專利名稱：95%電阻陶瓷基體低溫燒結的配方的制作方法
技術領域：
本發明是一種能夠在1250°C低溫下快速燒結的95%電阻陶瓷基體原料的配制方法。
背景技術：
目前，傳統的95%瓷原料配方是用a-氧化鋁(Al203)94 % (W%)、燒滑石[Mg3Si4Oltl(OH)2] 3%、高嶺土AbQj.2Si02.2H20) 3%配制而成，燒結溫度高達 1700°C，此種陶瓷原料不僅能耗很大，生產周期長，成本居高不下，一直未能應用到超小型化95%電阻陶瓷基體上。

發明內容
為了克服目前傳統95 %陶瓷原料配方燒結溫度過高，能耗很大，生產周期長，成本太高的缺點，本發明提供一種燒成溫度低，燒成速度快，適合超小型化95%電阻陶瓷基體生產需要的陶瓷原料配方。本發明解決其 技術問題所采用的技術方案是它是采用a-氧化鋁(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸鋇(Ba0.2B203) 2 3%、氧化錳(MnO2) 1.5 3%、碳酸鎂(MgCO3) I 1.5%、氧化鈦(TiO2)0.5 1.5%配制而成。本發明的有益效果是燒成溫度低，燒成速度快，成本低效率高，為超小型化95%電阻陶瓷基體生產開辟了一種新方法。


具體實施例方式采用a-氧化鋁(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸鋇(Ba0.2B203) 2 3%、氧化錳(MnO2) 1.5 3%、碳酸鎂(MgCO3) I 1.5%、氧化鈦(TiO2)0.5 1.5%配制混合而成。
權利要求
1.一種95%電阻陶瓷基體原料的配制方法，它是采用a-氧化鋁(Al203)94% (w%),燒滑石[Mg3Si4Oltl(OH)2] 3%、高嶺土(Al2O3.2Si02.2H20) 3%配制而成，燒結溫度 1700°C，其特征是采用a-氧化鋁(Al2O3) 94 96% (ff% )、焦硼酸鋇(Ba0.2B203) 2 3%、二氧化錳(MnO2) 1.5 3%、碳酸鎂(MgCO3)I 1.5%、氧化鈦(TiO2)0.5 1.5%配制而成，燒結溫度 1250 °C。
全文摘要
一種能夠在1250℃低溫下快速燒結的95％電阻陶瓷基體原料的配制方法。它是采用a-氧化鋁(Al2O3)94～96％(W％)、焦硼酸鋇(BaO·2B2O3)2～3％、氧化錳(MnO2)1.5～3％、碳酸鎂(MgCO3)1～1.5％、氧化鈦(TiO2)0.5～1.5％配制而成。其特點是燒結溫度低、燒結速度快、節能減排效果明顯，熱導率可達21～25W/m·K，密度可達3.75克/立方厘米，具有絕緣強度高、抗折強度高的優點，完全滿足超小型化電阻性能的要求。主要用于生產超小型化95％電阻陶瓷基體、95％半導體集成電路封裝遮光陶瓷基片、電子數碼管氧化鋁陶瓷板等電子陶瓷產品。
文檔編號C04B35/622GK103086701SQ20111034771
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月2日 優先權日2011年11月2日
發明者彭道移 申請人:東莞市長凌電子材料有限公司