專利名稱：一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃及其制作方法，更具體的說涉及一種利用白玻制作的低輻射鍍膜玻璃及制作方法。
背景技術：
低輻射鍍膜玻璃具有低傳熱性能和較低的遮陽系數，專利申請號為CN201110060204. O、申請日為2011年03月13日的中國發明專利公開了一種可鋼化的低輻射鍍膜玻璃及其制備方法，在玻璃基片的表面從下至上依次設置電介質層I、電介質層II、金屬阻擋層I、銀層、金屬阻擋層II、電介質層III和電介質層IV;電介質層I與玻璃基片的表面相連，電介質層I和電介質層IV為氧化娃層，電介質層II和電介質層III為氧化鋅的錫酸鹽層，金屬阻擋層I和金屬阻擋層II為鎳鉻合金層。但是，其遮陽系數在O. 6左右，遮陽效果差。

發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足之處，提供一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法，其以白玻為基片，制作出來的鍍膜玻璃具有低傳熱系數和低遮陽系數。為了解決上述技術問題，本發明的技術方案如下一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設有氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護層。作為優選，所述玻璃基片的厚度為6-10mm,所述氮化娃層的厚度37_43nm,所述氧化鋅鋁層的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層的厚度為7-10nm，所述金屬銀層的厚度為
11.5-12. 5nm、所述氧化鎳鉻層的厚度為ll_14nm，所述氧化鈦層的厚度為13_17nm，所述氮化硅保護層的厚度為61-69nm。作為優選,所述玻璃基片的厚度為6mm。作為優選，所述氮化硅層的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層的厚度為19nm，所述金屬鈦層的厚度為8nm，所述金屬銀層的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層的厚度為13nm，所述氧化鈦層的厚度為15nm,所述氮化娃保護層的厚度為64nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 7-2. lm/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層；
c):設置第二離線高真空磁控濺 射設備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3.5-4. 0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-1Onm金屬鈦層；e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層
11.5-12. 5nm的金屬銀層；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5.6-6. 2KW，在玻璃基片上濺射第五層ll-14nm的氧化鎳鉻層；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層；
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化娃保護層。作為優選,所述步驟a)中,所述玻璃基片的厚度為6mm ；
所述步驟b)中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化娃層；
所述步驟c)中，設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為17. 5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層；
所述步驟d)中，設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層；
所述步驟e)中，將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層；
所述步驟f)中，設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5. 8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層；
所述步驟g)中，設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層；
所述步驟h)中，設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化娃保護層。作為優選，所述步驟a)中，線速度設置為2. 0-2. lm/min。作為優選,所述步驟a)中，線速度設置為2. lm/min。作為優選，所述步驟b)-步驟h)之間是持續進行的。作為優選，所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本發明有益效果在于
本發明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，降低了成本，膜層熱穩定性、牢固性、抗氧化性極強，在常溫下放置8個月不影響使用，由于能夠進行熱處理(鋼化)，極大的降低了鍍膜的生產成本，便于運輸，而且其具有低傳熱系數和低遮陽系數。


圖I為本發明的結構示意圖。
具體實施方式

以下所述僅為本發明的較佳實施例，并非對本發明的范圍進行限定。實施例1，見附圖1，一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片為白玻，所述玻璃基片I上依次設有氮化硅(SiNx)層2、氧化鋅鋁層(ZnAlOx) 3、金屬鈦層4(Ti)、金屬銀層(Ag) 5、氧化鎳鉻層(NiCrOx) 6、氧化鈦層(TiOx) 7及氮化娃(SiNx)保護層8。所述玻璃基片I的厚度為6_，所述氮化硅層2的厚度37nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為17nm，所述金屬鈦層4的厚度為7nm，所述金屬銀層5的厚度為11. 5，所述氧化鎳鉻層6的厚度為I Inm,所述氧化鈦層7的厚度為13nm,所述氮化娃保護層8的厚度為61nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 7m/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37nm的氮化硅層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為16KW，在玻璃基片上濺射第二層17nm的氧化鋅鋁層3 ；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3.5KW，在玻璃基片上濺射第三層7nm金屬鈦層4 ；
e ):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為IO KW，在玻璃基片上濺射第四層
11.5nm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5.6KW，在玻璃基片上濺射第五層Ilnm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為70KW，在玻璃基片上濺射第六層13nm的金屬鈦層7 ;
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射第七層61nm的氮化硅保護層8。其中，在鍍膜的時候，所述步驟b)_步驟h)之間是持續進行的，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
可見光透射比42% ；
可見光反射比25%;
遮陽系數0. 32 O. 35 ;
傳熱系數1. 35 I. 55。實施例2，所述玻璃基片I的厚度為10mm，所述氧化硅層2的厚度43nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為24nm，所述金屬鈦層4的厚度為10nm，所述金屬銀層5的厚度為12. 5nm、所述氧化鎳鉻層6的厚度為14nm，所述氧化鈦層7的厚度為17nm，所述氧化硅保護層8的厚度為69nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10_3Pa，線速度設置為2. lm/min ； b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為56KW，在玻璃基片上濺射第一層43nm的氮化硅層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為20KW，在玻璃基片上濺射第二層24nm的氧化鋅鋁層3 ；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為4.OKW，在玻璃基片上濺射第三層IOnm金屬鈦層4 ；
e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層
12.5nm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為6.2KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為74KW，在玻璃基片上濺射第六層17nm的金屬鈦層7 ;
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為84KW，在玻璃基片上濺射第七層69nm的氮化硅保護層8。其中，在鍍膜的時候，所述步驟b)_步驟h)之間是持續進行的，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
可見光透射比42% ；
可見光反射比25%;
遮陽系數0. 29 O. 35 ;
傳熱系數1. 25 I. 55。實施例3，玻璃基片的厚度為6mm，所述氧化硅層2的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為19nm,所述金屬鈦層4的厚度為8nm,所述金屬銀層5的厚度為12nm、所述氧化鎳鉻層6的厚度為13nm，所述氧化鈦層7的厚度為15nm，所述氧化硅保護層8的厚度為64nm。a):將6mm厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10_3Pa，線速度設置為2. lm/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化硅層2 ；
c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為17.5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅招層3 ；
d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3.8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層4 ；
e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層5 ；
f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5.8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層7 ;
h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為81KW，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護層8。其中，在鍍膜的時候，所述步驟b )-步驟h )之間是持續進行的，沒有間隔，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設置，結合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進行檢測，其結果如下
可見光透射比42% ；
可見光反射比25% ；
遮陽系數0. 29 O. 35;
傳熱系數1. I I. 55。以上說明僅僅是對發明的解釋，使得本領域普通技術人員能完整的實施本方案，但并不是對發明的限制，本領域技術人員在閱讀完本說明書后可以根據需要對本實施例做出沒有創造性貢獻的修改，這些都是不具有創造性的修改。但只要在發明的權利要求范圍內都受到專利法的保護。
權利要求
1.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片(I)，其特征在于所述玻璃基片(I)上依次設有氮化硅層(2 )、氧化鋅鋁層(3 )、金屬鈦層(4 )、金屬銀層(5 )、氧化鎳鉻層(6 )、氧化鈦層(7)及氮化硅保護層(8)。
2.根據權利要求I所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(O的厚度為6-10mm，所述氮化硅層(2)的厚度37_43nm，所述氧化鋅鋁層(3)的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層(4)的厚度為7_10nm，所述金屬銀層(5)的厚度為11. 5-12. 5nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為ll_14nm，所述氧化鈦層(7)的厚度為13_17nm，所述氮化硅保護層(8)的厚度為61-69nm。
3.根據權利要求2所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(I)的厚度為6mm。
4.根據權利要求3所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述氮化硅層(2)的厚度39nm,所述氧化鋅招層(3)的厚度為19nm,所述金屬鈦層(4)的厚度為8nm,所述金屬銀層(5)的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為13nm，所述氧化鈦層(7)的厚度為15nm,所述氮化娃保護層(8)的厚度為64nm。
5.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟 a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10_3Pa，線速度設置為I. 7-2. lm/min ； b):將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層(2)； c):設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層(3)； d):設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3.5-4. 0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-10nm金屬鈦層(4)； e):設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層11. 5-12. 5nm的金屬銀層(5); f):設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5.6-6. 2KW，在玻璃基片上濺射第五層ll-14nm的氧化鎳鉻層(6)； g):設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層(7)； h):設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化娃保護層(8)。
6.根據權利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于 所述步驟a)中，所述玻璃基片的厚度為6mm ； 所述步驟b)中，設置第一離線高真空磁控濺射設備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化娃層(2)； 所述步驟c)中，設置第二離線高真空磁控濺射設備的功率為17. 5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層(3)； 所述步驟d)中，設置第三離線高真空磁控濺射設備的功率為3. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層(4)；所述步驟e)中，將切割后的玻璃基片輸送進鍍膜室中，設置第四離線高真空磁控濺射設備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層(5)； 所述步驟f)中，設置第五離線高真空磁控濺射設備的功率為5. 8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層(6)； 所述步驟g)中，設置第六離線高真空磁控濺射設備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層(7)； 所述步驟h)中，設置第七離線高真空磁控濺射設備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護層(8)。
7.根據權利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設置為2. 0-2. lm/min。
8.根據權利要求7所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設置為2. lm/min。
9.根據權利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟b)-步驟h)之間是持續進行的。
10.根據權利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。
全文摘要
本發明公開了一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法，雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設有氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護層。其制作方法為將離線高真空磁控濺射設備的真空度設置在10-3Pa，線速度設置為1.7-2.1m/min；依次在玻璃基片上真空濺射氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護層。本發明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，降低了成本，膜層熱穩定性、牢固性、抗氧化性極強，在常溫下放置8個月不影響使用，由于能夠進行熱處理，極大的降低了鍍膜的生產成本，便于運輸，而且其具有低傳熱系數和低遮陽系數。
文檔編號C03C17/36GK102617047SQ20121007808
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月22日 優先權日2012年3月22日
發明者姚聯根, 屠松柏, 楊德兵, 陳海平 申請人:聯海(國際)玻璃技術有限公司