及清晰度的方法與流程

文檔序號:12057431閱讀:2233來源:國知局

本發明涉及一種提高真絲織物雙面滲透印花滲透性及清晰度的方法,屬于精細化工領域。



背景技術:

滲透印花是指通過對織物進行處理,令織物印花時正面的印花花型滲透到反面去,最終使織物正反面獲得相差不大的印花效果。在真絲印花織物中,滲透印花獨樹一幟,在絲巾和工藝品的印花中運用廣泛,利用噴墨印花技術進行真絲滲透印花更成為了一種新興的流行趨勢。

通過噴墨印花方式對真絲織物進行雙面滲透印花時,容易出現低滲透性和低清晰度的問題。如果將墨水在織物中的擴散看作是在兩個平面上同時進行,則一般的印花只考慮織物表面的滲透情況,并以降低滲透程度為目的進行防滲化整理,而對于滲透印花,既要確??椢锉砻娌话l生嚴重滲化現象,又要使墨水滲透到織物反面去。稀薄的真絲織物不經過預處理亦可以達到雙面滲透印花,而對于紗支和經緯密較大的織物,不通過預處理難以達到正反面滲透印花的效果。

目前,提高真絲織物雙面滲透印花滲透性及清晰度的處理方法有以下幾種:(1)上漿預處理,在浸軋的預處理液中添加增稠劑以堵塞紗線中纖維的毛細管,降低墨水在織物的滲化、提高印花清晰度,同時在浸軋的預處理液中添加滲透劑,增強墨水在織物中的滲透作用。例如,齊成分析織物滲透印花時,采用上漿的方式將小麥淀粉、CMC混合漿和滲透劑等施加到織物上;劉永慶將滲透劑JFC經上漿工藝施加到織物上;(2)陽離子改性,使具有反應性官能團的陽離子化合物與真絲纖維上的氨基和羥基發生反應,降低真絲表面的負電荷,減小纖維與染料間的斥力,提高真絲的上染率;(3)等離子體處理,與未經處理的織物相比,處理過后的織物纖維因刻蝕作用形成微細溝槽,造成光反射減弱,一定程度上提高顏色深度,同時能夠抑制墨水在紗線毛細管內的流動,提高清晰度。



技術實現要素:

本發明的目的:為采用噴墨印花進行真絲織物雙面滲透印花預處理提供一種操作簡單、成本低廉且高印花滲透性及清晰度的處理方法。通過預處理,不但可以提高真絲織物滲透印花的正反面印花效果,而且還可以堵塞紗線中纖維的毛細管,控制墨水在織物上的自由擴散,提高真絲織物印花清晰度。

本發明首先提供了一種真絲織物雙面滲透印花預處理液,將陰離子納米多孔氧化物分散體、增稠劑、吸濕保濕劑、固色劑、電解質、抗靜電劑、抗菌劑和水按比例混合并攪拌均勻,按質量分數計,各組分比例為:1%-20%陰離子納米多孔氧化物分散體、0.5%-3%增稠劑、4%-18%吸濕保濕劑、0.5%-2%固色劑、0.5%-2%抗靜電劑、0%-5%電解質、0.5%-5%抗菌劑,其余加水補滿100%。

在本發明的一種實施方式中,所述預處理的配方為1%-40%陰離子納米多孔氧化物分散體、0.5%-1%增稠劑、10%-18%吸濕保濕劑、0.5%-1%固色劑、0.5%-1%抗靜電劑、0.5%-1%抗菌劑,其余加水補滿100%。

所述的陰離子納米多孔氧化物分散體制備的方法,是將對納米多孔氧化物的質量分數為10%-50%的陰離子分散劑和0.5%-1%的消泡劑溶解到去離子水中,加入對陰離子納米多孔氧化物分散體的質量分數為10%-30%的納米多孔氧化物并混合均勻,用砂磨機進行研磨分散,制備平均粒徑<200nm的分散體;所述的陰離子分散劑為陰離子聚丙烯酰胺、聚丙烯酸鈉、亞甲基雙甲基萘磺酸鈉、磺酸鈉鹽、聚羧酸銨鹽類中的一種或幾種;所述的消泡劑為聚二甲基硅氧烷消泡劑、聚醚消泡劑、辛醇或戊醇中的一種或幾種;所述的納米多孔氧化物是納米多孔氧化硅、納米多孔氧化鋁、納米多孔氧化鈦或納米多孔氧化鋅中的一種或幾種。

所述的增稠劑可以是陰離子增稠劑也可是非離子增稠劑,陰離子增稠劑類例如:羧甲基纖維素CMC、羧甲基淀粉和海藻酸鈉;非離子增稠劑類,例如瓜兒豆膠、羥丙基甲基纖維素、羥丙基淀粉、羥乙基纖維素、DGT-7和聚乙烯醇,選擇其中一種或幾種。

所述的吸濕保濕劑為聚乙二醇600、二甘醇、尿素、丙三醇、三甘醇、乙二醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、1,4-丁二醇、季戊四醇、異丙醇和己內酰胺中的一種或幾種。

所述的固色劑可以是碳酸鈉、碳酸氫鈉、氫氧化鈉、檸檬酸鈉、磷酸氫二鈉、磷酸氫二鉀、三乙醇胺、硼砂中的一種或幾種。

所述的抗靜電劑可以為高分子型抗靜電劑,如聚醚酯酰胺、聚醚酯乙酰胺、聚氧化乙烯、環氧丙烷共聚物;也可為非離子型抗靜電劑,如山梨糖醇、乙醇酰胺、脂肪酸多元醇脂、羥乙基烷基胺、脂肪酰胺類。

所述的電解質為中性電解質,如硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、氯化鈉其中的一種或幾種。

所述的抗菌劑可以是3-[三甲氧基硅基]丙基二甲基十八烷基氯化銨、1,2-苯并異噻唑啉-3-酮、5-氯-2-甲基-1-異噻唑啉-3-酮、2-甲基-1-異噻唑啉-3-酮、亞硝酸鈉、苯甲酸鈉中的一種或幾種。

本發明還提供應用所述真絲織物雙面滲透印花預處理液對真絲織物進行雙面滲透印花的方法,是將事先配好的預處理液通過一浸一軋的方式浸軋到真絲織物上去,軋余率控制在50%-80%之間,隨后對織物進行60℃烘干處理,烘干后的織物既可進行直接的噴墨印花,噴墨印花之后及時對織物進行汽蒸固色,固色時間保持在15min-40min內,溫度為100℃-110℃,濕度保持在50%RH-100%RH,結束固色后進行適宜的水洗烘干處理。

本發明針對真絲織物雙面滲透印花存在的滲透性不良和清晰度較低的問題,提出一種采用陰離子分散納米多孔氧化物和吸濕保濕劑聯合作用提高真絲織物雙面滲透印花滲透性及清晰度的方法,可明顯提高真絲織物雙面滲透印花滲透性、清晰度、顏色深度及鮮艷度,該方法工藝簡單,能夠滿足規模化生產和加工,預處理對真絲織物的強力損傷小。

具體實施方式

(1)測試印花顏色深度、鮮艷度

用噴墨印花機在真絲織物上打印CMYK四色色塊,色塊規格5cm×5cm,經過汽蒸水洗烘干后,使用CI7800電腦測配色儀器,在CIE Lab的系統,D65光源,10°視角的條件下,測試印花織物每個色塊的K/S值和C*值。

(2)測試印花清晰度

用噴墨印花機在真絲織物上打印CMYK四色“十”字圖形,打印線寬設為1mm,借助顯微鏡(5X低倍鏡)觀察并采用ToupView軟件測量實際的打印線寬。

(3)印花織物斷裂強力

在織物強力測試機上測試織物經緯向斷裂強力,織物裁剪規格:20cm*5cm。

實施例1

(1)制備陰離子納米多孔氧化鋁分散體:將10%聚丙烯酸鈉和1%聚二甲基硅氧烷溶解到去離子水中,加入30%納米多孔氧化鋁并混合均勻,用砂磨機進行研磨分散,制備平均粒徑<200nm的納米多孔氧化鋁。

(2)制備預處理液:2%陰離子納米多孔氧化鋁分散體、1%海藻酸鈉、12%丙三醇、1%碳酸鈉、1%乙醇酰胺、0.5%5-氯-2-甲基-1-異噻唑啉-3-酮,其余為水。

(3)浸軋烘干處理:將織物浸入到預處理液中5min,保證織物充分浸潤后,對其進行一浸一軋處理,軋余率保持在70%,浸軋完畢后進行60℃烘干處理。

(4)噴墨印花:采用活性染料墨水對預處理后的真絲之后進行印花處理。

(5)汽蒸固色:將印花織物置于提前預熱就緒的汽蒸機內(汽蒸環境:102℃,78%RH),汽蒸處理30min。

(6)水洗烘干處理:對汽蒸后的印花織物實行如下水洗工藝:冷水洗(2min)→熱水洗(60℃,1min)→冷水洗(2min)→烘干(60℃)。

表一 預處理對滲透印花正反面顏色深度(K/S值)及鮮艷度(C*值)的提升效果

由表一可知,經本發明預處理液預處理后,滲透作用有了明顯提高,織物正反面的顏色深度和鮮艷度有了大幅度增加,從視覺角度來看,織物反面已經達到滲透印花的效果。

以真絲織物滲透印花的紅色“十”字印花區域為例,來說明印花清晰度的改善情況:預處理織物印花“十”字型的“丨”向線寬由1.39mm縮減到1.2mm;預處理織物印花“十”字型的“一”向線寬由1.42mm縮減到1.31mm,由此可知清晰度有了明顯的提高。

表二 預處理對織物斷裂強力的影響

由表二可知此預處理對真絲織物強力影響較小。

實施例2

(1)制備陰離子納米多孔氧化硅分散體:將20%磺酸鈉鹽和0.5%戊醇溶解到去離子水中,加入30%納米多孔氧化硅并混合均勻,用砂磨機進行研磨分散,制備平均粒徑<200nm的納米多孔氧化硅。

(2)制備預處理液:4%陰離子納米多孔氧化硅分散體、1%CMC、6%尿素、10%二甘醇、1%碳酸氫鈉、1%聚氧化乙烯、0.5%2-甲基-1-異噻唑啉-3-酮,其余為水。

(3)浸軋烘干處理:將織物浸入到預處理液中5min,保證織物充分浸潤后,對其進行一浸一軋處理,軋余率保持在80%左右,浸軋完畢后進行60℃烘干處理。

(4)噴墨印花:采用活性染料墨水對預處理后的真絲之后進行印花處理。

(5)汽蒸固色:將印花織物置于提前預熱就緒的汽蒸機內(汽蒸環境:102℃,78%RH),汽蒸處理35min。

(6)水洗烘干處理:對汽蒸后的印花織物實行如下水洗工藝:冷水洗(2min)→熱水洗(60℃,1min)→冷水洗(2min)→烘干(60℃)。

表三:預處理對滲透印花正反面顏色深度(K/S值)及鮮艷度(C*值)的提升效果

由表三可知,經預處理后,滲透作用有了明顯提高,織物正反面的顏色深度和鮮艷度有了大幅度增加,從視覺角度來看,織物反面已經達到滲透印花的效果。

以真絲織物滲透印花的紅色“十”字印花區域為例,來說明印花清晰度的改善情況:預處理織物印花“十”字型的“丨”向線寬由1.39mm縮減到1.24mm;預處理織物印花“十”字型的“一”向線寬由1.42mm縮減到1.35mm,由此可知清晰度有了明顯的提高。

表四 預處理對織物斷裂強力的影響

由表四可知此預處理對真絲織物強力影響較小。

雖然本發明已以較佳實施例公開如上,但其并非用以限定本發明,任何熟悉此技術的人,在不脫離本發明的精神和范圍內,都可做各種的改動與修飾,因此本發明的保護范圍應該以權利要求書所界定的為準。

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