晶體硅塊的切割方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶體硅塊的切割方法，包括：檢測所述晶體硅塊，去除晶體硅塊的頭尾；將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠；將夾板放置在切割平臺上；采用硅膠將若干晶體硅塊緊挨布置、并粘接在夾板上，在相鄰的兩個晶體硅塊間的縫隙內(nèi)填充滿所述硅膠；刮平晶體硅塊與所述夾板間、晶體硅塊間多余的硅膠；待粘接晶體硅塊與夾板和位于所述縫隙內(nèi)的所述硅膠晾干后，切割晶體硅塊。本發(fā)明提供的晶體硅塊的切割方法中，將相鄰的晶體硅塊間的縫隙用硅膠填滿，消除了晶體硅塊間的縫隙，使得鋼線在切入晶體硅塊的過程中受力較均勻，從而避免了由于晶體硅塊間的縫隙導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提高了切割晶體硅塊的合格率。
【專利說明】晶體硅塊的切割方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)【技術領域】，更具體地說，涉及一種晶體硅塊的切割方法。
【背景技術】
[0002]隨著煤炭、石油等不可再生能源危機的出現(xiàn)，人們逐漸開始利用太陽能。太陽能電池是利用太陽能的一種方法。
[0003]目前，作為太陽能電池的晶硅電池被廣泛的生產(chǎn)和應用。請參見圖1，在生產(chǎn)晶硅電池的過程中，需要對生產(chǎn)的晶體硅塊4進行切割，將其切割成符合要求的晶體硅片。通常采用線鋸對晶體硅塊4進行切割，即通過高速運動的鋼線完成對晶體硅塊4的切割。在切割前需要將若干晶體硅塊4放置在夾板I上，每個晶體硅塊緊挨放置，一般采用硅膠2將晶體硅塊4粘接在夾板I上。
[0004]晶體硅塊4是由切割硅錠得到的，在截斷硅錠的過程中，不可避免的會造成晶體硅塊4的截面有一定的斜面，那么相鄰的晶體硅塊4之間會有縫隙，如圖1所示。當鋼線切割夾板I上的晶體硅塊4時，晶體硅塊4之間的縫隙會對鋼線的切割造成一定的影響，因為鋼線切入晶體硅塊4的過程中，部分鋼線未與晶體硅塊4接觸，使得鋼線受力不均，容易導致鋼線切斜、跳線，使得晶體硅塊4脫落硅片，最終導致晶體硅片的切割面不平整，不能滿足要求，降低了切割晶體硅塊4的合格率。
[0005]另外，在切割過程中，由于鋼線高速運動，晶體硅塊4之間的縫隙也容易導致鋼線發(fā)生斷裂，需要對鋼線進行維修，一定程度上延緩了切割進程，降低了切割晶體硅塊4的工作效率。
[0006]綜上所述，如何提供一種晶體硅塊的切割方法，避免由于晶體硅塊間的縫隙導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提高切割晶體硅塊的合格率，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種晶體硅塊的切割方法，避免了由于晶體硅塊間的縫隙導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提高了切割晶體硅塊的合格率。
[0008]為了達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案:
[0009]一種晶體硅塊的切割方法，包括:
[0010]I)檢測所述晶體硅塊，去除所述晶體硅塊的頭尾；
[0011]2)將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠；
[0012]3)將夾板放置在切割平臺上；
[0013]4)采用所述硅膠將若干所述晶體硅塊緊挨布置、并粘接在所述夾板上，在相鄰的兩個所述晶體硅塊間的縫隙內(nèi)填充滿所述硅膠；
[0014]5)刮平所述晶體硅塊與所述夾板間、所述晶體硅塊間多余的所述硅膠；[0015]6)待粘接所述晶體硅塊與所述夾板和位于所述縫隙內(nèi)的所述硅膠晾干后，切割所述晶體娃塊。
[0016]優(yōu)選的，上述晶體硅塊的切割方法中，所述步驟I)采用紅外探傷測試儀對所述晶體硅塊進行檢測。
[0017]優(yōu)選的，上述晶體硅塊的切割方法，所述步驟I)和步驟2)之間還包括:去除所述晶體硅塊的角邊料。
[0018]優(yōu)選的，上述晶體硅塊的切割方法，所述步驟6)中切割所述晶體硅塊具體操作為:采用多線切割方法切割所述晶體硅塊。
[0019]優(yōu)選的，上述晶體硅塊的切割方法中，所述步驟6)具體為:
[0020]61)將所述晶體硅塊切割成晶體硅條；
[0021]62)將所述晶體硅條切割成晶體硅片。
[0022]優(yōu)選的，上述晶體硅塊的切割方法，所述步驟61)和步驟62)中切割方向均為晶格生長方向。
[0023]本發(fā)明提供的晶體硅塊的切割方法中，將位于夾板上相鄰的晶體硅塊間的縫隙用硅膠填滿，具體包括以下步驟:首先檢測晶體硅塊，去除晶體硅塊的頭尾；將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠；將夾板放置在切割平臺上；采用硅膠將若干所述晶體硅塊緊挨布置、并粘接在夾板上，在相鄰的兩個晶體硅塊間的縫隙內(nèi)填充滿硅膠；刮平晶體硅塊與夾板間、晶體硅塊間多余的硅膠；待粘接晶體硅塊與夾板和位于縫隙內(nèi)的硅膠晾干后，切割晶體硅塊。本發(fā)明將相鄰的晶體硅塊間的縫隙用硅膠填滿，消除了晶體硅塊間的縫隙，使得鋼線在切入晶體硅塊的過程中受力較均勻，從而避免了由于晶體硅塊間的縫隙導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提高了切割晶體硅塊的合格率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術提供的晶體硅塊粘接在夾板上的結(jié)構示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實施例提供的晶體硅塊粘接在夾板上的結(jié)構示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例一的流程示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例二的流程示意圖。
[0029]上圖1-2 中:
[0030]夾板1、硅膠2、縫隙3、晶體硅塊4。
【具體實施方式】
[0031]本發(fā)明提供了一種晶體硅塊的切割方法，避免了由于晶體硅塊間的縫隙導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提聞了切割晶體娃塊的合格率。
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033]請參考附圖2-4，圖2為本發(fā)明實施例提供的晶體硅塊粘接在夾板上的結(jié)構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例一的流程示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例二的流程示意圖。
[0034]請參考附圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例一的流程示意圖，具體方法如下:
[0035]101)檢測晶體硅塊4，去除晶體硅塊4的頭尾:
[0036]對晶體硅塊4經(jīng)行檢測，判斷晶體硅塊4的質(zhì)量是否符合要求，若晶體硅塊4的質(zhì)量符合要求，去除晶體硅塊4的頭尾，為切割晶體硅塊4做準備；
[0037]102)將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠2:
[0038]選取硅膠2中的固化組分和溶解組分，將二者按照設定的比例進行混合，制取符合要求的硅膠2 ；
[0039]103)將夾板I放置在切割平臺上；
[0040]104)采用硅膠2將若干晶體硅塊4緊挨布置、并粘接在夾板I上，在相鄰的兩個晶體硅塊4間的縫隙3內(nèi)填充滿硅膠2:
[0041]將晶體硅塊4緊挨布置在夾板I上，可以是兩塊晶體硅塊4，也可以是多塊晶體硅塊4，通過硅膠2將晶體硅塊4粘接在夾板I上，在相鄰的兩個晶體硅塊4間的縫隙3內(nèi)充滿娃膠2,如圖2所示；
[0042]105)刮平晶體硅塊4與夾板I間、晶體硅塊4間多余的硅膠2:
[0043]將多余的硅膠2刮去，為下一步切割晶體硅塊4做準備；
[0044]106)待粘接晶體硅塊4與夾板I和位于縫隙3內(nèi)的硅膠2晾干后，切割晶體硅塊4。
[0045]上述實施例提供的切割方法，實現(xiàn)了對晶體硅塊4的切割，本發(fā)明將相鄰的晶體硅塊4間的縫隙3用硅膠2填滿，消除了晶體硅塊4間的縫隙3，使得鋼線在切入晶體硅塊4的過程中受力較均勻，從而避免了由于晶體硅塊4間的縫隙3導致鋼線切斜、跳線的問題，進而提聞了切割晶體娃塊4的合格率。
[0046]請參考附圖4，圖4為本發(fā)明實施例提供的晶體硅片的切割方法的實施例二的流程示意圖，具體方法如下:
[0047]201)檢測晶體硅塊4，去除晶體硅塊4的頭尾:
[0048]對晶體硅塊4經(jīng)行檢測，判斷晶體硅塊4是否符合要求，可以采用紅外探傷測試儀對晶體硅塊4進行檢測，若晶體硅塊4符合要求，去除晶體硅塊4的頭尾；
[0049]202)去除晶體硅塊4的角邊料:
[0050]便于在后續(xù)步驟中切割晶體硅塊4，需要去除晶體硅塊4的角邊料；
[0051 ] 203)將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠2:
[0052]選取硅膠2中的固化組分和溶解組分，將二者按照設定的比例進行混合，制取符合要求的硅膠2 ；
[0053]204)將夾板I放置在切割平臺上；
[0054]205)采用硅膠2將若干晶體硅塊緊挨布置、并粘接在夾板I上，在相鄰的兩個晶體硅塊4間的縫隙3內(nèi)填充滿硅膠2:
[0055]將晶體硅塊4緊挨布置在夾板I上，可以是兩塊晶體硅塊4，也可以是多塊晶體硅塊4，通過硅膠2將晶體硅塊4粘接在夾板I上，在相鄰的兩個晶體硅塊4間的縫隙3內(nèi)充滿娃膠2,如圖2所示；
[0056]206)刮平晶體硅塊4與夾板I間、晶體硅塊4間多余的硅膠2:
[0057]將多余的硅膠2刮去，為下一步切割晶體硅塊4做準備；
[0058]207)待粘接晶體硅塊4與夾板I和位于縫隙3內(nèi)的硅膠2晾干后，將晶體硅塊4切割成晶體硅條，切割方向平行于晶格的生長方向:
[0059]采用多線切割方法切割晶體硅塊4，為了減少微晶區(qū)域的出現(xiàn)，提高切割晶體硅塊4的質(zhì)量，在切割過程中，切割方向平行于晶格的生長方向；
[0060]208)將晶體硅條切割成晶體硅片，切割方向平行于晶格的生長方向:
[0061]采用多線切割方法切割晶體硅條，為了減少微晶區(qū)域的出現(xiàn)提高切割晶體硅條的質(zhì)量，在切割過程中，切割方向平行于晶格的生長方向。
[0062]上述實施例提供的晶體硅塊的切割方法中，采用多線切割方法，減小切成的晶體硅片的翹曲。當然，也可以采用其他的切割方法，例如電火花線切割方法，本發(fā)明對此不作具體地的限定。
[0063]上述實施例提供的晶體硅塊的切割方法中，采用紅外探傷測試儀對晶體硅塊4進行檢測，也可以采用其他的儀器和方法經(jīng)行檢測，本發(fā)明對此不作具體地的限定。
[0064]上述實施例提供的晶體硅塊的切割方法中，對線鋸切割的方向做了明確的說明。當然，線鋸切割的方向也可以垂直于晶格的生長方向，只是這樣切割導致晶體硅片產(chǎn)生較多的微晶區(qū)域，不如平行于晶格的生長方向切割的效果好。
[0065]對所公開的實施例的上述說明，使本領域?qū)I(yè)技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權利要求】
1.一種晶體娃塊的切割方法，其特征在于，包括: 1)檢測所述晶體硅塊，去除所述晶體硅塊的頭尾； 2)將固化組分和溶解組分按一定的比例進行混合，制取硅膠； 3)將夾板放置在切割平臺上； 4)采用所述硅膠將若干所述晶體硅塊緊挨布置、并粘接在所述夾板上，在相鄰的兩個所述晶體硅塊間的縫隙內(nèi)填充滿所述硅膠； 5)刮平所述晶體硅塊與所述夾板間、所述晶體硅塊間多余的所述硅膠； 6)待粘接所述晶體硅塊與所述夾板和位于所述縫隙內(nèi)的所述硅膠晾干后，切割所述晶體硅塊。
2.根據(jù)權利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步驟I)采用紅外探傷測試儀對所述晶體硅塊進行檢測。
3.根據(jù)權利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步驟I)和步驟2)之間還包括:去除所述晶體硅塊的角邊料。
4.根據(jù)權利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步驟6)中切割所述晶體硅塊具體操作為:采用多線切割方法切割所述晶體硅塊。
5.根據(jù)權利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述步驟6)具體為: 61)將所述晶體硅塊切割成晶體硅條； 62)將所述晶體硅條切割成晶體硅片。
6.根據(jù)權利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述步驟61)和步驟62)中切割方向均平行于晶格的生長方向。
【文檔編號】B28D5/04GK103538157SQ201110460018
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2011年12月31日 優(yōu)先權日:2011年12月31日
【發(fā)明者】馮文宏 申請人:英利能源（中國）有限公司