專利名稱：一種摻稀土光纖預制棒的制造方法
技術領域：
本發明涉及光纖預制棒領域，具體來講是一種摻稀土光纖預制棒的制造方法。
背景技術：
在光纖激光器以及光放大器領域中，摻稀土光纖以及預制棒制造技術是核心技術，然而，制造稀土離子在石英基質中很容易發生團簇現象，從而光纖中摻入的稀土離子的濃度有限，難以滿足光纖激光器的增益要求。由于純石英光纖的摻雜濃度不能太高，低濃度、低吸收導致光纖很長才能充分吸收光泵功率，但采用通訊光纖工藝，芯的本底吸收在5-10 dB/km。另一方面，由于稀土元素的無機化合物熔點與氣化溫度都非常高，難以實現摻稀土光纖預制棒連續有效的進行氣相沉積生產，大幅提高了摻稀土光纖生產成本，降低了 稀土離子的摻雜的均勻性，而稀土元素的有機化合物雖然氣化點低，但有機化合物中引入了碳以及一定量的羥基，導致光纖預制棒衰減升高。因此如何有效進行稀土離子的氣相摻雜成為了研究的趨勢。為了方便理解本發明，將本發明涉及的專業術語集中定義如下沉積光纖原材料在一定的環境下發生化學反應生成摻雜的石英玻璃的工藝過程。熔縮將沉積后的空心玻璃管在一定的熱源下逐漸燒成實心玻璃棒的工藝過程。稀土材料靶棒采用稀土元素化合物以及共摻化合物通過高溫高壓形成的高密度柱形材料。襯底管用于沉積的高純石英玻璃管。美國專利4，909，816以及其關聯專利4，217，027與4，334，903，公開了一種使用改進的化學氣相沉積(MCVD)工藝結合液相溶液法制備摻稀土光纖以及預制棒的方法，該方法利用了 MCVD具備較好的衰減控制能力，以及稀土離子溶于水后電離并浸潤于二氧化硅粉塵soot，但是該液相摻雜法每次溶液浸泡需要時間周期較長，沉積與浸泡需要交替進行，難以實現連續沉積，徑向均勻性不佳，沉積速率與效率低下，摻雜材料存在顆粒狀團聚，隨著沉積厚度增加光棒在燒透明工藝中極易產生氣泡，因此難以制備較大芯區直徑預制棒。美國專利US 2002/0073739 Al公開了一種使用“混合氣相工藝(HVP)”的方法實現摻稀土光纖高濃度的離子摻雜，該混合氣相工藝法雖然能夠實現在線摻雜的功能，但是由于其使用的摻雜稀土化合物為有機化合物，會引入了碳以及一定量的羥基，導致光纖預制棒羥基以及硅的碳化物濃度升高，大幅增加了光纖的非泵浦吸收損耗，增加了拉制光纖的衰減。中國專利200410029810. 6公開了一種使用稀土原料加溫氣化制備摻稀土光纖預制棒的方法，該方法需要設計耐受高溫的稀土化合物蒸發系統，系統復雜，設備故障率非常高，同時在原料在料柜中蒸發后會在輸送管道內部分凝結成較大團簇，造成光纖預制棒摻雜均勻性差以及產生氣泡。中國專利201010605713. 2公開了一種液相稀土溶液法結合外部氣相沉積法(OVD)制備摻稀土光纖預制棒以及光纖的方法，該方法仍然使用的是液相浸泡的方法，存在著嚴重的徑向不均勻性，同樣也存在著液相法沉積與摻雜需分開進行的缺點，另外，雖然OVD方法能夠增大光纖預制棒沉積直徑，然而由于液相法在較高摻雜濃度下極易發生團簇，使soot粉塵在燒透明時出現氣泡，因此實際也難以能夠實現較大的光纖預制棒芯徑。綜上所述，在制造摻稀土光纖預制棒過程中，常規的工藝存在如下缺陷料柜氣相蒸發法對設備保溫與抗高溫要求過高，共摻雜方式復雜；采用熔融法制備的摻稀土光纖預制棒，對熔融材料提出了較高的要求，同時熔融法制備的光纖預制棒摻雜元素存在形式仍然以顆粒為主；另外，上述方法都存在光纖預制棒芯區直徑較小，生產效率低，制造成本高，不具備規模化生產的問題。

發明內容
針對現有技術中存在的缺陷，本發明的目的在于提供一種摻稀土光纖預制棒的制造方法，增大光纖預制棒芯區直徑，對稀土化合物原材料種類限制少，能夠大幅度提高摻稀土光纖預制棒的生產制造效率、稀土離子摻雜均勻性，降低光纖預制棒無效雜質含量，同時降低生產成本，便于規模化生產的推廣，以滿足高能激光，光放大器以及醫療等領域對摻稀土光纖的需求。 為達到以上目的，本發明采取的技術方案是一種摻稀土光纖預制棒的制造方法，包括如下步驟S1.將柱形稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內的進氣端，再將所述襯底管安裝在化學氣相沉積設備上；S2.將激光聚焦于所述稀土材料預制靶棒，通入由氧氣、氯氣、四氯化硅氣體、四氯化鍺氣體、以及氟的碳化物組成的混合氣體，進行沉積形成光纖芯棒預制件；S3.將所述光纖芯棒預制件利用高溫熔縮，形成透明的光纖預制棒。在上述技術方案的基礎上，所述襯底管內徑為15mnT51mm,稀土材料預制祀棒直徑小于襯底管內徑；化學氣相沉積設備為等離子化學氣相沉積設備或改進型化學氣相沉積設備。在上述技術方案的基礎上，所述稀土材料預制靶棒是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形，其中稀土元素為鐿、鉺、錢、釹、鋪、鏑、欽、衫、鋪、鐠、钷中的一種或幾種元素，共摻雜金屬元素為招元素。在上述技術方案的基礎上，所述稀土材料預制靶棒是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形,其中稀土材料為鉺、鐿的氯化物，共摻雜材料為三氯化鋁。在上述技術方案的基礎上，所述激光聚焦于所述稀土材料預制靶棒表面，其激光波長為800nnTl300nm，激光束斑直徑小于5mm，激光輸出功率大于100 W，激光對稀土材料預制靶棒進行高溫燒蝕蒸發出預制靶材料。在上述技術方案的基礎上，通入所述混合氣體，混合氣體與蒸發出的預制靶材料一起通過襯底管，并化學反應形成摻雜的石英玻璃材料沉積在襯底管內。在上述技術方案的基礎上，所述氧氣與四氯化硅氣體的摩爾比控制在I. 5 2. 5，四氯化鍺氣體與四氯化硅氣體的摩爾比控制在O. 005、. 25，氯氣與氧氣的摩爾比控制在O. Γ1. 0，混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比范圍為2(Γ200，石英玻璃材料沉積在襯底管內的厚度為O. 43 mm 14 mm。在上述技術方案的基礎上，所述光纖芯棒預制件利用1900°(T2500°C高溫將光纖芯棒預制件熔化并熔縮成為實心的光纖預制棒，光纖預制棒芯區直徑為5mnT45. 5mm,稀土離子濃度高于9000ppm，300mm內軸向濃度差小于10%。在上述技術方案的基礎上，所述稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內部進氣端并固定，襯底管內徑為15mm,稀土材料預制祀棒直徑為8mm,稀土材料為氯化鐿、三氯化招混合物，稀土材料預制祀棒長度為100mm,密度為3. 5 g/cm3,將組裝好的襯底管安裝到改進型化學氣相沉積沉積設備上。在上述技術方案的基礎上，所述稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內部進氣端并固定，襯底管內徑為24mm,稀土材料預制祀棒直徑為15mm,稀土材料為氯化鉺、三氯化鋁混合物，稀土材料預制靶棒長度為100_，密度為4 g/cm3，將組裝好的襯底管安裝到等離子化學氣相沉積設備上。在上述技術方案的基礎上，所述稀土材料預制靶棒先安裝在石英玻璃護管內部， 然后將石英玻璃護管安裝于襯底管進氣端并固定，襯底管內徑為51mm，稀土材料預制靶棒直徑為18mm，稀土材料為氯化鐿、氯化鉺、三氯化鋁混合物，稀土材料預制靶棒長度為100mm,密度為4g/cm3，將組裝好的襯底管安裝到等離子體化學氣相沉積設備上。本發明的有益效果在于I、本發明使用管內法稀土離子氣相摻雜的方法，利用襯底管與稀土離子化合物對一定波長激光不同的吸收率不同，將稀土材料在襯底管內進行氣化的方法進行CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)稀土離子光纖預制棒方法,相對于背景技術中的液相法，擁有更高的生產效率，更低的羥基損耗以及更均勻的摻雜濃度；較螯合物氣相法相比，則避免了沉積過程中的碳等其他無效雜質的引入，較高溫料柜氣相法，降低了對料柜等設備耐溫耐腐蝕的要求。2、本發明的方法中，使用全合成的工藝實現稀土離子在線摻雜，而無需利用背景技術中沉積與浸泡摻雜交替進行，大幅提升了光纖預制棒的生產效率。3、本發明摻稀土光纖預制棒的制造方法，能夠實現沉積與摻雜同時進行，能夠連續的進行光纖芯區的沉積工藝，與現有的等離子化學氣相沉積(PCVD)以及改進型化學氣相沉積(MCVD)以及等工藝完全兼容，同時由于稀土材料蒸發后無需輸送，直接與其他沉積氣體立即混合并反應沉積在襯底管中，通過調整蒸發速率以及其他沉積氣體的流量配比，能有效的控制摻雜濃度，因此所生產的摻稀土光纖預制棒芯區尺寸較大，拉制光纖稀土離子吸收系數高，性能優異。


圖I為本發明實施例摻稀土光纖預制棒的制造方法流程圖；圖2為本發明第一實施例、第二實施例摻稀土光纖預制棒沉積裝配局部示意圖；圖3為本發明第三實施例摻稀土光纖預制棒沉積裝配局部示意圖；圖4為本發明實施例沉積完成的光纖芯棒預制件示意圖；圖5為本發明實施例熔縮完成的光纖預制棒示意圖。

稀土材料預制靶棒I，襯底管2，混合氣體3，激光4，石英玻璃護管5，石英玻璃材料6,光纖預制棒芯區7。
具體實施例方式以下結合附圖及對本發明作進一步詳細說明。如圖I所示，本發明摻稀土光纖預制棒的制造方法，包括如下步驟SI.將柱形稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內的進氣端，再將所述襯底管安裝在CVD設備上。其中，稀土材料預制靶棒是采用稀土材料制成的預制靶棒，將其安裝在石英玻璃的襯底管內部進氣端并固定，襯底管內徑為15mnT51mm,稀土材料預制革巴棒直徑小于襯底管內徑；CVD設備為PCVD設備或MCVD設備。S2.將激光聚焦于所述稀土材料預制靶棒，通入由O2 (氧氣)、Cl2 (氯氣)、SiCl4(四氯化硅氣體)、GeCl4 (四氯化鍺氣體)以及氟的碳化物組成的混合氣體，進行沉積形成光纖芯棒預制件。其中，激光聚焦于稀土材料預制祀棒表面，其激光波長為800nnTl300nm,激 光束斑直徑小于5mm,激光輸出功率大于100 w,激光對稀土材料預制祀棒進行高溫燒蝕蒸發出預制靶材料；在上述激光燒蝕蒸發過程中同時通入02、Cl2, SiCl4^GeCl4以及氟的碳化物組成的混合氣體，混合氣體與蒸發出的預制靶材料一起通過襯底管，并在熱量或者微波能量的作用下，化學反應形成摻雜的石英玻璃材料沉積在襯底管內，形成光纖芯棒預制件；所述O2與SiCl4的摩爾比控制在O. 005 O. 25，GeCl4與SiCl4的摩爾比控制在O. 005 O. 25，Cl2與O2的摩爾比控制在O. Γ1. O,混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比范圍為2(Γ200，石英玻璃材料沉積在襯底管內的厚度為O. 43 mnTl4 mm。S3.將所述光纖芯棒預制件利用高溫熔縮，形成透明的光纖預制棒。具體是將光纖芯棒預制件安裝到熔縮車床上，熔縮熱源可采用氫氧焰或者電加熱等方式，使用1900°(T2500 0C高溫將光纖芯棒預制件熔化并熔縮成為實心的光纖預制棒，光纖預制棒芯區直徑為5mm 45. 5mm,稀土離子濃度高于9000ppm, 300mm內軸向濃度差小于10%。在上述方法中，所述稀土材料預制靶棒可以是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形,其中稀土元素為Yb (鐿)、Er(鉺)、Tm(銩)、Nd(釹)、Tb(鋱)、Dy(鏑)、Ho(欽)、Sm(釤)、Ce(鈰)、Pr (鐠)、Pm(钷)中的一種或幾種元素，共摻雜金屬元素為Al (鋁)元素。所述稀土材料還可以是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形，其中稀土材料為Er、Yb的氯化物，共摻雜材料為AlCl3 (三氯化鋁)。下面通過具體實施例對本發明做進一步說明。第一實施例如圖2所示，將稀土材料預制靶棒I安裝在石英玻璃的襯底管2內部進氣端并固定，襯底管2內徑為15mm,稀土材料預制祀棒I直徑為8mm,稀土材料為YbCl3 (氯化鐿)、AlCl3混合物，稀土材料預制靶棒I長度為100mm、密度為3. 5 g/cm3,將組裝好的襯底管2安裝到MCVD設備上。再將波長為1064nm的激光4聚焦于上述稀土材料預制靶棒I表面，激光4束斑直徑4. 5mm,激光輸出功率為100w，激光4對稀土材料預制靶棒I進行高溫燒蝕蒸發出預制靶材料，在上述激光燒蝕蒸發過程中，同時按照箭頭方向通入02、Cl2, SiCl4, GeCl4以及氟的碳化物組成的混合氣體3，本實施例中氟的碳化物為C2F6, O2與SiCl4的摩爾比控制在I. 5，GeCl4與SiCl4的摩爾比控制在O. 005，Cl2與O2的摩爾比控制在O. 1，O2流量為3000sccm，混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比范圍為20:1，沉積在襯底管2內的厚度為O. 43mm。如圖I和圖4所示,混合氣體3與蒸發出的預制祀材料一起通過襯底管2并在氫氧焰熱量的作用下，化學反應形成摻雜的石英玻璃材料6沉積在襯底管2內，成為空心的光纖芯棒預制件。最后，將空心的光纖芯棒預制件安裝到氫氧焰熔縮車床上，如圖5所示，采用2100 °C的溫度將光纖芯棒預制件熔縮形成實心的光纖預制棒，其中光纖預制棒芯區7直徑為5mm,光纖預制棒芯區7的Yb離子濃度為9200ppm, 300mm內Yb離子濃度差為500ppm。第二實施例如圖2所示，將稀土材料預制靶棒I安裝在石英玻璃的襯底管2內部進氣端并固定，襯底管2內徑為24mm,稀土材料預制祀棒I直徑為15mm,稀土材料為ErCl3 (氯化鉺)、AlCl3混合物，稀土材料預制祀棒I長度為100mm,密度為4g/cm3,將組裝好的襯底管2安裝到PCVD設備上。再將波長為800nm的激光4聚焦于上述稀土材料預制靶棒I表面，激光4束斑直徑4mm，激光輸出功率為200w，激光4對稀土材料預制靶棒I進行高溫燒蝕蒸發出預 制靶材料，在上述激光燒蝕蒸發過程中，同時按照箭頭方向通入02、Cl2, SiCl4, GeCl4以及氟的碳化物組成的混合氣體3，本實施例中氟的碳化物為C2F6, O2與SiCl4的摩爾比控制在2. 5，GeCl4與SiCl4的摩爾比控制在O. 25，Cl2與O2的摩爾比控制在I. 0，混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比為20:1，O2流量為4000sccm，沉積在襯底管2內的厚度為4mm。如圖I和圖4所示，混合氣體3與蒸發出的預制靶材料一起通過襯底管2并在微波能量的作用下，化學反應形成摻雜的石英玻璃材料6沉積在襯底管2內，成為空心的光纖芯棒預制件。最后，將空心的光纖芯棒預制件安裝到電感應熔縮車床上，如圖5所示，采用2100°C的溫度將光纖芯棒預制件熔縮形成實心的光纖預制棒，其中光纖預制棒芯區7直徑為17. 9mm,光纖預制棒芯區7的Er離子濃度為IlOOOppm, 300mm內Er離子濃度差為400ppm。第三實施例如圖3所示，所述稀土材料預制靶棒I先安裝在石英玻璃護管5內部，然后將石英玻璃護管5安裝于襯底管2進氣端并固定，襯底管2內徑為51_，稀土材料預制靶棒I直徑為18mm，稀土材料為YbCl3、ErCl3、AlCl3混合物，稀土材料預制靶棒I長度為100mm、密度為4g/cm3，將組裝好的襯底管2安裝到PCVD設備上。再將波長為1300nm的激光4聚焦于上述稀土材料預制靶棒I表面，激光4束斑直徑4mm，激光輸出功率為200w，激光4對稀土材料預制靶棒I進行高溫燒蝕蒸發出預制靶材料，在上述激光燒蝕蒸發過程中，同時按照箭頭方向通入02、Cl2, SiCl4, GeCl4以及氟的碳化物組成的混合氣體3，本實施例中氟的碳化物為CF4, O2與SiCl4的摩爾比控制在2. 5，GeCl4與SiCl4的摩爾比控制在O. 25，O2流量為4000SCCm，與此同時將Cl2單獨通入石英玻璃護管5內，Cl2通過通過石英玻璃護管5內的稀土材料預制靶棒I后，再通入襯底管2內，Cl2與O2的摩爾比控制在I. O,混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比為200:1，沉積在襯底管2內的厚度為14mm。如圖I和圖4所示，混合氣體3與蒸發出的預制靶材料一起通過襯底管2并在微波能量的作用下，化學反應形成摻雜的石英玻璃材料6沉積在襯底管2內，成為空心的光纖芯棒預制件。最后，將空心的光纖芯棒預制件安裝到電感應熔縮車床上，如圖5所示，采用2500°C的溫度將光纖芯棒預制件熔縮形成實心的光纖預制棒，其中光纖預制棒芯區7直徑為45. 5mm,光纖預制棒芯區7的Er離子濃度為IOOOOppm, 300mm內Er離子濃度差為300ppm。本發明不局限于上述實施方式，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍之內。本說明書中未作詳細描述的內容屬于本領域專業技術人員公知的現 有技術。
權利要求
1.一種摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 51.將柱形稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內的進氣端，再將所述襯底管安裝在化學氣相沉積設備上； 52.將激光聚焦于所述稀土材料預制靶棒，通入由氧氣、氯氣、四氯化硅氣體、四氯化鍺氣體、以及氟的碳化物組成的混合氣體，進行沉積形成光纖芯棒預制件； 53.將所述光纖芯棒預制件利用高溫熔縮，形成透明的光纖預制棒。
2.如權利要求I所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述襯底管內徑為15mnT51mm,稀土材料預制祀棒直徑小于襯底管內徑；化學氣相沉積設備為等離子化學氣相沉積設備或改進型化學氣相沉積設備。
3.如權利要求2所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述稀土材料預 制革El棒是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形,其中稀土元素為鐿、鉺、錢、釹、鋪、鏑、欽、衫、鋪、鐠、钷中的一種或幾種元素,共摻雜金屬元素為招元素。
4.如權利要求2所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述稀土材料預制革El棒是用稀土材料無機化合物與共摻雜金屬無機化合物混合，并壓制為密度高于3. 5 g/cm3的柱形，其中稀土材料為鉺、鐿的氯化物，共摻雜材料為三氯化鋁。
5.如權利要求2所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述激光聚焦于所述稀土材料預制IE棒表面，其激光波長為800nnTl300nm,激光束斑直徑小于5mm,激光輸出功率大于100 W，激光對稀土材料預制靶棒進行高溫燒蝕蒸發出預制靶材料。
6.如權利要求5所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于通入所述混合氣體，混合氣體與蒸發出的預制靶材料一起通過襯底管，并化學反應形成摻雜的石英玻璃材料沉積在襯底管內。
7.如權利要求6所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述氧氣與四氯化硅氣體的摩爾比控制在I. 5^2. 5，四氯化鍺氣體與四氯化硅氣體的摩爾比控制在O.005、. 25，氯氣與氧氣的摩爾比控制在O. Γ1. 0，混合氣體中氧原子與氟原子的摩爾比范圍為2(Γ200，石英玻璃材料沉積在襯底管內的厚度為O. 43 mnTl4 mm。
8.如權利要求7所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述光纖芯棒預制件利用1900°(T2500°C高溫將光纖芯棒預制件熔化并熔縮成為實心的光纖預制棒，光纖預制棒芯區直徑為5mnT45. 5mm,稀土離子濃度高于9000ppm, 300mm內軸向濃度差小于10%。
9.如權利要求8所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述稀土材料預制革巴棒安裝在石英玻璃的襯底管內部進氣端并固定，襯底管內徑為15mm,稀土材料預制革巴棒直徑為8mm,稀土材料為氯化鐿、三氯化招混合物,稀土材料預制祀棒長度為100mm,密度為3. 5 g/cm3，將組裝好的襯底管安裝到改進型化學氣相沉積沉積設備上。
10.如權利要求8所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述稀土材料預制革巴棒安裝在石英玻璃的襯底管內部進氣端并固定，襯底管內徑為24mm,稀土材料預制革巴棒直徑為15mm,稀土材料為氯化鉺、三氯化招混合物,稀土材料預制祀棒長度為100mm,密度為4 g/cm3，將組裝好的襯底管安裝到等離子化學氣相沉積設備上。
11.如權利要求8所述的摻稀土光纖預制棒的制造方法，其特征在于所述稀土材料預制靶棒先安裝在石英玻璃護管內部，然后將石英玻璃護管安裝于襯底管進氣端并固定，襯底管內徑為51mm,稀土材料預制祀棒直徑為18mm,稀土材料為氯化鐿、氯化鉺、三氯化招混合物，稀土材料預制靶棒長度為100mm，密度為4g/cm3，將組裝好的襯底管安裝到等離子體化學氣相沉積設備上。 ·
全文摘要
一種摻稀土光纖預制棒的制造方法，涉及光纖預制棒領域，包括如下步驟S1.將柱形稀土材料預制靶棒安裝在石英玻璃的襯底管內的進氣端，再將所述襯底管安裝在化學氣相沉積設備上；S2.將激光聚焦于所述稀土材料預制靶棒，通入由氧氣、氯氣、四氯化硅氣體、四氯化鍺氣體、以及氟的碳化物組成的混合氣體，進行沉積形成光纖芯棒預制件；S3.將所述光纖芯棒預制件利用高溫熔縮，形成透明的光纖預制棒。該方法增大光纖預制棒芯區直徑，能夠大幅度提高摻稀土光纖預制棒的生產制造效率、稀土離子摻雜均勻性，降低光纖預制棒無效雜質含量，同時降低生產成本，便于規模化生產的推廣。
文檔編號C03B37/018GK102875019SQ20121036366
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月26日 優先權日2012年9月26日
發明者莫琦, 陳偉, 杜城, 李詩愈, 胡福明, 張濤 申請人:武漢烽火銳光科技有限公司