專利名稱：一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃及其制作方法，更具體的說涉及一種利用白玻制作的低輻射翡翠綠玻璃及制作方法。
背景技術：
目前，翡翠綠低輻射鍍膜玻璃的制作，一般都是采用綠玻為基片生產的，成本十分高昂，于是人們開始采用價格低廉的白玻為基片生產鍍膜的翡翠綠玻璃，專利申請號為CN200910027354. 4、申請日為2009年05月31的中國發明專利公開了一種離線淺綠色低輻射鍍膜玻璃及其制備方法，其采用白玻為基片，在其上一次真空濺射多個功能層，但是，首先其制得的玻璃的顏色為淺綠色而不是翡翠綠，其次其制得的玻璃的a*值< -8，與以綠玻為基片制得的產品a*值相比差別不大。

發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足之處，提供一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方法，其以白玻為基片，制作出來的鍍膜玻璃a* ( -40。為了解決上述技術問題，本發明的技術方案如下一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設有氮化硅底層、氧化鋅層、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鋅保護層、氮化硅保護層及氧化鈦層。作為優選，所述玻璃基片的厚度為6-10mm,所述氮化娃底層的厚度為75_83nm,所述氧化鋅層的厚度為25-33nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層的厚度為6_8nm，所述金屬銀層的厚度為4. 6-5. lnm，所述氧化鎳鉻層的厚度為13_16nm，所述氧化鋅保護層的厚度為35-43nm，所述氮化硅保護層的厚度為71_79nm，所述氧化鈦層的厚度為9_llnm。作為優選,所述玻璃基片的厚度為6mm。作為優選,所述氮化娃底層的厚度為77nm,所述氧化鋅層的厚度為26nm,所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層的厚度為7nm，所述金屬銀層的厚度為4. 8nm，所述氧化鎳鉻層的厚度為14nm，所述氧化鋅保護層的厚度為37nm，所述氮化硅保護層的厚度為73nm，所述氧化鈦層的厚度為9nm。一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的基礎真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 5-2m/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為105-115KW，在玻璃基片上濺射第一層75-83nm的氮化硅底層；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為22-24KW，在玻璃基片上濺射第二層25-33nm的氧化鋅層；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.0-4. 5KW，在玻璃基片上濺射第三層6-8nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層；e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5.1-6. OKW，在玻璃基片上濺射第四層
4.6-5. Inm的金屬銀層；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7-9KW，在玻璃基片上濺射第五層13-16nm的氧化鎳鉻層；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26-32KW，在玻璃基片上濺射第六層35-43nm的氧化鋅保護層；
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為99-103KW，在玻璃基片上濺射第七層71-79nm的氮化硅保護層；
i):設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為57-61KW，在玻璃基片上濺射第八層9-1 Inm的氧化鈦層。作為優選，所述步驟a)中，所述玻璃基片厚度為6mm ；
所述步驟b)中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為104KW，在玻璃基片上濺射第一層77nm的氮化娃底層；
所述步驟c)中，設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射第二層26nm的氧化鋅層；
所述步驟d)中，設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4. 2KW，在玻璃基片上濺射第三層7nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層；
所述步驟e)中，設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5. 5KW，在玻璃基片上濺射第四層4. 8nm的金屬銀層；
所述步驟f)中，設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7. 5KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm的氧化鎳鉻層；
所述步驟g)中設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層37nm的氧化鋅保護層；
所述步驟h)中，設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為101KW，在玻璃基片上濺射第七層73nm的氮化娃保護層；
所述步驟i )中，設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為59 Kff,在玻璃基片上濺射第八層9nm的氧化鈦層。作為優選，所述步驟a)中，線速度設置為I. 5-1. 7m/min。作為優選，所述步驟a)中，線速度設置為I. 5m/min。作為優選，所述步驟b)-步驟i)之間是持續進行的。作為優選，所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本發明有益效果在于
本發明的翡翠綠鍍膜玻璃，以白玻為基片，不但降低了成本，耐磨、耐腐蝕性能良好，抗氧化性強，可以有效的控制太陽能輻射，而且其以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，使制得的鍍膜玻璃呈現翡翠綠色且其a*值(-40。


圖I為本發明一種翡翠綠鍍膜玻璃的結構示意圖。
具體實施例方式以下所述僅為本發明的較佳實施例，并非對本發明的范圍進行限定。實施例1，見附圖I，一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片為白玻，制作工藝簡單，價格低廉，所述玻璃基片I上依次設有氮化硅(SiNx)底層2、氧化鋅層(Zn0x)3、金屬鉻(Cr)層或金屬鈦(Ti)層或金屬秘(Bi)層4、金屬銀(Ag)層5、氧化鎳鉻(NiCrOx)層6、氧化鋅(ZnOx)保護層7、氮化娃(SiNx)保護層8及氧化鈦(TiOx)層9。所述玻璃基片I的厚度為6mm，所述氮化硅底層2的厚度為75nm，所述氧化鋅層3的厚度為25nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為6nm，所述金屬銀層5的厚度為4. 6nm，所述氧化鎳鉻層6的厚度為13nm，所述氧化鋅保護層7的厚度為35nm，所述氮化硅保護層8的厚度為71nm，所述氧化鈦層9的厚度為9nm。一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的基礎真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 5m/min ;玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為105KW，在玻璃基片上濺射第一層75nm的氮化硅底層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為22KW，在玻璃基片上濺射第二層25nm的氧化鋅層3 ；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.0KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ；
e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5.1KW，在玻璃基片上濺射第四層
4.6nm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層35nm的氧化鋅保護層7 ；
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為99KW，在玻璃基片上濺射第七層71nm的氮化硅保護層8 ；
i):設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為57KW，在玻璃基片上濺射第八層9nm的氧化鈦層9，所述步驟b)-步驟i)之間是持續進行的。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
a*值≤-38 ；
可見光透射比40% ；
可見光反射比25% 30% ；
遮陽系數0. 36 ；
傳熱系數(W/m2K) :1. 6 I. 8。實施例2，所述玻璃基片I的厚度為10mm，所述氮化硅底層2的厚度為83nm，所述氧化鋅層3的厚度為33n m，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為8nm，所述金屬銀層5的厚度為5. lnm，所述氧化鎳鉻層6的厚度為16nm，所述氧化鋅保護層7的厚度為43nm,所述氮化娃保護層8的厚度為79nm,所述氧化鈦層9的厚度為I lnm。一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的基礎真空度設置在10_3Pa，線速度設置為2m/min ；
b):設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為115KW，在玻璃基片上濺射第一層75-83nm的氮化娃底層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為24KW，在玻璃基片上濺射第二層33nm的氧化鋅層3 ；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.5KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ；
e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為6.0KW，在玻璃基片上濺射第四層5. Inm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為9KW，在玻璃基片上濺射第五層16nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為32KW，在玻璃基片上濺射第六層43nm的氧化鋅保護層7 ；
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為103KW，在玻璃基片上濺射第七層79nm的氮化硅保護層8 ；
i):設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為61KW，在玻璃基片上濺射第八層Ilnm的氧化鈦層9。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
a*值彡-37 ；
可見光透射比40% ；
可見光反射比25% 30% ；
遮陽系數0. 36 ；
傳熱系數(W/m2K) :1. 6 I. 8。實施例3，所述氮化硅底層2的厚度為77nm，所述氧化鋅層3的厚度為26nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為7nm，所述金屬銀層5的厚度為4. 8nm，所述氧化鎳鉻層6的厚度為14nm，所述氧化鋅保護層7的厚度為37nm，所述氮化硅保護層8的厚度為73nm，所述氧化鈦層9的厚度為9nm。a):將6mm厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的基礎真空度設置在10-3Pa，線速度設置為I. 7m/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為104KW，在玻璃基片上濺射第一層77nm的氮化硅底層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射第二層26nm的氧化鋅層3 ；d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.2KW，在玻璃基片上濺射第三層7nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ；
e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5.5KW，在玻璃基片上濺射第四層
4.8nm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7.5KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層37nm的氧化鋅保護層7 ；
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為101KW，在玻璃基片上濺射第七層73nm的氮化硅保護層8 ；
i):設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為59KW，在玻璃基片上濺射第八層9nm的氧化鈦層9。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
a* 值< -40 ；
可見光透射比40% ；
可見光反射比25% 30%;
遮陽系數0. 36 ；傳熱系數(W/m2K) :1. 6 I. 8。以上說明僅僅是對發明的解釋，使得本領域普通技術人員能完整的實施本方案，但并不是對發明的限制，本領域技術人員在閱讀完本說明書后可以根據需要對本實施例做出沒有創造性貢獻的修改，這些都是不具有創造性的修改。但只要在發明的權利要求范圍內都受到專利法的保護。
權利要求
1.一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片(I)，其特征在于所述玻璃基片(I)上依次設有氮化硅底層(2)、氧化鋅層(3)、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)、金屬銀層(5)、氧化鎳鉻層(6 )、氧化鋅保護層(7 )、氮化硅保護層(8 )及氧化鈦層(9 )。
2.根據權利要求I所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(I)的厚度為6-10mm，所述氮化硅底層(2)的厚度為75_83nm，所述氧化鋅層(3)的厚度為25_33nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)的厚度為6-8nm，所述金屬銀層(5)的厚度為4. 6-5. lnm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為13_16nm，所述氧化鋅保護層(7)的厚度為35-43nm，所述氮化硅保護層(8)的厚度為71_79nm，所述氧化鈦層(9)的厚度為9-1 lnm。
3.根據權利要求2所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(I)的厚度為 6mm。
4.根據權利要求3所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于所述氮化硅底層(2)的厚度為77nm，所述氧化鋅層(3)的厚度為26nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)的厚度為7nm，所述金屬銀層(5)的厚度為4. 8nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為14nm，所述氧化鋅保護層(7)的厚度為37nm，所述氮化硅保護層(8)的厚度為73nm，所述氧化鈦層(9)的厚度為9nm。
5.一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟 a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的基礎真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 5-2m/min ； b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為105-115KW，在玻璃基片上濺射第一層75-83nm的氮化硅底層(2)； c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為22-24KW，在玻璃基片上濺射第二層25-33nm的氧化鋅層(3)； d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.0-4. 5KW，在玻璃基片上濺射第三層6_8nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬秘層(4)； e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5.1-6. 0KW，在玻璃基片上濺射第四層4. 6-5. Inm的金屬銀層(5)； f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7-9KW，在玻璃基片上濺射第五層13-16nm的氧化鎳鉻層(6)； g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26-32KW，在玻璃基片上濺射第六層35-43nm的氧化鋅保護層(7)； h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為99-103KW，在玻璃基片上濺射第七層71-79nm的氮化硅保護層(8)； i):設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為57-61KW，在玻璃基片上濺射第八層9-1 Inm的氧化鈦層(9)。
6.根據權利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于 所述步驟a)中，所述玻璃基片厚度為6mm ； 所述步驟b)中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為104KW，在玻璃基片上濺射第一層77nm的氮化娃底層(2)； 所述步驟c)中，設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射第二層26nm的氧化鋅層(3)； 所述步驟d)中，設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4. 2KW，在玻璃基片上濺 射第三層7nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)； 所述步驟e)中，設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為5. 5KW，在玻璃基片上濺射第四層4. 8nm的金屬銀層(5); 所述步驟f)中，設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為7. 5KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm的氧化鎳鉻層(6)； 所述步驟g)中設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層37nm的氧化鋅保護層(7)； 所述步驟h)中，設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為101KW，在玻璃基片上濺射第七層73nm的氮化硅保護層(8)； 所述步驟i )中，設置第八離線高真空磁控濺射設備的功率為59 Kff,在玻璃基片上濺射第八層9nm的氧化鈦層(9)。
7.根據權利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設置為I. 5-1. 7m/min。
8.根據權利要求7所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設置為I. 5m/min。
9.根據權利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟b)-步驟i)之間是持續進行的。
10.根據權利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。
全文摘要
本發明公開了一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方法，翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設有氮化硅底層、氧化鋅層、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鋅保護層、氮化硅保護層及氧化鈦層。其制作方法為將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10-3Pa，線速度設置為1.5-2m/min；依次在玻璃基片上真空濺射氮化硅底層、氧化鋅層、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鋅保護層、氮化硅保護層及氧化鈦層。本發明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，不但降低了成本，耐磨、耐腐蝕性能良好，抗氧化性強，可以有效的控制太陽能輻射，而且制得的鍍膜玻璃的a*可以達到≤-40。
文檔編號C03C17/36GK102617048SQ20121007808
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月22日 優先權日2012年3月22日
發明者姚聯根, 屠松柏, 楊德兵, 陳海平 申請人:聯海(國際)玻璃技術有限公司