專利名稱：發光裝置、打印頭、和圖像形成設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及發光裝置、打印頭、和圖像形成設備。
背景技術：
在采用電子照相系統的圖像形成設備(例如，打印機、復印機、或傳真機)中，以如下方式執行圖像形成通過光記錄單元使用圖像信息執行照射，從而在帶電感光體上獲得靜電潛像；通過向靜電潛像施加調色劑來執行可視化，以獲得圖像；以及將該圖像轉印到記錄紙張上，并且對其進行定影。采用光掃描方法，其中使用激光器作為光記錄單元，并且其中通過利用激光在主掃描方向上掃描來執行曝光。除了光掃描方法，近年來，根據裝置微型化的需求，還采用使用發光二極管(LED)打印頭(LPH)的發光裝置。在LPH中，沿主掃描方向布置多個用作發光兀件的LED。 在日本未審查專利申請公開第2001-94155號中，描述了一種光學寫入裝置。該光學裝置中，形成了獨立于頭單元板的驅動電路板，其中在頭單元板上安裝了作為驅動目標的LED，并且驅動電路板和頭單元板使用軟電纜彼此電連接。在使用其中布置有發光元件等的LPH的發光裝置中，校正各發光元件的發光量。但是，即使在用來校正光量的數據(校正數據)等根據使用條件等而不同時，也要求發光裝置的構造通用，并且要求發光裝置操作穩定。

發明內容
本發明的目的是提供一種操作穩定且提高了通用程度等的發光裝置。根據本發明的第一方面，提供一種包括多個發光芯片、安裝板、和緩沖放大器的發光裝置。多個發光芯片中的每一個包括多個發光元件和多個傳遞元件。多個傳遞元件通過依次進入導通狀態來將多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標。多個傳遞元件中的每一個對應于多個發光元件中的相應的一個而提供。多個發光芯片安裝在安裝板上。緩沖放大器提供在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號。傳遞信號用來將包括在多個發光芯片的每一個中的多個傳遞元件依次設置為導通狀態。根據本發明的第二方面，在根據第一方面的發光裝置中，多個發光芯片被分成多個發光芯片組。多個發光芯片組中的每一個包括多個發光芯片中的至少一個。針對多個發光芯片組中的每一個提供輸出傳遞信號的緩沖放大器。根據本發明的第三和第四方面中的任一方面，根據第一和第二方面中的相應一方面的發光裝置還包括存儲部件，其設置在安裝板上，并且其中存儲了包括校正值的多組控制數據。校正值設置為與驅動發光裝置的多個驅動單元中的至少每一個相對應，并且用來對多個發光芯片的每一個中的多個發光元件的光量進行校正。根據本發明的第五方面，根據第一至第四方面中的任一方面的發光裝置連接到多芯電纜，該多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰。點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光芯片，以使該發光芯片中的多個發光元件執行點亮。根據本發明的第六方面，在根據第五方面的發光裝置中，電纜為扁形軟電纜。根據本發明的第七方面，提供一種包括發光單元和光學單元的打印頭。發光單元包括多個發光芯片、安裝板、和緩沖放大器。多個發光芯片中的每一個包括多個發光元件和多個傳遞元件。多個傳遞元件通過依次進入導通狀態來將多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標。多個傳遞元件中的每一個對應于多個發光元件中的相應一個而提供。多個發光芯片安裝在安裝板上。緩沖放大器設置在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號。傳遞信號用來將包括在多個發光芯片的每一個中的多個傳遞元件依次設置為導通狀態。光學單元使用從發光單元發出的光來形成圖像。根據本發明的第八方面，提供一種圖像形成設備，其包括圖像載體、充電單元、發光單元、驅動單元、光學單元、顯影單元、和轉印單元。充電單元對圖像載體進行充電。發光單元包括多個發光芯片、安裝板、和緩沖放大器。多個發光芯片中的每一個包括多個發光元 件和多個傳遞元件。多個傳遞元件通過依次進入導通狀態來將多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標。多個傳遞元件中的每一個對應于多個發光元件中的相應一個而提供。多個發光芯片安裝在安裝板上。緩沖放大器設置在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號。傳遞信號用來將包括在多個發光芯片的每一個中的多個傳遞元件依次設置為導通狀態。驅動單元將傳遞信號發送到發光單元的緩沖放大器，并且將每一個點亮信號發送到多個發光芯片中的相應一個。點亮信號用來控制由包括在發光芯片中的并且處于導通狀態的多個傳遞元件所指定的多個發光元件的點亮或不點亮。光學單元使用從發光單元發出的光來形成圖像。顯影單元對通過使用發光單元對圖像載體進行曝光而形成在圖像載體上的靜電潛像進行顯影。轉印單元將已顯影在圖像載體上的靜電潛像轉印到轉印接收體上。根據本發明的第九方面，在根據第八方面的圖像形成設備中，驅動單元包括多個驅動單元，發光單元還包括存儲部件，其設置在安裝板上，并且其中存儲了包括校正值的多組控制數據。校正值設置為與驅動發光單元的多個驅動單元中的至少每一個相對應，并且用來對多個發光芯片的每一個中的多個發光元件的光量進行校正。多個驅動單元中的每一個從存儲在存儲部件中的多組控制數據中讀取設置為與驅動單元相對應的校正值，并且根據校正值來發送點亮信號。根據本發明的第十方面，在根據第八方面的圖像形成設備中，發光單元和驅動單元連接到多芯電纜，多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰。點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光芯片。根據本發明的第十一方面，在根據第九方面的圖像形成設備中，發光單元和多個驅動單元中的每一個連接到多芯電纜，多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰。點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光芯片。根據第一方面，與不包括緩沖放大器的情況相比較，發光裝置可以操作更穩定，并且可以提高通用程度。根據第二方面，與不使用本發明構造的情況相比較，發光裝置可以操作更穩定。根據第三和第四方面中的任一方面，與不使用本發明構造的情況相比較，可以更大地提高發光裝置中的通用程度。
根據第五方面，與不使用本發明構造的情況相比較，發光裝置可以操作更穩定。此夕卜，可以減小噪聲發射。根據第六方面，與不使用本發明構造的情況相比較，可以使用便宜的電纜來用于發光裝置。根據第七方面，與不使用本發明構造的情況相比較，打印頭可以操作更穩定，并且可以提高通用程度。根據第八方面，與不使用本發明構造的情況相比較，可以以較低成本來構造圖像形成設備。根據第九方面，與不使用本發明構造的情況相比較，可以提供更大地提高發光單元中的通用程度的圖像形成設備。根據第十和第十一方面中的任一方面，與不使用本發明構造的情況相比較，可以更穩定地執行圖像形成。


以下將基于附圖來詳細描述本發明的示例實施例，附圖中圖I是示出根據第一示例實施例的圖像形成設備的整體構造示例的示圖；圖2是示出打印頭構造的打印頭的截面視圖；圖3A和圖3B是示出控制器和發光裝置的構造及其連接關系的示圖，以及示出第一示例實施例中的發光芯片的構造的示圖；圖4是示出根據第一示例實施例的發光裝置的發光芯片安裝板上的布線圖案(線路)構造的示圖；圖5A和圖5B是示出連接器的PIN排列示例的示圖；圖6A和圖6B是示出連接器的PIN排列的另一個示例的示圖；圖7是示出光量校正數據存儲器的構造示例的示圖；圖8是示出安裝了自掃描發光裝置(SLED)的每一個發光芯片的電路構造的等效電路圖；圖9A和圖9B是示出由緩沖器電路驅動晶閘管的情況下的操作的示圖；圖10是用于說明發光裝置和發光芯片的操作的時序圖；圖11是示出不使用本示例實施例的情況下控制器和發光裝置的構造及其連接關系的不圖；圖12是示出不使用本示例實施例的情況下發光裝置的發光芯片安裝板上的布線圖案(線路)構造的示圖；圖13A和圖13B是示出不使用本示例實施例的情況下連接器的PIN排列示例的示圖；圖14A至圖14E是示出本示例實施例中提供在傳遞信號提供電路的緩沖電路的輸出端上的高頻截止濾波器的構造的示圖；以及圖15是示出第二示例實施例中控制器和發光裝置的構造及其連接關系的示圖。
具體實施例方式
下文中，將參照附圖來詳細描述本發明的示例實施例。第一示例實施例(圖像形成設備I)、
圖I是示出根據第一實施例的圖像形成設備I的整體構造示例的示圖。圖I所示圖像形成設備I是所謂的級聯式圖像形成設備。圖像形成設備I包括圖像形成處理部分
10、控制器30和圖像處理器40。圖像形成處理部分10根據每種顏色的圖像數據項執行圖像形成。控制器30對圖像形成處理部分10進行控制。圖像處理器40連接到例如個人計算機(PC) 2和圖像讀取裝置3，并且對從PC 2或圖像讀取裝置3接收到的圖像數據項執行預定的圖像處理。圖像形成處理部分10包括圖像形成單元11，其包括以預定間隔并列布置的多個引擎。圖像形成單元11包括四個圖像形成單元11Y、11M、11C和11K。每個圖像形成單元11Y、IlMUlC和IlK包括感光鼓12、充電器13、打印頭14、和顯影裝置15。感光鼓12用作圖像載體的示例，其上形成靜電潛像并且保持調色劑圖像。充電器13用作充電部分的示例，其使用預定電位對感光鼓12的表面進行充電。打印頭14使已通過充電器13充電的感光鼓12曝光。顯影裝置15用作顯影部分的示例，其對使用打印頭14獲得的靜電潛像進行顯影。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK分別形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C)和黑色(K)的調色劑圖像。此外，為了使用多個轉印器將形成在各圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK的感光鼓12上的各顏色的調色劑圖像轉印到用作轉印接收體的示例的記錄紙張25上，圖像形成處理部分10包括紙張傳送帶21、驅動輥22、轉印輥23和定影裝置24。紙張傳送帶21對記錄紙張25進行輸送。驅動輥22是驅動紙張傳送帶21的輥。轉印輥23用作轉印部分的示例，其將形成在感光鼓12上的調色劑圖像轉印到記錄紙張25上。定影裝置24將調色劑圖像定影到記錄紙張25上。在圖像形成設備I中，圖像形成處理部分10根據從控制器30提供的各種控制信號來執行圖像形成操作。已經從PC 2或圖像讀取裝置3接收到的圖像數據項由圖像處理器40進行圖像處理，并且由控制器30提供給圖像形成單元11。然后，例如，在黑色(K)圖像形成單元IlK中，由充電器13對感光鼓12進行充電，以使其具有預定電位，同時感光鼓12在箭頭A所指示的方向上旋轉。由基于已被圖像處理器40處理了的圖像數據項而發光的打印頭14對感光鼓12進行曝光。從而，在感光鼓12上，形成與黑色⑷圖像相關聯的靜電潛像。然后，通過顯影裝置15對已形成在感光鼓12上的靜電潛像進行顯影，從而在感光鼓12上形成黑色⑷調色劑圖像。同樣，在圖像形成單元IlYUlM和IlC中的每一個中，形成黃色(Y)、品紅色(M)、和青色(C)各顏色中相應一個顏色的調色劑圖像。記錄紙張25根據在箭頭B所指示的方向上移動的紙張傳送帶21的移動進行提供。已在圖像形成單元11中形成在感光鼓12上的各顏色的調色劑圖像使用施加至轉印輥23的轉印電場依次靜電轉印到記錄紙張25上，從而在記錄紙張25上形成各顏色的調色劑圖像彼此疊加的組合調色劑圖像。之后，將其上已經靜電轉印了組合調色劑圖像的記錄紙張25輸送到定影裝置24。對已經輸送到定影裝置24的記錄紙張25上的組合調色劑圖像進行定影處理，以通過加熱以及通過施加壓力使其定影，從而將組合調色劑圖像定影到記錄紙張25上，并且將其從圖像形成設備I中排出。(打印頭14)圖2是示出打印頭14的構造的打印頭14的截面視圖。打印頭14包括外殼61、發光裝置65、和棒形透鏡陣列64。發光裝置65用作發光部分的一個示例，其包括光源單元63,光源單兀63包括對感光鼓12進行曝光的多個發光兀件。棒形透鏡陣列64用作光學部分的一個不例，其使用從光源單兀63輸出的光來在感光鼓12的表面上形成圖像。發光裝置65被構造為將上述光源單元63等安裝在發光芯片安裝板62上。發光 裝置65的詳細構造將在后文描述。外殼61例如由金屬材料形成,并且對發光芯片安裝板62和棒形透鏡陣列64進行支撐。外殼61被設置為使得光源單元63的發光元件的發光點位于棒形透鏡陣列64的焦平面上。此外，棒形透鏡陣列64沿感光鼓12的軸向方向(其為主掃描方向，并且為以下描述的圖3A和圖4中所示的X方向)布置。(控制器30和發光裝置65)圖3A和圖3B是示出本示例實施例中的控制器30和發光裝置65的構造及其連接關系的示圖，以及示出發光芯片C的構造的示圖。圖3A示出了控制器30和發光裝置65的構造及其連接關系。圖3B示出了發光芯片C的構造。首先，將描述圖3A中示出的控制器30和發光裝置65的構造及其連接關系。如圖3A中所示，控制器30構造為將主控制電路32和發光裝置驅動電路33安裝在控制板31上，并且發光裝置驅動電路33用作驅動單元的一個示例，其對發光裝置65進行驅動。主控制電路32對除發光裝置65之外的充電器13、顯影裝置15、轉印輥23、定影裝置24等進行控制。換言之，主控制電路32執行圖像形成設備I所執行的控制中不由發光裝置驅動電路33執行的控制。相反，發光裝置驅動電路33向/從發光裝置65發送/接收信號，用于對發光裝置65的光源單元63的發光元件的點亮或不點亮進行控制(點亮控制)，從而控制發光裝置65。發光裝置驅動電路33包括連接至電纜35的連接器(連接部件)34。電纜35用來將發光裝置驅動電路33連接到發光裝置65，并且例如由多芯扁形軟電纜(FFC)構成。注意，盡管已經描述了控制器30安裝在控制板31上，但是控制板31可以包括多個板。如圖3A中所示，發光裝置65被構造為將光源單元63沿X方向(其為主掃描方向)布置在發光芯片安裝板62 (其用作安裝板的一個示例)上。光源單元63被構造為將20個發光芯片Cl至C20排列成兩行的交錯圖案，每個發光芯片包括多個發光元件。在本說明書中，術語“至”指彼此編號不同的多個組件，并且指示在術語“至”之前和之后描述的具有特定編號的組件以及具有所述特定編號之間的編號的組件被包括在內。例如，發光芯片Cl至C20包括從發光芯片Cl開始到發光芯片C20結束的依次編號的各發光芯片。發光芯片Cl至C20的構造可以相同。因此，當不對發光芯片Cl至C20彼此進行區分時，將發光芯片Cl至C20稱為“發光芯片C”。以下將描述發光芯片Cl至C20的排列細節。注意，盡管本示例實施例中使用總數20作為發光芯片C的數量，但是發光芯片C的數量不限于此。發光裝置65包括傳遞信號提供電路66，其提供用于進行指定以使各發光芯片C的發光元件依次執行點亮的信號(傳遞信號)。此外，發光裝置65包括光量校正數據存儲器67，其用作存儲部件的一個示例，用來存儲控制數據項，所述控制數據項包括用于校正發光芯片C的發光元件的光量的數據項(校正數據項)，并且光量校正數據存儲器67由諸如電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)之類的非易失性存儲器構成。發光裝置65包括連接器68，其用作連接部件的一個示例，用于向/從控制器30的發光裝置驅動電路33發送/接收 信號。如圖2中所示，發光裝置65沿感光鼓12的軸向方向(X方向)設置。因此，發光芯片安裝板62是在X方向上較長而在Y方向上具有較小寬度的部件。因此，傳遞信號提供電路66、光量校正數據存儲器67、和連接器68分別設置在發光芯片安裝板62較長方向上的端部。注意，盡管圖3A中示出了傳遞信號提供電路66、光量校正數據存儲器67、和連接器68布置在發光芯片安裝板62的設置發光芯片C的一側(正面側)上，但是傳遞信號提供電路66、光量校正數據存儲器67、和連接器68中的一些或全部可以設置在發光芯片安裝板62的與設置發光芯片C的一側相反的一側(背面側)上。接下來，將描述圖3B中所示的發光芯片C的構造。每個發光芯片C包括一個發光部分102,其包括多個發光兀件(發光晶閘管LI、L2、L3、…，其用作本示例實施例中的發光元件的示例)，這些發光元件在矩形板80的表面上沿板80的一條長邊排列成一行。此外，發光芯片C包括作為多個焊盤的端子(Φ1端子、Φ 2端子、Vga端子、和Φ I端子)，用于接收各種控制信號等，并且所述端子設置在板80的表面的沿板80的長邊方向的端部。注意，關于所述端子，Φ I端子和Vga端子以此順序從板80的一端開始設置，Φ I端子和Φ 2端子以此順序從板80的另一端開始設置。發光部分102設置在Vga端子和Φ2端子之間。此外，在板80的后表面上設置后表面電極作為Vsub端子。注意，當不對發光晶閘管LI、L2、L3、…彼此進行區分時，將發光晶閘管LI、L2、L3、…稱為“發光晶閘管L”。注意，術語“成一行”不僅可以指多個發光元件排列成一條直線的狀態(如圖3B中所示)，還可以指各發光元件沿垂直于所述行方向的方向布置為彼此具有不同位移量的狀態。例如，當將發光元件的發光區看作像素時，每個發光元件可以布置為沿垂直于所述行方向的方向具有對應于幾個像素或幾十個像素的位移量。此外，發光元件可以布置成使得彼此相鄰的發光元件以交替的方式放置的鋸齒形圖案，或者可以布置成以多個發光元件為單位的鋸齒形圖案。圖4是示出根據第一示例實施例的發光裝置65的發光芯片安裝板62上的布線圖案(線路)構造的示圖。注意，在圖4中，與布線圖案一起示出了發光裝置驅動電路33、連接器34、和電纜35的一部分。如上所述，在發光裝置65的發光芯片安裝板62上，安裝了發光芯片Cl至C20、傳遞信號提供電路66、光量校正數據存儲器67、和連接器68，并且設置了使發光芯片Cl至C20、傳遞信號提供電路66、光量校正數據存儲器67、和連接器68彼此連接的布線圖案(線路)。首先將描述連接器68。這里，為了描述的方便，連接器68被示出在發光芯片安裝板62的頂部上，其不同于圖3A。在圖4中所示的連接器68中，向/從圖3A中所示的發光芯片驅動電路33發送/接收的信號由其各自的名稱表示。連接器68通過電纜35連接到連接器34，連接器34設置在發光裝置驅動電路33中，并且具有與連接器68的構造相同的構造。 注意，以下將描述連接器68的端子(PIN)的排列(與連接器34的相同)。將發送到傳遞信號提供電路66的第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2、以及分別發送到各發光芯片Cl至C20的點亮信號ΦΙ1至Φ 120設置為從發光裝置驅動電路33發送到發光裝置65的信號。注意，當不對第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2彼此進行區分時，將第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2稱為“傳遞信號”，并且當不對點亮信號ΦΙ1至Φ 120彼此進行區分時，將點亮信號ΦΙ1至Φ 120稱為“點亮信號ΦΙ”。此外，將用來在發光裝置65的光量校正數據存儲器67與發光裝置驅動電路33之間發送和接收光量校正數據項的一系列信號(SCK信號、SDA信號、和WC信號)設置為在發光裝置驅動電路33與發光裝置65之間發送/接收的信號。以下將描述這些信號。除了上述信號之外，還從發光裝置驅動電路33向發光裝置65提供電位Vga和基準電位Vsub。注意，電位Vga和基準電位Vsub被看作信號。注意，圖4中所示的發光裝置驅動電路33和電纜35中提取并示出了與第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ2相關聯的部分。接下來，將描述發光芯片Cl至C20的布置。奇數編號的發光芯片C1、C3、C5、…沿各發光芯片Cl、C3、C5、…的板80的長邊方向以一定間隔排列成一行。類似地，偶數編號的發光芯片C2、C4、C6、…也沿各發光芯片C2、C4、C6、…的板80的長邊方向以一定間隔排列成一行。發光芯片C1、C3、C5、…和發光芯片C2、C4、C6、…以這樣的狀態布置成交錯圖案，其中每個發光芯片C關于與該發光芯片相鄰的發光芯片C旋轉180度，從而設置在發光芯片C中的發光部分102上的長邊側彼此相對。各發光芯片C的位置被設置為使得彼此相鄰的發光芯片C的發光元件也沿主掃描方向以預定間隔排列。注意，圖3B中所示的發光部分102的發光元件的排列方向(本示例實施例中按發光晶閘管L1、L2、L3、…的編號順序)由圖4中所不的發光芯片C1、C2、C3、…的相應一個中的每個箭頭表示。20個發光芯片Cl至C20被分成多個組(發光芯片組#1至#4)，每個組由5個發光芯片C構成。換言之，發光芯片Cl至C5構成發光芯片組#1，發光芯片C6至ClO構成發光芯片組#2。類似地，其他發光芯片組#3和#4也由相應的發光芯片C構成。圖4示出了發光芯片組#1 (發光芯片Cl至C5)和發光芯片組#2 (發光芯片C6至C9)的部分。以下將描述傳遞信號提供電路66的構造。
傳遞信號提供電路66包括緩沖電路Bufla至Buf8a，其用作8個緩沖放大器的示例。緩沖電路Bufla至Buf8a被構造為由例如互補金屬氧化物半導體(CMOS)形成的一個集成電路(1C)。另外,每個緩沖電路Bufla至Buf8a可以包括使能端子(OE)。本示例實施例中，假設總是向使能端子(OE)提供使能信號。接下來，將描述使用連接器68發送和接收的信號，以及將連接器68、發光芯片Cl至C20、和傳遞信號提供電路66彼此連接的布線圖案(線路)。電位線200a設置在發光芯片安裝板62上，并且從連接器68的Vsub端子(PIN)連接到發光芯片C的設置在板80的后表面上的后表面電極(Vsub端子)。用作電位基準的基準電位Vsub提供給電位線200a。電位線200b設置在發光芯片安裝板62上，并且從連接器68的Vga端子(PIN)連接到設置在各發光芯片C中的Vga端子。用于驅動發光芯片 C的電位Vga提供給電位線200b。第一傳遞信號線201設置在發光芯片安裝板62上。第一傳遞信號線201作為公共信號線從連接器68的Φ I端子(PIN)連接到傳遞信號提供電路66的各奇數編號緩沖電路Buf la、Buf3a、Buf5a、Buf7a的輸入端子。第一傳遞信號Φ I通過第一傳遞信號線201發送到傳遞信號提供電路66。此外，第二傳遞信號線202設置在發光芯片安裝板62上。第二傳遞信號線202作為公共信號線從連接器68的Φ2端子(PIN)連接到傳遞信號提供電路66的各偶數編號緩沖電路Buf 2a、Buf4a、Buf6a、和Buf8a的輸入端子。第二傳遞信號Φ 2通過第二傳遞信號線202發送到傳遞信號提供電路66。另外，第一傳遞信號線201-1設置在發光芯片安裝板62上。第一傳遞信號線201-1從緩沖電路Bufla的輸出端子連接到屬于發光芯片組#1的每個發光芯片Cl至C5的Φ1端子。緩沖電路Bufla輸出第一傳遞信號Φ 1-1，第一傳遞信號Φ 1-1通過第一傳遞信號線201-1發送到屬于發光芯片組#1的每個發光芯片Cl至C5的Φ1端子。此外，設置第二傳遞信號線202-1。第二傳遞信號線202-1從緩沖電路Buf2a的輸出端子連接到屬于發光芯片組#1的每個發光芯片Cl至C5的Φ2端子。緩沖電路Buf2a輸出第二傳遞信號Φ2-1，并且第二傳遞信號Φ2-1通過第二傳遞信號線202-1發送到屬于發光芯片組#1的每個發光芯片Cl至C5的Φ2端子。類似地，設置第一傳遞信號線201-2。第一傳遞信號線201-2從緩沖電路Buf3a的輸出端子連接到屬于發光芯片組#2的每個發光芯片C6至ClO的Φ I端子。緩沖電路Buf3a輸出第一傳遞信號Φ1-2，并且第一傳遞信號Φ1-2通過第一傳遞信號線201-2發送到屬于發光芯片組#2的每個發光芯片C6至ClO的Φ1端子。此外，設置第二傳遞信號線202-2。第二傳遞信號線202-2從緩沖電路Buf4a的輸出端子連接到屬于發光芯片組#2的每個發光芯片C6至ClO的Φ2端子。緩沖電路Buf4a輸出第二傳遞信號Φ2-2，并且第二傳遞信號Φ 2-2通過第二傳遞信號線202-2發送到屬于發光芯片組#2的每個發光芯片C6至ClO的Φ2端子。緩沖電路Buf 5a和Buf 6a與發光芯片組#3之間的關系以及緩沖電路Buf 7a和BufSa與發光芯片組#4之間的關系也類似于上述關系。此外，設置點亮信號線204-1至204-20。每條點亮信號線204_1至204-20從連接器68連接到發光芯片Cl至C20中的相應一個的ΦΙ端子。每個點亮信號ΦΙ1至ΦΙ20通過點亮信號線204-1至204-20中的相應一條發送。如上所述，在本示例實施例中，第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ1_4中的每一個經由奇數編號緩沖電路Buf la、Buf3a、Buf5a和Buf7a中的相應一個發送到屬于發光芯片組#1至#4中的相應一組中的各發光芯片C。第二傳遞信號Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3和Φ2-4中的每一個經由偶數編號緩沖電路Buf2a、Buf4a、Buf6a和Buf8a中的相應一個發送到屬于發光芯片組#1至#4中的相應一組 中的各發光芯片C。第一傳遞信號Φ I從設置在發光裝置驅動電路33中的緩沖電路Bufl發送到奇數編號緩沖電路Buf la、Buf3a、Buf5a和Buf7a的輸入端子。第二傳遞信號Φ 2從設置在發光裝置驅動電路33中的緩沖電路Buf2發送到偶數編號緩沖電路Buf2a、Buf4a、Buf6a和Buf8a的輸入端子。注意，當不對第一傳遞信號φ I、φ 1-1、φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2、Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2-4彼此進行區分時，將第一傳遞信號ΦΙ、Φ 1-1, Φ 1-2,Φ1-3和Φ1-4以及第二傳遞信號Φ2、Φ2-1、Φ2-2、Φ 2-3和Φ 2_4稱為“傳遞信號”。緩沖電路Bufla至Buf8a發送具有與輸入信號的波形相同波形的輸出信號。換言之，緩沖電路Bufla至BufSa是使用表示邏輯電平(以下描述為“H”和“L”)的電位進行操作的電路。緩沖電路Bufla至BufSa對輸入信號的波形進行整形并輸出這些信號。即使當其輸入端處的電位變化時，緩沖電路Buf Ia至Buf8a也可以調節電位，從而使電位為表示邏輯電平的電位。此外，緩沖電路Bufla至BufSa可以分別從其各自的輸出端子提供電流。因此，第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4的波形中的每一個與第一傳遞信號Φ1的波形相同。類似地，第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ2-4的波形中的每一個與第二傳遞信號Φ2的波形相同。換言之，具有與第一傳遞信號Φ I的波形相同波形的信號、以及具有與第二傳遞信號Φ2的波形相同波形的信號作為公共信號發送至所有發光芯片C。因此，認為第一傳遞信號Φ1和第二傳遞信號Φ2中的每一個可以經由公共布線圖案(總線)來提供，而無需提供緩沖電路Bufla至Buf8a。但是，提供緩沖電路Buf Ia至Buf8a的原因是緩沖電路可以提供電流限制。例如，由CMOS形成的緩沖電路可以提供的電流限制為30mA。因此，在本示例實施例中，將20個發光芯片C分成4組，為每組提供兩個緩沖電路(例如，為發光芯片組#1提供緩沖電路Bufla和Buf2a)。因此，基準電位Vsub和電位Vga作為公共信號提供給發光芯片安裝板62上的所有發光芯片Cl至C20。具有與第一傳遞信號Φ I的波形相同波形的信號(第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4)、以及具有與第二傳遞信號Φ 2的波形相同波形的信號(第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ2-4)作為公共信號發送到發光芯片Cl至C20 (并行)。相反，點亮信號Φ Il至Φ 120分別發送到各發光芯片Cl至C20。(連接器34、電纜35、和連接器68)接下來，將描述設置在發光裝置驅動電路33中的連接器34和設置在發光芯片安裝板62上的連接器68的端子(PIN)的排列(PIN排列)。注意，連接在連接器34和68之間的電纜35中所包括的布線圖案的排列與連接器34和68的端子的排列相同。下文中，將所述端子的排列描述為連接器68的PIN排列。
圖5A和圖5B是示出連接器68的PIN排列示例的示圖。圖5A是連接器68的PIN排列的示圖。圖5B是示出分配給點亮信號ΦΙ的PIN的PIN排列的放大示圖。注意，在圖5B中，除了連接器68之外，還示出了發光裝置驅動電路33、連接器34、和發光芯片安裝板62。如上所述，電纜35是FFC。在FFC中，以預定間距并列布置多個布線圖案。因此，連接器68和34中的每一個的PIN也排列成一行。注意，盡管認為在FFC上提供屏蔽層是為了減小噪聲，但是還可以以更低的成本來提供本示例實施例中的構造。如圖5A中所示，連接器68包括例如40個端子(PIN)。這40個端子(PIN)被分成4組。換言之，這4組端子如下PIN #1至#3的組Ia，用來發送和接收作為校正值示例的光量校正數據項，所述校正值用來校正光量；PIN #4和#5的組Ila，用來發送第一傳遞信號ΦΙ ；PIN #6至#36的組Illa，用來發送點亮信號ΦΙ1至Φ 120 ;以及PIN#37至#40的組IVa，用來發送第二傳遞信號Φ2。用來提供電位Vga和基準電位Vsub的端子(PIN)也 包括在內。注意，關于圖5A中所示的組Illa，盡管按升序排列分配給點亮信號ΦΙ1至ΦΙ20的PIN，但是也可以改變分配給點亮信號ΦΙ1至Φ 120的PIN的順序，從而可以容易地在發光芯片安裝板62上設置點亮信號線204-1至204-20。圖5B示出了與用來發送點亮信號Φ 115至Φ 118的PIN #27至#33相關聯的發光裝置驅動電路33、連接器34、電纜35、連接器68和發光芯片安裝板62的部分。如圖5B中所示，關于用來發送點亮信號ΦΙ1至ΦΙ20的組Illa，在分配給點亮信號Φ I的PIN位于分配給基準電位Vsub的PIN之間的狀態下發送兩個點亮信號Φ I (例如，點亮信號ΦΙ15和Φ 116、以及點亮信號ΦΙ17和ΦΙ18)。如下所述,在本示例實施例中，點亮信號Φ I具有負電位。如圖5B中所示的箭頭所指示，電流從基準電位Vsub流向點亮信號ΦΙ的負電位。換言之，發光裝置驅動電路33拉電流，從而發光晶閘管L執行點亮。因此，流過發光晶閘管L的電流經由連接器34、電纜35和連接器68并按該順序從發光裝置驅動電路33的部分以及從提供基準電位Vsub的部分提供到發光芯片C的發光晶閘管L。電流經由連接器68、電纜35和連接器34并按該順序從發光晶閘管L流向發光裝置驅動電路33的部分以及提供點亮信號Φ I的部分。在本示例實施例中，分配給基準電位Vsub的PIN設置在連接器34、電纜35和連接器68中，以與分配給點亮信號ΦΙ的PIN相鄰。因此，電流回路CL較小，從而減小了發送點亮信號ΦΙ的布線圖案的電感。因此，可以減少噪聲的發生。此外，對于所有的點亮信號Φ I，分配給點亮信號Φ I的PIN與分配給基準電位Vsub的PIN之間的位置關系在PIN排列上相同。因此，各點亮信號ΦΙ的特性阻抗幾乎相同。因此，對于所有的點亮信號ΦΙ，減少了所產生噪聲量之間的差異的發生。此外，在本示例實施例中，第一傳遞信號Φ I使用屬于組IIa的PIN發送，第二傳遞信號Φ 2使用屬于組IVa的PIN發送。第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2中的每一個作為單個信號發送。注意，關于用來發送光量校正數據項的組Ia，示出了例如I2C總線。I2C總線是用于使用兩條信號線(不包括GND)執行同步串行通信的總線，這兩條信號線為稱為SCL(串行時鐘)的信號線和稱為SDA(串行數據)的用于雙向通信的信號線。注意，被稱為寫入控制(WC)的信號是用于控制光量校正數據項寫入諸如EEPROM之類的光量校正數據存儲器67的信號。此外，可以使用串行外圍接口(SPI)總線等。SPI總線是用于使用四條信號線(不包括GND)執行同步串行通信的總線，這四條信號線為稱為SCK(串行時鐘)的信號線以及稱為SDI、SDO和CS的用于單向通信的信號線。圖6A和圖6B是示出連接器68的另一個PIN排列示例的示圖。圖6A是連接器68的PIN排列的示圖。圖6B是示出分配給點亮信號ΦΙ的PIN的PIN排列的放大示圖。注意，在圖6B中，還示出了發光裝置驅動電路33、連接器34、和發光芯片安裝板62。圖6A和圖6B中示出的PIN排列與圖5A和圖5B中示出的PIN排列之間的差異在于用來發送點亮信號ΦΙ1至Φ 120的PIN #6至#49的組IIIa的排列。下文中，將描述圖6A和圖6B與圖 5A和圖5B之間的差異，并且省略對圖6A和圖6B與圖5A和圖5B 二者相同部分的描述。如圖6A中所示，連接器68包括例如50個端子(PIN)。圖6B示出了與用來發送點亮信號Φ Ill至Φ 113的PIN #26至#32相關聯的發光裝置驅動電路33、連接器34、電纜35、連接器68、和發光芯片安裝板62的部分。如圖6B中所示，關于用來發送點亮信號ΦΙ1至ΦΙ20的組Illa，在分配給點亮信號ΦΙ的PIN位于分配給基準電位Vsub的PIN之間的狀態下發送一個點亮信號ΦΙ(例如,在圖6B中為點亮信號ΦΙ11至ΦΙ13中的每一個)。同樣，在圖6A和圖6B中所示的PIN排列中，如在圖5A和圖5B中所示的PIN排列的情況下那樣，電流回路CL較小，從而減小了發送點亮信號ΦΙ的布線圖案的電感。因此，可以減少噪聲的發生。此外，對于所有的點亮信號ΦΙ，分配給點亮信號ΦΙ的PIN與分配給基準電位Vsub的PIN之間的位置關系在PIN排列上相同。因此，各點亮信號ΦΙ的特性阻抗幾乎相同。因此，對于所有的點亮信號Φ I，減少了所產生噪聲量之間的差異的發生。注意，關于圖6A中所示的組Illa，盡管分配給點亮信號ΦΙ1至Φ 120的PIN按升序排列，但是分配給點亮信號ΦΙ1至Φ 120的PIN的順序可以改變，從而可以容易地在發光芯片安裝板62上設置點亮信號線204-1至204-20。(光量校正數據存儲器67)接下來，將描述光量校正數據存儲器67。圖7是示出光量校正數據存儲器67的構造示例的示圖。如上所述，光量校正數據存儲器67由諸如EEPROM之類的非易失性存儲器構成。在本示例實施例中，如圖7中所示，將光量校正數據存儲器67的存儲區域(存儲區)分成具有不同地址的至少兩個區(區A和區B)。根據預先確定的發光裝置65使用的條件I和條件2設置的光量校正數據項分別存儲在區A(地址0000H到地址X)和區B (地址X到地址Y)中。換言之，在使用條件I的情況下使用發光裝置65時，將起始地址設置為地址0000H，并讀取存儲在區A中的光量校正數據項。相反，在使用條件2的情況下使用發光裝置65時，將起始地址設置為地址X，并讀取存儲在區B中的光量校正數據項。例如，假設使用條件I是用于單色打印的條件，使用條件2是用于彩色打印的條件。在單色打印的情況下，由光量之間的差異引起的圖像質量的劣化不明顯。因此，可以通過減少存儲在區A中的光量校正數據項的位數來減少校正光量所花費的處理時間。相反，在彩色打印的情況下，由光量之間的差異引起的圖像質量的劣化很容易發生。因此，可以通過增大存儲在區B中的光量校正數據項的位數來提高光量校正的精度。注意，盡管本示例實施例中將光量校正數據存儲器67的存儲區分成兩個區(區A和區B)，但是該存儲區也可以被分成三個或更多區。各區的大小不必相同，只要每個區的大小等于或大于發光裝置65的使用條件所必需的大小即可。如下文中所述，在本示例實施例中，對于每個發光晶閘管L，通過控制使發光晶閘管L執行點亮的時間段(點亮時間段)來執行光量校正。注意，可以通過控制流過發光晶閘管L的電流來執行光量校正，以代替控制點亮時間段的方法。此外，關于光量校正數據項，可以對彼此相鄰的多個發光晶閘管L(例如，為發光晶閘管LI和L2的兩個發光晶閘管)使用公共值。由于彼此相鄰的發光晶閘管L的發光強度之間的差異很小，例如，可以使用公共光量校正數據項作為各光量校正數據項的平均值。 因此，減小了光量校正數據存儲器67中光量校正數據項所占用的存儲區部分的大小，從而可以減少校正光量所花費的處理時間。例如，當使用20個均包括256個發光晶閘管L的發光芯片C時，假設光量校正數據項為8位數據項(256個電平)。當彼此相鄰的兩個發光晶閘管L共享一個光量校正數據項時，光量校正數據項的大小為2560 (AOOH)字節。至少2560(A00H)字節或更大為區A所必需的大小。相反，在為每個發光晶閘管L準備一個光量校正數據項的情況下，光量校正數據項的大小則為5120 (1400H)字節。該情況下，至少5120(1400H)字節或更大為區A所必需的大小。區B的起始地址被設置為1400H或大于等于1400H的值。在以上給出的描述中，光量校正數據存儲器67存儲光量校正數據項。但是，光量校正數據項僅為示例。光量校正數據存儲器67還可以存儲包括光量校正數據項(校正值)的控制數據項，它們被設置為與驅動發光裝置65的多個驅動單元相對應。(發光芯片C)圖8是示出安裝了自掃描發光裝置(SLED)的發光芯片C的電路構造的等效電路圖。以下將要描述的各元件按照發光芯片C的除了設置各端子(Φ I端子、Φ2端子、Vga端子、和ΦΙ端子)的位置之外的布局布置。注意，為了描述的方便，各端子(Φ1端子、Φ2端子、Vga端子、和ΦΙ端子)的位置示出在圖8的左端，盡管它們的位置不同于圖3B中所示的它們的位置。設置在板80的后表面上的后表面電極(Vsub端子)被示出為引出到板80的外部。這里，為了根據與連接器68的關系而描述發光芯片C，描述發光芯片Cl作為示例。因此，在圖8中，發光芯片C被表示為“發光芯片Cl (C) ”。注意，其他發光芯片C2至C20中的每一個的構造都與發光芯片Cl的構造相同。在圖8中，提取并示出了與發光芯片Cl相關聯的傳遞信號提供電路66和連接器68的部分。發光芯片Cl (C)包括發光晶閘管行(發光部分102 (參見圖3B))，其用作發光元件行的不例，由發光晶閘管LI、L2、L3、…構成,發光晶閘管LI、L2、L3、…在板80上布置成一行，如上所述。
發光芯片Cl(C)包括傳遞晶閘管行，其用作傳遞元件行的示例，由用作傳遞元件示例的傳遞晶閘管T1、T2、T3、…構成，在發光晶閘管布置成一行的情況下，傳遞晶閘管Tl、Τ2、Τ3、…也布置成一行。此外，發光芯片Cl(C)包括設置在每對傳遞晶閘管之間的耦合二極管Dxl、Dx2、Dx3、…，每對傳遞晶閘管通過按編號順序依次配對傳遞晶閘管Tl、T2、T3、…中的兩個傳遞晶閘管而獲得。另外，發光芯片Cl(C)包括 電阻器Rgxl、Rgx2、Rgx3、…。此外，發光芯片Cl (C)包括一個起動二極管DxO。發光芯片Cl (C)包括限流電阻器Rl和R2，其設置來防止過大的電流量流過下述第一傳遞信號線72和第二傳遞信號線73。第一傳遞信號Φ I通過第一傳遞信號線72發送，第二傳遞信號Φ 2通過第二傳遞信號線73發送。發光晶閘管行中的發光晶閘管L1、L2、L3、…和傳遞晶閘管行中的傳遞晶閘管Tl、T2、T3、…按編號順序從圖8的左側開始布置。此外，耦合二極管Dxl、Dx2、Dx3、…和電阻器Rgxl、Rgx2、Rgx3、…也按編號順序從圖8的左側開始布置。發光晶閘管行和傳遞晶閘管行按傳遞晶閘管行和發光晶閘管行的順序從圖8的頂部開始布直。這里，當不對傳遞晶閘管Tl、T2、T3、…、耦合二極管Dxl、Dx2、Dx3、…、以及電阻器Rgxl、Rgx2、Rgx3、…彼此進行區分時，分別將傳遞晶閘管Tl、T2、T3、…、耦合二極管Dx I、Dx2、Dx3、…、以及電阻器Rgx I、Rgx2、Rgx3、…稱為“傳遞晶閘管T ”、“耦合二極管Dx ”、和“電阻器Rgx ”。發光晶閘管行中的發光晶閘管L的數量可以為預定數量。在本示例實施例中，當假設發光晶閘管L的數量為256時，則傳遞晶閘管T的數量也為256。類似地，電阻器Rgx的數量也為256。但是，耦合二極管Dx的數量為255，其比傳遞晶閘管T的數量少I。注意，傳遞晶閘管T的數量可以大于發光晶閘管L的數量。接下來，將描述發光芯片Cl (C)中各元件之間的電連接。發光晶閘管L和傳遞晶閘管T中的每一個是具有三個端子(即，柵極端子、陽極端子和陰極端子)的半導體元件。發光晶閘管L和傳遞晶閘管T中的每一個的陽極端子連接到發光芯片Cl (C)的板80(共陽極)。這些陽極端子經由設置在板80的后表面上的后表面電極85 (Vsub端子)連接到電位線200a。基準電位Vsub經由連接器68從發光裝置驅動電路33提供至電位線200a。奇數編號傳遞晶閘管T1、T3、…的陰極端子沿傳遞晶閘管T的排列連接到第一傳遞信號線72。第一傳遞信號線72經由限流電阻器Rl連接到Φ I端子。第一傳遞信號線
201-1連接到Φ I端子，并且連接到傳遞信號提供電路66的緩沖電路Bufla的輸出端子。緩沖電路Bufla的輸入端子經由第一傳遞信號線201連接到連接器68。第一傳遞信號Φ1通過第一傳遞信號線201從發光裝置驅動電路33發送，第一傳遞信號Φ 1-1通過第一傳遞信號線201-1發送。換言之，第一傳遞信號Φ 1-1發送到Φ1端子。相反，偶數編號傳遞晶閘管Τ2、Τ4、…的陰極端子沿傳遞晶閘管T的排列連接到第二傳遞信號線73。第二傳遞信號線73經由限流電阻器R2連接到Φ2端子。第二傳遞信號線202-1連接到Φ 2端子，并且連接到傳遞信號提供電路66的緩沖電路Buf2a的輸出端子。緩沖電路Buf2a的輸入端子經由第二傳遞信號線202連接到連接器68。第二傳遞信號Φ 2通過第二傳遞信號線202從發光裝置驅動電路33發送，第二傳遞信號Φ 2-1通過第二傳遞信號線202-1發送。換言之，第二傳遞信號Φ2-1發送到Φ2端子。發光晶閘管LI、L2、L3、…的陰極端子連接到點亮信號線75。點亮信號線75連接到ΦΙ端子。在發光芯片Cl中，Φ I端子經由限流電阻器Rl連接到點亮信號線204-1，點亮信號Φ Il經由連接器68從發光裝置驅動電路33發送至Φ I端子。點亮信號Φ Il用來向發光芯片Cl的發光晶閘管LI、L2、L3、…提供執行點亮的電流。注意，其他發光芯片C2至C20的Φ I端子經由限流電阻器Rl分別連接至點亮信號線204-2至204-20，點亮信號ΦΙ2至Φ 120發送到ΦΙ端子。傳遞晶閘管T1、T2、T3、…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…以一對一的方式分別連接到具有相同編號元件的發光晶閘管L1、L2、L3、…的柵極端子G11、G12、G13、…。因此，柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…和柵極端子G11、G12、G13、…中的相同編號柵極端子處的電位相同。因此，例如，術語“柵極端子Gtl (柵極端子Gll) ”表示柵極端子Gtl處的電位與柵極 端子Gl I處的電位相同。這里，同樣，當不對柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…和柵極端子G11、G12、G13、…彼此進行區分時，分別將柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…和柵極端子G11、G12、G13、…稱為“柵極端子Gt”和“柵極端子Gl ”。術語“柵極端子Gt (柵極端子Gl) ”表示柵極端子Gt處的電位與柵極端子Gl處的電位相同。耦合二極管Dxl、Dx2、Dx3、…連接在柵極端子Gt對之間，柵極端子Gt對通過按編號順序依次配對各傳遞晶閘管Tl、T2、T3、…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…中的兩個柵極端子而獲得。換言之，各耦合二極管Dxl、Dx2、Dx3、…串聯連接，從而依次夾在柵極端子Gtl、Gt2、Gt3、…之間。關于耦合二極管Dxl的方向，耦合二極管Dxl被連接為朝向電流從柵極端子Gtl流向柵極端子Gt2的方向。其他耦合二極管Dx2、Dx3、Dx4…以相同方式連接。傳遞晶閘管T的柵極端子Gt (柵極端子Gl)經由電阻器Rgx連接到電位線71，電阻器Rgx被設置為與各個傳遞晶閘管T相對應。電位線71連接到Vga端子從而連接到電位線200b。電位Vga經由連接器68從發光裝置驅動電路33提供到電位線200b。設置在傳遞晶閘管行的一端側的傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl連接到起動二極管DxO的陰極端子。相反，起動二極管DxO的陽極端子連接到第二傳遞信號線73。參照圖8，將包括傳遞晶閘管T、耦合二極管Dx、電阻器Rgx、起動二極管DxO、以及限流電阻器Rl和R2的發光芯片Cl (C)的部分稱為“傳遞部分101”。如上所述，包括發光晶閘管L的部分為發光部分102。(發光裝置65的操作)接下來，將描述發光裝置65的操作。如上所述，發光裝置65包括發光芯片Cl至C20(參見圖3A、圖3B和圖4)。如圖4中所示，基準電位Vsub和電位Vga作為公共信號提供給發光芯片安裝板62上的所有發光芯片Cl至C20。如上所述，發送到發光芯片組#1至M中相應一個的第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4中每一個的波形與第一傳遞信號Φ I的波形相同。類似地，發送到發光芯片組#1至#4中相應一個的第二傳遞信號Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3和Φ 2_4中每一個的波形與第二傳遞信號Φ2的波形相同。換言之，具有與第一傳遞信號Φ1的波形相同波形的信號(第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ 1-3和Φ 1-4)和具有與第二傳遞信號Φ2的波形相同波形的信號(第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ2-4)作為公共信號(并行地)發送到發光芯片Cl至C20。相反，點亮信號Φ Il至Φ 120分別發送到各發光芯片Cl至C20。點亮信號Φ Il至Φ 120為用于設置各個發光芯片Cl至C20的發光晶閘管L以使得發光晶閘管L執行點亮或不點亮的信號。因此，點亮信號ΦΙ1至Φ 120的波形根據圖像數據項的不同而彼此不同。如上所述，由于發光芯片Cl至C20被并行驅動，因此僅描述發光芯片Cl的操作即
可。、(晶閘管)在描述發光芯片Cl的操作之前，將描述晶閘管(傳遞晶閘管T和發光晶閘管L中的每一個)的基本操作。晶閘管是具有Pnpn結構的半導體元件，其中在諸如GaAs或GaAlAs之類的復合半導體中重復堆疊P型半導體層和η型半導體層。如上所述，晶閘管具有三個端子，即陽極端子、陰極端子和柵極端子。假設晶閘管中P-η結的正向電位(擴散電位)例如為約I. 5V。下文中，例如，假設提供給發光芯片C的后表面電極85(Vsub端子)的基準電位Vsub為作為高電平電位的OV (下文中，將其稱為“H”)，提供給Vga端子的電位Vga為作為低電平電位的-3. 3V(下文中，將其稱為“L”)。晶閘管的陽極端子處的電位為提供給后表面電極85的基準電位Vsub(“H”(0V))。
在本示例實施例中，發光裝置65使用負電位驅動。注意，傳遞信號提供電路66和發光裝置驅動電路33可以使用正電位驅動，該正電位通過將電位Vga(-3. 3V)變換為GND (OV)并且將基準電位Vsub(OV)變換為Vcc (3. 3V)而確定。圖9A和圖9B是示出通過緩沖電路Bufla至BufSa驅動晶閘管的情況下晶閘管的操作的示圖。圖9A示出了晶閘管的陰極端子(陽極端子與陰極端子之間)的電流-I-電壓-V特性。圖9B示出了晶閘管的陰極端子(陽極端子與陰極端子之間)的電壓V隨時間t的改變。注意，由于陽極端子的電位是基準電位Vsub( “H”(OV))，下文中，描述陰極端子處的電位。關于陰極端子處的電位為基準電位Vsub( “H” (OV))以及陽極端子與陰極端子之間沒有電流流過的處于關斷狀態下的晶閘管(圖9B中所示的時間tl)，當低于閾值電壓(其絕對值較大的負值)的電位施加到陰極端子時，晶閘管進入導通狀態(被導通)(圖9B中所示的時間t2)。這里，晶閘管的閾值電壓為施加到陰極端子的、其絕對值為可以使晶閘管從關斷狀態變換為導通狀態的電壓絕對值中的最小值的電壓。晶閘管的閾值電壓為通過從柵極端子處的電位減去p-n結的正向電位Vd(約I. 5V)獲得的值。因此，當柵極端子處的電位約為OV時，閾值電壓約為-I. 5V。換言之，當低于約-I. 5V的電位(其絕對值在負向上較大的電位)施加至陰極端子時，晶閘管導通。此外，當柵極端子處的電位約為-I. 5V時，閾值電壓約為-3V。
當晶閘管導通時，晶閘管進入其中有電流I在陽極端子和陰極端子之間流動的狀態(導通狀態)。當晶閘管進入導通狀態時，柵極端子處的電位變為接近陽極端子處電位的電位。這里，假設由于陽極端子處的電位被設置為基準電位Vsub( “H”(OV))，則柵極端子處的電位變為約0V。此外，導通狀態的晶閘管的陰極端子處的電位由于受驅動電路的輸出阻抗和導通狀態電流而增大，從而高于晶閘管導通時(圖9B中所示的時間t3)的電位。關于晶閘管，低于通過從晶閘管的陽極端子處的電位(“H”(0V))減去p-n結的正向電位Vd(約I. 5V)而獲得的約-I. 5V(維持電壓)的電位(其絕對值較大的負值)持續施加到晶閘管的陰極端子。當提供可以使晶閘管的導通狀態維持的電流(維持電流)時，導通狀態維持(圖9B中所示的從時間t3到時間t4的時間段)。
關于晶閘管，當其陰極端子處的電位為高于維持導通狀態所必需的維持電壓的電位(其絕對值較小的負值、0V、或正值)時，即，當高于約-I. 5V的電位施加到晶閘管的陰極端子時，晶閘管進入關斷狀態(被關斷)(圖9B中所示的時間t4)。例如，當陰極端子處的電位變為“H”(0V)時，陰極端子處的電位為高于約-I. 5V的電位，并且陰極端子處的電位與陽極端子處的電位變得相同。因此，晶閘管關斷。當發光晶閘管L導通時，發光晶閘管L執行點亮(發光)，當發光晶閘管L關斷時，發光晶閘管L停止發光(執行不點亮)。導通狀態的發光晶閘管L的亮度(光通量(每單位時間的光量))根據發光晶閘管L的發光區域的面積以及在發光晶閘管L的陽極端子和陰極端子之間流動的電流而確定。(時序圖)圖10是用于說明發光裝置65和發光芯片C的操作的時序圖。圖10是示出作為發光芯片Cl的發光晶閘管LI至L5的5個發光晶閘管L的點亮或不點亮控制(其被稱為“點亮控制”)的時序圖。由于其他發光芯片C2至C20與發光芯片Cl并行操作，如上所述，因此僅描述發光芯片Cl的操作即可。注意，參照圖10，假設使發光芯片Cl的發光晶閘管LI、L2、L3和L5執行點亮，并且使發光晶閘管L4停止發光(執行不點亮)。注意，關于光量校正數據項，根據是利用使用條件I還是利用使用條件2來設置開始讀取光量校正數據項的起始地址(區A的地址0000H或區B的地址X)(參見圖7)。在圖10中，假設時間按照字母順序從時間a到時間k流逝。分別在從時間b到時間e的時間段T (I)、從時間e到時間i的時間段T (2)、從時間i到時間j的時間段T (3)、和從時間j到時間k的時間段T(4)中對發光晶閘管LI、L2、L3和L4執行點亮或不點亮控制(點亮控制)。之后，類似地，對編號為5或更高的發光晶閘管執行點亮控制。在本示例實施例中，假設時間段Τ(1)、Τ(2)、Τ(3)、…的長度相同。當不對時間段T (I)、T⑵、T (3)、…彼此進行區分時，將時間段T (I)、T⑵、T (3)、…稱為“時間段Τ”。注意，時間段T(I)、T(2)、T(3)、…的長度可以改變，只要維持下述信號之間的相對關系即可。以下將描述第一傳遞信號Φ1-1、第二傳遞信號Φ2-1、和點亮信號ΦΙ1的波形。注意，發送到發光芯片Cl的第一傳遞信號Φ 1-1和第二傳遞信號Φ2-1分別經由緩沖電路Bufla和Buf2a(參見圖4)發送。第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ2分別發送到緩沖電路Bufla和Buf2a的輸入端子。如上所述，第一傳遞信號Φ I和第一傳遞信號Φ 1_1是具有相同波形的信號。此外，第二傳遞信號Φ2和第二傳遞信號Φ2-1時具有相同波形的信號。因此，下文中，將第一傳遞信號Φ 1-1描述為第一傳遞信號Φ1，將第二傳遞信號Φ2-1描述為第二傳遞信號Φ2。從時間a到時間b的時間段是發光芯片Cl開始操作(也是發光芯片C2至C20開始操作)的時間段。操作的描述中將描述該時間段中的信號。發送到Φ I端子(參見圖8)的第一傳遞信號Φ I和發送到Φ 2端子(參見圖8)的第二傳遞信號Φ2是具有兩個電位(即，“H”和“L”)的信號。關于第一傳遞信號Φ1和第二傳遞信號Φ2，其波形以兩個連續時間段T(例如，通過使時間段T(I)和T(2)彼此相加獲得的時間段)為單位而重復。關于第一傳遞信號Φ1，其電位在時間段T(I)的開始時刻b處從“H”改變為“L”，并且在時刻f處從“L”改變為“H”。然后，其電位在時間段T(2)的結束時刻i處從“H”改變為“L”。 關于第二傳遞信號Φ2，其電位在時間段T(I)的開始時刻b處為“H”，并且在時刻e處從“H”改變為“L”。然后，其電位在時間段T(2)的結束時刻i處保持為“L”。這里，第一傳遞信號Φ1和第二傳遞信號Φ2相互進行比較。第二傳遞信號Φ2是通過使第一傳遞信號ΦI沿時間軸向后位移時間段T而獲得的信號。關于第一傳遞信號Φ1，其在時間段T(I)中的波形及其在時間段T(2)中的波形在時間段Τ(3)及其后時間段中重復。相比之下，關于第二傳遞信號Φ2，其在時間段T(I)中的由虛線表示的波形及其在時間段T (2)中的波形在時間段T (3)中重復。第二傳遞信號Φ2在時間段T(I)中的波形不同于第二傳遞信號Φ2在時間段Τ(3)及其后時間段中的波形的原因是時間段T(I)是發光裝置65開始操作的時間段。如下所述，為一對第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2的傳遞信號對使得導通狀態傳遞，從而圖8中所示的傳遞晶閘管T按編號順序進入導通狀態，以將編號與導通狀態的傳遞晶閘管T的編號相同的發光晶閘管L指定為點亮或不點亮控制(點亮控制)的目標。接下來，將描述發送到發光芯片Cl的Φ I端子的點亮信號ΦΙ1。點亮信號ΦΙ1是具有兩個電位(即，“H”和“L”)的信號。注意，點亮信號ΦΙ2至ΦΙ20分別發送至其他發光芯片C2至C20。這里，將描述對發光芯片Cl的發光晶閘管LI執行點亮控制的時間段T(I)中的點亮信號ΦΙ1。注意，假設使發光晶閘管LI執行點亮。關于點亮信號ΦΙ1，其電位在時間段T(I)的開始時刻b處為“H”，并且在時刻c處從“H”改變為“L”。然后，其電位在時刻d處從“L”改變為“H”，并且在時間段T(I)的結束時刻e處維持為“H”。其中點亮信號ΦΙ1的電位為“L”的從時刻c到時刻d的時間段為發光晶閘管LI執行點亮的點亮時間段。點亮時間段根據存儲在光量校正數據存儲器67中的光量校正數據項設置。換言之，發光裝置驅動電路33讀取為發光芯片Cl的發光晶閘管LI存儲的光量校正數據項。然后，根據該光量校正數據項來設置點亮時間段。該情況下，點亮信號ΦΙ1的電位返回“H”的時刻d可以固定，點亮信號ΦΙ1的電位改變為“L”的時刻c可以根據光量校正數據項而設置。可替換地，點亮信號ΦΙ1的電位改變為“L”的時刻c可以固定，點亮信號ΦΙ1的電位返回“H”的時刻d可以設置。可替換地，點亮信號ΦΙ1的電位改變為“L”的時刻c和點亮信號Φ Il的電位返回“H”的時刻d 二者都可以設置。由于執行了光量校正，因此點亮時間段(點亮信號Φ I的電位改變為“L”的時刻(例如，圖10中所示的點亮信號Φ Il的時刻C)和/或點亮信號Φ I的電位改變為“H”的時刻(例如，圖10中所示的點亮信號Φ Il的時刻d))根據每個發光芯片C的每個發光晶閘管L而不同。以下將在參照圖4、圖5A和圖5B、圖6A和圖6B、圖7以及圖8的同時，根據圖10所示的時序圖來描述發光裝置65和發光芯片Cl的操作。注意，下文中，將描述對發光晶閘管LI和L2執行點亮控制的時間段T(I)和T (2)。⑴時刻a<發光裝置65>
在時刻a處，發光裝置驅動電路33將基準電位Vsub設置為“H” (OV)，并且將電位Vga設置為“L” (-3. 3V)。然后，將發光裝置65的發光芯片安裝板62上的電位線200a設置為基準電位Vsub “H” (OV)。將發光芯片Cl至C20中的每一個的Vsub端子設置為“H”。類似地，將電位線200b設置為“L” (-3. 3V)。將發光芯片Cl至C20中的每一個的Vga端子設置為“L”。從而，將發光芯片Cl至C20中的每一個的電位線71設置為“L”。然后，發光裝置驅動電路33將第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2的電位設置為“H”。然后，第一傳遞信號線201和第二傳遞信號線202的電位變為“H”(參見圖4)。因此，發光芯片Cl至C20中的每一個的Φ1端子和Φ2端子處的電位經由傳遞信號提供電路66變為“H”。因此，經由限流電阻器Rl連接到Φ I端子的第一傳遞信號線72的電位也變為“H”，經由限流電阻器R2連接到Φ2端子的第二傳遞信號線73的電位也變為“H” (參見圖8)。此外，發光裝置驅動電路33將點亮信號Φ Il至Φ 120中的每一個的電位設置為“H”。然后，點亮信號線204-1至204-20的電位變為“H”(參見圖4)。因此，發光芯片Cl至C20中的每一個的Φ I端子的電位經由限流電阻器RI變為“H”。因此，連接到ΦΙ端子的點亮信號線75的電位也變為“H” (參見圖8)。接下來，將描述發光芯片Cl的操作。注意，盡管在圖10中和在以下給出的描述中假設每個端子處的電位階梯式改變，但是每個端子處的電位可以逐漸改變。因此，即使電位在改變時，如果滿足以下描述的條件，晶閘管也可以導通或關斷，從而可以發生狀態改變。<發光芯片Cl〉由于傳遞晶閘管T和發光晶閘管L的陽極端子連接到Vsub端子，因此陽極端子的電位被設置為“H”(OV)。奇數編號的晶閘管Tl、T3、T5、…中的每一個的陰極端子連接到第一傳遞信號線72，并且被設置為“H”。偶數編號的晶閘管T2、T4、T6、…中的每一個的陰極端子連接到第二傳遞信號線73，并且被設置為“H”。因此，由于晶閘管T的陽極端子處的電位與其陰極端子處的電位都為“H”，因此傳遞晶閘管T處于關斷狀態。發光晶閘管L的陰極端子連接到被設置為“H”的點亮信號線75。這樣，由于發光晶閘管L的陽極端子處的電位及其陰極端子處的電位都為“H”，因此發光晶閘管L也處于關斷狀態。
如上所述，設置在圖8中所示的傳遞晶閘管行的一端側的柵極端子Gtl連接到起動二極管DxO的陰極端子。柵極端子Gtl經由電阻器Rgxl連接到被設置為電位Vga(“L”(-3.3V))的電位線71。起動二極管DxO的陽極端子連接到第二傳遞信號線73，從而起動二極管DxO的陽極端子經由限流電阻器R2連接到電位為“H”(OV)的Φ2端子。從而，起動二極管DxO正向偏置。起動二極管DxO的陰極端子(柵極端子Gtl)處的電位為通過從起動二極管DxO的陽極端子處的電位(“H”(0V))減去p-n結的正向電位Vd(約I. 5V)而獲得的值(約-I. 5V)。此外，當柵極端子Gtl處的電位變為約-I. 5V時，關于耦合二極管Dxl，其陽極端子(柵極端子Gtl)處的電位變為約-I. 5V，其陰極端子經由電阻器Rgx2連接到電位線71( “L”(-3.3V))。因此，耦合二極管Dxl正向偏置。從而，柵極端子Gt2處的電位變為通過從柵極端子Gtl處的電位(約-I. 5V)減去p-n結的正向電位(約I. 5V)而獲得的約-3V。但是，起動二極管DxO的陽極端子處的電位“H” (OV)不會對編號為3或更高的柵極端子Gt產生影響。每個柵極端子Gt處的電位為電位線71的電位“L” (-3. 3V)。注意，由于柵極端子Gt連接到柵極端子Gl，因此柵極端子Gl處的電位與柵極端子Gt處的電位相同。因此，傳遞晶閘管T和發光晶閘管L的閾值電壓為通過從柵極端子Gt和Gl處的電位減去p-n結的正向電位Vd(約I. 5V)而獲得的值。換言之，傳遞晶閘管Tl和發 光晶閘管LI的閾值電壓約為-3V。傳遞晶閘管T2和發光晶閘管L2的閾值電壓約為-4. 5V。編號為3或更高的傳遞晶閘管T和發光晶閘管L的閾值電壓約為-4. 8V。⑵時刻b在圖10所示的時刻b處，第一傳遞信號Φ I的電位從“H”(0V)改變為“L”(_3. 3V)。因此，發光裝置65開始操作。當第一傳遞信號Φ1的電位從“H”改變為“L”時，第一傳遞信號線72的電位經由Φ I端子和限流電阻器Rl從“H”改變為“L”。然后，閾值電壓為約-3V的傳遞晶閘管Tl導通。但是，陰極端子連接到第一傳遞信號線72并且其編號為3或更高的奇數編號的傳遞晶閘管T不能導通，這是因為這些傳遞晶閘管T的閾值電壓為約-4. 8V。相反，第二傳遞信號線73的電位為“H”，這是因為第二傳遞信號Φ2的電位為“H”(0V)。因此，偶數編號的傳遞晶閘管T不能導通。由于傳遞晶閘管Tl導通，因此第一傳遞信號線72的電位由于受驅動電路的輸出阻抗和導通狀態電流而增大，從而高于傳遞晶閘管Tl導通時的電位。當傳遞晶閘管Tl導通時，柵極端子Gtl處的電位變為約0V。柵極端子Gt2處的電位變為約-1.5V。柵極端子Gt3處的電位變為約-3V。編號為4或更高的柵極端子Gt處的電位變為“L” (-3. 3V)。因此，發光晶閘管LI的閾值電壓變為約-I. 5V。傳遞晶閘管T2和發光晶閘管L2的閾值電壓變為-3V。傳遞晶閘管T3和發光晶閘管L3的閾值電壓變為約-4. 5V。編號為4或更高的傳遞晶閘管T和發光晶閘管L的閾值電壓變為約-4. 8V。但是，由于傳遞晶閘管Tl處于導通狀態，因此第一傳遞信號線72的電位增大到高于約-3V。因此，處于關斷狀態的奇數編號的傳遞晶閘管T不導通。由于第二傳遞信號線73的電位為“H”，因此偶數編號的傳遞晶閘管T不導通。由于點亮信號線75的電位為“H”，因此沒有發光晶閘管L導通。緊接時刻b之后(在晶閘管等由于時刻b處的信號電位的改變而發生改變之后建立了穩態時)，傳遞晶閘管Tl處于導通狀態，而其他傳遞晶閘管T和發光晶閘管L處于關斷狀態。(3)時刻 c在時刻c處，點亮信號Φ Il的電位從“H”改變為“L”。當點亮信號Φ Il的電位從“H”改變為“L”時，點亮信號線75的電位經由限流電阻器RI和Φ1端子從“H”改變為“L”。然后，閾值電壓為約-I. 5V的發光晶閘管L導通，從而執行點亮。因此，點亮信號線75的電位增大。注意，盡管發光晶閘管L2的閾值電壓為約-3V，發光晶閘管L2也不會導通。其原因是，由于閾值電壓為約-I. 5V(為高，其為絕對值較小的負值)的發光晶閘管LI導通，因此點亮信號線75的電位增大到高于約-3V。緊接時刻c之后，傳遞晶閘管Tl處于導通狀態，發光晶閘管LI處于導通狀態，從而發光晶閘管LI執行點亮(發光)。 ⑷時刻d在時刻d處，點亮信號Φ Il的電位從“L”改變為“H”。當點亮信號Φ Il的電位從“L”改變為“H”時，點亮信號線75的電位經由限流電阻器RI和Φ I端子從“L”改變為“H”。然后，關于發光晶閘管LI，由于其陽極端子的電位和陰極端子的電位都變為“H”，因此發光晶閘管LI關斷，從而停止發光(執行不點亮)。發光晶閘管LI的點亮時間段是從點亮信號Φ Il的電位從“H”改變為“L”的時刻c到點亮信號Φ Il的電位從“L”改變為“H”的時刻d的時間段，其間點亮信號Φ Il的電位為“L”。緊接時刻d之后，傳遞晶閘管Tl處于導通狀態。(5)時刻 e在時刻e處，第二傳遞信號Φ2的電位從“H”改變為“L”。這里，對發光晶閘管LI執行點亮控制的時間段T(I)結束，而對發光晶閘管L2執行點亮控制的時間段T(2)開始。當第二傳遞信號Φ2的電位從“H”改變為“L”時，第二傳遞信號線73的電位經由Φ 2端子從“H”改變為“L”。如上所述，由于傳遞晶閘管Τ2的閾值電壓變為約-3V，因此傳遞晶閘管Τ2導通。因此，柵極端子Gt2(柵極端子G12)處的電位變為約0V。柵極端子Gt3(柵極端子G13)處的電位變為約-I. 5V。柵極端子Gt4(柵極端子G14)處的電位變為約-3V。編號為5或更高的柵極端子Gt (柵極端子Gl)處的電位變為“L”(-3.3V)。緊接時刻e之后，傳遞晶閘管Tl和T2處于導通狀態。(6)時刻 f在時刻f處，第一傳遞信號Φ I的電位從“L”改變為“H”。當第一傳遞信號Φ I的電位從“L”改變為“H”時，第一傳遞信號線72的電位經由Φ I端子從“L”改變為“H”。然后，關于導通狀態的傳遞晶閘管Tl，由于其陽極端子的電位和陰極端子的電位都變為“H”，因此傳遞晶閘管Tl關斷。然后，柵極端子Gtl (柵極端子Gll)處的電位經由電阻器Rgxl變為電位線71的電位Vga( “L”(-3. 3V))。因此，耦合二極管Dxl進入在沒有電流流過的方向上施加電位的狀態(變為反向偏置)。因此，柵極端子Gt2(柵極端子G12)處的約OV的電位不對柵極端子Gtl (柵極端子GIl)產生影響。換言之，關于柵極端子Gt通過反向偏置的耦合二極管Dx連接的傳遞晶閘管T，由于其閾值電壓變為約-4. 8V，因此傳遞晶閘管T使用電位為“L” (-3. 3V)的第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2而不導通。緊接時刻f之后，傳遞晶閘管T2處于導通狀態。
(7)其他在時刻g處，當點亮信號Φ Il的電位從“H”改變為“L”時，發光晶閘管L2如發光晶閘管LI在時刻c處的情況一樣導通，從而發光晶閘管L2執行點亮(發光)。然后，在時刻h處，當點亮信號ΦΙ1的電位從“L”改變為“H”時，發光晶閘管L2如發光晶閘管LI在時刻d處的情況一樣關斷，從而發光晶閘管L2停止發光。
此外，在時刻i處，當點亮信號Φ Il的電位從“H”改變為“L”時，閾值電壓為約-3V的傳遞晶閘管T3如傳遞晶閘管Tl在時刻b處或傳遞晶閘管T2在時刻e處的情況一樣而導通。在時刻i處，對發光晶閘管L2執行點亮控制的時間段T (2)結束，對發光晶閘管L3執行點亮控制的時間段T(3)開始。之后，重復上述操作。注意，在使發光晶閘管L保持停止發光(執行不點亮)而不使發光晶閘管L執行點亮(發光)的情況下，點亮信號ΦΙ的電位可以保持為“H”(0V)，如點亮信號ΦΙ1在圖10中所示的對發光晶閘管L4執行點亮控制的從時刻j到時刻k的時間段T⑷中的情況一樣。以此方式，即使在發光晶閘管L4的閾值電壓為約-I. 5V時，發光晶閘管L4也保持停止發光(執行不點亮)。如上所述，傳遞晶閘管T的柵極端子Gt通過耦合二極管Dx彼此連接。因此，當一個特定柵極端子Gt處的電位改變時，經由正向偏置的相應耦合二極管Dx連接到電位改變了的該特定柵極端子Gt的柵極端子Gt處的電位也改變。然后，具有電位改變了的該特定柵極端子Gt的相應傳遞晶閘管T的閾值電壓也改變。傳遞晶閘管T在其閾值電壓高于“L”(-3.3V)(其絕對值較小的負值)時以及在第一傳遞信號Φ1或第二傳遞信號Φ2的電位從“H” (OV)改變為“L”(-3.3V)時導通。換言之，導通狀態傳遞(執行自掃描)，從而傳遞晶閘管T依次進入導通狀態。然后，關于柵極端子Gt連接到導通狀態的傳遞晶閘管T的柵極端子Gt的發光晶閘管L，由于其閾值電壓為約-I. 5V，因此當點亮信號ΦΙ的電位從“H”(OV)改變為“L” (-3. 3V)時，發光晶閘管L導通從而執行點亮(發光)。換言之，傳遞晶閘管T進入導通狀態，從而指定作為點亮控制目標的發光晶閘管L。點亮信號ΦΙ用來對作為點亮控制目標的發光晶閘管L進行設置，以使其執行點亮或不點売。因此，點亮信號ΦΙ的波形根據圖像數據項來設置，從而控制各個發光晶閘管L的點亮和不點亮。接下來，將描述不使用本示例實施例的情況。圖11是示出不使用本示例實施例的情況下的控制器30和發光裝置65的構造及其連接關系的示圖。在不使用本示例實施例的情況下，本示例實施例中的包括緩沖電路Buf I a至Buf8a(參見圖4)的傳遞信號提供電路66 (參見圖3A)不安裝在發光芯片安裝板62上。代替傳遞信號提供電路66，在發光裝置驅動電路33內設置緩沖電路Buflb至BufSb (參見以下描述的圖12)。由于其他元件的構造與本示例實施例中的圖3A和圖3B中所示的元件構造相同，因此省略其描述。圖12是示出不使用本示例實施例的情況下發光裝置65的發光芯片安裝板62上的布線圖案(線路)構造的示圖。注意，在圖12中，與布線圖案一起示出了發光裝置驅動電路33的一部分、以及連接器34和電纜35。如上所述，在不使用本示例實施例的情況下，在發光裝置驅動電路33中設置發送第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ 2-3和Φ2-4的緩沖電路Buflb至Buf8b。注意，奇數編號的緩沖電路Buflb、Buf3b、Buf5b (未示出)和Buf7b分別發送第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ 1-4，偶數編號的緩沖電路Buf2b、Buf4b、Buf6b (未示出)和Buf8b分別發送第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ 2-3和Φ 2~4o連接器34包括用來從發光裝置驅動電路33發送第一傳遞信號Φ1_1、Φ 1-2,Φ1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2_4的端子(PIN)。連接器68包括用于使發光裝置65接收第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2-4的端子(PIN)。連接器34和連接器68通過電纜35彼此 連接。第一傳遞信號線201-1、201-2、201_3(未示出)和201-4以及第二傳遞信號線
202-1、202-2、202-3(未示出)和202-4設置在發光芯片安裝板62上。第一傳遞信號線
201-1,201-2,201-3 和 201-4 以及第二傳遞信號線 202-1、202-2、202_3 和 202-4 從用來接收第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2_2、Φ 2_3和Φ 2-4的連接器68的端子(PIN)基于逐發光芯片組地連接到發光芯片C的Φ I端子和Φ 2端子。其他元件的構造與本示例實施例中的圖4中所示的元件構造相同，因此省略其描述。圖13A和圖13B是示出不使用本示例實施例的情況下連接器68的PIN排列示例的示圖。圖13A是連接器68的PIN排列的示圖。圖13B是示出分配給點亮信號Φ I的PIN的PIN排列的放大示圖。注意，在圖13B中，除了連接器68之外，還示出了發光裝置驅動電路33、連接器34、電纜35和發光芯片安裝板62。這里，假設連接器68的端子(PIN)的數量為40，與圖5中所示的本示例實施例中
的一樣。如圖13A中所示，40個端子(PIN)被分成4組。換言之，四個組如下PIN #1至#3的組Ib (與圖5A中所示的組Ia —樣)，其用來發送光量校正數據項；PIN #4至#8的組Ilb，其用來發送第一傳遞信號Φ 1-1至Φ 1-4 ；PIN#9至#34的組Illb，其用來發送點亮信號Φ Il至Φ 120 ;以及PIN #35至#40的組IVb，其用來發送第二傳遞信號Φ2-1至Φ2-4。如上所述，即使在不使用本示例實施例的情況下，也將必要信號(第一傳遞信號Φ1-1至Φ 1-4、第二傳遞信號Φ2-1至Φ 2-4、和點亮信號ΦΙ1至Φ 120)、基準電位Vsub、以及電位Vga分配給所述40個端子(PIN)。但是，如圖13B中所示，關于用來發送點亮信號ΦΙ1至Φ 120的組Illb，使用這樣的構造，其中分配給4個點亮信號ΦΙ (例如，分配給PIN #24至#29的點亮信號ΦΙ13至ΦΙ16)的PIN位于分配給基準電位Vsub的各PIN之間。因此，作為點亮信號ΦΙ13流動的電流的電流回路CLa的大小(與點亮信號Φ 116的相同)和作為點亮信號Φ 114流動的電流的電流回路CLb的大小(與點亮信號ΦΙ15的相同)彼此不同。因此，發送點亮信號Φ 113的信號線的特性阻抗(與點亮信號Φ 116的相同)與發送點亮信號Φ 114的信號線的特性阻抗(與點亮信號Φ 115的相同)彼此不同。與發送點亮信號Φ 113的信號線(與點亮信號ΦΙ16的相同)相比較，發送點亮信號ΦΙ14的信號線(與點亮信號ΦΙ15的相同)設置為遠離提供基準電位Vsub的布線圖案。因此，增大了發送點亮信號φ 114的信號線的電感。從而容易出現噪聲。此外，增大了各點亮信號ΦΙ的特性阻抗的變化。因此容易出現噪聲。相反,在圖5所示的本示例實施例中，對于所有的點亮信號Φ I,發送點亮信號ΦΙ的信號線的電感較低，各點亮信號Φ I的特性阻抗也較低。因此，減小了發送點亮信號ΦΙ的信號線中噪聲出現的差異。此外，如上所述，導通狀態傳遞，從而傳遞晶閘管T依次進入導通狀態，并且傳遞晶閘管T指定作為點亮控制目標的發光晶閘管L。該情況下，關于彼此相鄰的兩個傳遞晶閘管T，設置在前級的傳遞晶閘管T (例如，圖8中所示的傳遞晶閘管Tl)的導通狀態維持到設置在后級的傳遞晶閘管T (傳遞晶閘管T2)進入導通狀態為止(圖10中所示的從時刻e到時刻f的時間段)。
假設前級傳遞晶閘管T (傳遞晶閘管Tl)在后級傳遞晶閘管T (傳遞晶閘管T2)進入導通狀態之前(圖10中所示的時刻d之前)關斷。該情況下，當前級傳遞晶閘管T的柵極端子Gt (柵極端子Gtl)處的電位變得低于約-O. 3V時，后級傳遞晶閘管T (傳遞晶閘管T2)的閾值電壓變得低于“L”(-3. 3V)。然后，即使在發送到后級傳遞晶閘管T的傳遞信號(第二傳遞信號Φ2(Φ2-1))的電位從“H” (OV)改變為“L”(-3.3V)時(圖10中所示的時刻e)，后級傳遞晶閘管T(傳遞晶閘管T2)也不能導通。換言之，傳遞晶閘管T的導通狀態的傳遞(自掃描)中斷。如圖9A中所示，當晶閘管處于關斷狀態時，晶閘管處于沒有電流流過的狀態(高阻狀態)。但是，當晶閘管導通時，晶閘管進入有電流流過的狀態(低阻狀態)。在不使用本示例實施例的情況下，當傳遞晶閘管T處于關斷狀態時，即，處于沒有電流流過的狀態(高阻狀態)時，發光裝置驅動電路33的緩沖電路Buflb至BufSb可以將第一傳遞信號Φ1-1、Φ 1-2、Φ 1-3 和 Φ 1-4 或者第二傳遞信號 Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3 和 Φ 2-4 設置為“L”(_3. 3V)。但是，當傳遞晶閘管T導通而進入電流流過的狀態(低阻狀態)時，第一傳遞信號Φ1-1、Φ 1_2、Φ 1-3和Φ 1-4或者第_■傳遞信號Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3和Φ 2-4的電位由于緩沖電路Buflb至Buf8b的內阻或者電纜35的電阻而從“L” (-3. 3V)向高值(“H” (OV)側)偏移。該情況下，如上所述，當第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4或者第二傳遞信號Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3和Φ 2-4的電位變為高于維持傳遞晶閘管T的導通狀態所必需的維持電壓(約-1.5V)的值時，傳遞晶閘管T關斷。因此，傳遞晶閘管T的導通狀態的傳遞(自掃描)中斷。在不使用本示例實施例的情況下，為了減少傳遞晶閘管T的自掃描的中斷，需要將具有低內阻并且用于大電流的昂貴緩沖電路用作發光裝置驅動電路33的緩沖電路Buflb至Buf8b。另外，需要將電纜35的長度設置為較短。相比之下，在本示例實施例中，傳遞信號提供電路66設置在發光裝置65的發光芯片安裝板62上,并且產生第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ 1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ2-4。該構造中，減小了傳遞信號提供電路66的緩沖電路Bufla至BufSa的輸出端子與發光芯片C之間的距離(布線電阻)。因此，即使當傳遞晶閘管T進入導通狀態，然后第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ2-4的電位由于緩沖電路Buflb至Buf8b的內阻而從“L”(-3. 3V)向高值(“H” (OV)側)偏移時，也能減少為使傳遞晶閘管T的陰極端子處的電位高于維持電壓而對這些電位進行的增加。在本示例實施例中，第一傳遞信號Φ1和第二傳遞信號Φ2從設置在控制板31上的發光裝置驅動電路33發送到設置在發光芯片安裝板62上的傳遞信號提供電路66。該情況下，僅需要可以發送(使用邏輯電平)第一傳遞信號ΦI和第二傳遞信號Φ2以使得設置在發光裝置驅動電路33中的緩沖電路Bufl和Buf 2與設置在傳遞信號提供電路66中的緩沖電路Bufla至BufSa之間維持“H”與“L”之間的關系即可。由于用于發送和接收使用邏輯電平的信號的操作裕度較寬，因此由于內阻引起的信號劣化所產生的影響較小。即使在電纜35的長度被設置為較長時，信號也不容易受影響。此外，由于傳遞信號提供電路66設置在發光芯片安裝板62上，因此將第一傳遞信號Φ1和第二傳遞信號Φ 2與發光芯片C作為整體進行測試。因此，可以將發光裝置65設 置為其中減少了發光芯片C的傳遞晶閘管T的導通狀態的傳遞(自掃描)中斷。相比之下，在不使用本示例實施例的情況下(參見圖11)，緩沖電路Buflb至Buf8b安裝在發光裝置驅動電路33中。因此，發光裝置65與緩沖電路Buflb至Buf8b分離地進行測試。在裝配圖像形成設備I的情況下，發光裝置65與其中安裝了緩沖電路Buflb至Buf8b的發光裝置驅動電路33組合在一起。該情況下，當傳遞晶閘管T導通時，第一傳遞信號Φ 1-1、Φ 1-2、Φ 1-3和Φ 1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2-4的電位由于緩沖電路Buflb至Buf8b的內阻、電纜35的電阻等可能不會保持在“L”(-3. 3V)。因此，當第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ 1-4或者第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2-4的電位向高值(“H”(OV)側)偏移而高于傳遞晶閘管T的維持電壓時，導通狀態的傳遞晶閘管T關斷，從而導通狀態的傳遞中斷。換言之，在不使用本示例實施例的情況下，即使通過測試已經將發光裝置65確定為合格品，但當執行圖像形成設備I的裝配并且組合測試發光裝置65和發光裝置驅動電路33時，發光裝置65和發光裝置驅動電路33也可能不會正確地操作。注意，點亮信號Φ I基于發光芯片C通過類似于緩沖電路Bufl和Buf2的緩沖電路從發光裝置驅動電路33發送到發光裝置65的發光芯片C。但是，電流可以基于發光芯片C提供到導通狀態的傳遞晶閘管T所指定的發光晶閘管L。因此，不容易發生諸如上述傳遞晶閘管T的導通狀態的傳遞中斷之類的問題。因此，提供點亮信號ΦΙ的緩沖電路可以不安裝在發光裝置65的發光芯片安裝板62上。如上所述，在本示例實施例中，由于發光裝置65包括傳遞信號提供電路66，因此組合測試第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ 1-4、第二傳遞信號Φ2-1、Φ2_2、Φ 2-3和Φ2-4、以及發光芯片C。從而，在裝配圖像形成設備I的情況下，僅需要可以發送(使用邏輯電平)第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ2以使得設置在控制板31上的發光裝置驅動電路33與設置在發光芯片安裝板62上的傳遞信號提供電路66之間維持“H”與“L”之間的關系即可。用于發送使用邏輯電平的信號的操作裕度較寬。因此，在本示例實施例中，即使在發光裝置驅動電路33的緩沖的電路Bufl和Buf2的內阻和/或電纜35的電阻較高時，也能減少發送使用邏輯電平的信號的情況下的異常發生。如上所述，在本示例實施例中，可以使用具有高內阻的廉價緩沖電路作為發光裝置驅動電路33的緩沖電路Bufl和Buf2以及傳遞信號提供電路66的緩沖電路Bufla至Buf8a0此外，在本示例實施例中，光量校正數據存儲器67的存儲區被分成多個區，使用條件(使用條件I和使用 條件2)不同的光量校正數據項存儲在根據使用條件而不同的區(區A和區B)中。因此，多個發光裝置65中的每一個不必須包括相應的一個光量校正數據存儲器67，根據使用條件而不同的光量校正數據項也不必須存儲在相應的光量校正數據存儲器67中。換言之，即使發光裝置65在使用條件I或使用條件2的情況下使用，發光裝置65也可以具有相同的構造。控制器30可以根據使用條件來改變光量校正數據存儲器67的起始地址，并且可以讀取光量校正數據項。另外，在本示例實施例中，兩個信號(即，第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ2)在發光裝置驅動電路33與發光裝置65之間作為傳遞信號進行發送(參見圖5A)。相比之下，在不使用本示例實施例的情況下，8個信號(即，第一傳遞信號Φ1-1、Φ1-2、Φ1-3和Φ1-4以及第二傳遞信號Φ2-1、Φ2-2、Φ2-3和Φ 2_4)被作為傳遞信號進行發送(參見圖13A)。因此，在本示例實施例中，與不使用本示例實施例的情況相比較，傳遞信號的數量減少了 6個。如圖5A和圖5B中所示，設置基準電位Vsub以使得分配給基準電位Vsub的PIN與分配給所有的點亮信號ΦΙ的PIN相鄰定位，而不改變PIN的數量(40)。因此，發送所有的點亮信號ΦΙ的信號線的特性阻抗被設置為相同的較低值，從而減小了點亮信號ΦΙ的電平改變(從“H”到“L”或者從“L”到“H”)時出現的噪聲。此外,在圖5A所示的本示例實施例中，分配給電位Vga的端子(PIN)的數量為4,分配給基準電位Vsub的端子(PIN)的數量為11。與圖13A中所示的不使用本示例實施例的情況中分配給電位Vga的端子(PIN)的數量為3以及分配給基準電位Vsub的端子(PIN)的數量為6相比較，增大了大量分配給電位Vga的端子(PIN)的數量和分配給基準電位Vsub的端子(PIN)的數量。因此，發光裝置65中的電位更穩定。如上所述，根據本示例實施例中的發光裝置65可以不考慮使用條件而具有相同的構造，從而可以更穩定地執行信號的接收。圖14A至圖14E是示出設置在傳遞信號提供電路66的緩沖電路Buf Ia至Buf8a的輸出端的高頻截止濾波器的構造的示圖。為了減小從各緩沖電路Bufla至Buf8a的輸出端發送的信號(第一傳遞信號Φ I-I > Φ 1_2、Φ 1-3 和 Φ 1_4 以及第_■傳遞f目號 Φ2-1、Φ 2-2> Φ 2-3 和 Φ 2-4)電位電平的變化，可以在各緩沖電路Bufla至Buf8a的輸出端設置截止高頻分量的高頻截止濾波器(低通濾波器)。注意，在圖14A至圖14E中，緩沖電路Bufla至Buf8a由Buf表示,第一傳遞f目號 Φ 1_1、Φ 1_2、Φ 1-3 和 Φ 1-4 由 Φ l-χ 表不，第_■傳遞 目號 Φ 2-1、Φ 2-2、Φ 2-3 和Φ 2-4由Φ 2-χ表示。圖14Α中所示的電容器(F)設置在輸出端的構造、圖14Β和圖14C中所示的電容器(F)和電阻器(R)組合設置在輸出端的構造、以及圖14D和圖14Ε中所示的電容器(F)和電感(L)組合設置在輸出端的構造可以用于高頻截止濾波器。使用圖14D和圖14Ε中所示的組合設置電容器(F)和電感(L)的構造，可以使得從輸出端輸出的信號電平(幅度)由于電阻器(R)而減小的程度降低。第二示例實施例在第一示例實施例中，一個傳遞信號提供電路66設置在發光芯片安裝板62上(參見圖3A和圖3B)。由于IC的電源針腳和GND針腳存在電流限制，因此當流過緩沖電路的電流較大時，必須選擇緩沖電路的數量較小的1C。在第二示例實施例中，提供4個傳遞信號提供電路66-1至66-4。下文中，將描述第二不例實施例與第一不例實施例之間的差異，并且省略第二不例實施例與第一不例實施例的公共部分的描述。圖15是示出第二示例實施例中的控制器30和發光裝置65的構造及其連接關系的示圖。參照圖15，4個傳遞信號提供電路66-1至66_4布置在傳遞信號從4個傳遞信號提供電路66-1至66-4提供到的發光芯片組的附近。換言之，傳遞信號提供電路66-1包括緩沖電路Bufla和Buf 2a (未示出)，布置在由發光芯片Cl至C5構成的發光芯片組#1的附 近，并且發送第一傳遞信號Φ 1-1和第二傳遞信號Φ2-1。傳遞信號提供電路66-2包括緩沖電路Buf3a和Buf4a(未示出)，布置在由發光芯片C6至ClO構成的發光芯片組#2的附近，并且發送第一傳遞信號Φ 1-2和第二傳遞信號Φ2-2。傳遞信號提供電路66-3包括緩沖電路Buf5a和Buf6a(未示出)，布置在由發光芯片Cll至C15構成的發光芯片組#3的附近，并且發送第一傳遞信號Φ 1-3和第二傳遞信號Φ2-3。傳遞信號提供電路66-4包括緩沖電路Buf 7a和Buf8a (未示出)，布置在由發光芯片C16至C20構成的發光芯片組#4的附近，并且發送第一傳遞信號Φ 1-4和第二傳遞信號Φ2-4。在第二示例實施例中，由于傳遞信號提供電路66-1至66-4布置在接收各傳遞信號提供電路66-1至66-4發送的信號的發光芯片組附近，因此減小了第一傳遞信號線
201-1、201-2、201-3和 201-4 以及第二傳遞信號線 202-1、202-2、202_3 和 202-4 的長度(參見圖4)。從而，減小了第一傳遞信號線201-1、201-2、201-3和201-4以及第二傳遞信號線
202-1,202-2,202-3和202-4的電位由于其電阻而產生的變化。在第一和第二示例實施例中，盡管使用標準產品的IC作為緩沖電路Bufla至Buf8a，但是緩沖電路Bufla至Buf8a可以被形成為專用集成電路(ASIC)。如果緩沖電路Bufla至BufSa被形成為ASIC，則可以增大輸出端的電流容量，或者增加內部布線圖案(更具體地為GND布線圖案)從而減小內阻。在第一和第二示例實施例中，為高電平電位的值“H” (OV)和為低電平電位的值“L” (-3. 3V)都僅為示例，可以考慮發光裝置65的操作來設置其他的值。在第一和第二不例實施例中，傳遞晶閘管T使用由第一傳遞信號Φ I和第二傳遞信號Φ 2形成的兩相傳遞信號來驅動。但是，也可以發送具有三相的傳遞信號，并且每三個傳遞晶閘管T可以使用該傳遞信號來驅動。此外，在第一和第二示例實施例中，每個發光芯片C中安裝一個SLED。但是，SLED的數量可以為兩個或更多個。當安裝兩個或更多個SLED時，每個SLED可以用一個發光芯片C代替。另外，在第一和第二示例實施例中，在以上給出的描述中，使用共陽極，其中晶閘管(傳遞晶閘管T和發光晶閘管L)的陽極端子連接到板80以作為公共陽極。可以通過改變電路的極性來使用共陰極，其中陰極端子連接到板80以用作公共陰極。
上述本發明的示例實施例的描述僅用于說明和描述的目的而提供。其不是旨在窮盡本發明或將本發明限制為所公開的精確形式。顯然，許多變型和修改對于本領域技術人員而言是顯而易見的。所選擇和描述的實施例是為了最佳地說明 本發明的原理及其實際應用，從而使得本領域其他技術人員能夠理解本發明的各種實施例以及適用于特定用途的各種變型。本發明的范圍由所附權利要求及其等價物限定。
權利要求
1.一種發光裝置，包括 多個發光芯片； 所述多個發光芯片中的每一個發光芯片均包括 多個發光元件，和 多個傳遞元件，所述多個傳遞元件通過依次進入導通狀態將所述多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標，所述多個傳遞元件中的每一個傳遞元件均對應于所述多個發光元件中相應的一個發光元件而提供， 安裝板，所述多個發光芯片安裝于其上；以及 緩沖放大器，其設置在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號，所述傳遞信號用來將包括在所述多個發光芯片的每一個發光芯片中的所述多個傳遞元件依次設置為導通狀態。
2.根據權利要求I所述的發光裝置，其中所述多個發光芯片被分成多個發光芯片組，所述多個發光芯片組中的每一個發光芯片組均包括所述多個發光芯片中的至少一個，以及針對所述多個發光芯片組中的每一個發光芯片組設置輸出傳遞信號的緩沖放大器。
3.根據權利要求I所述的發光裝置，其中所述發光裝置還包括存儲部件，其設置在安裝板上，并且其中存儲了包括校正值的多組控制數據，所述校正值被設置為至少與驅動所述發光裝置的多個驅動單元中的每一個驅動單元相對應，并且用來對所述多個發光芯片中的每一個發光芯片中的所述多個發光元件的光量進行校正。
4.根據權利要求2所述的發光裝置，其中所述發光裝置還包括存儲部件，其設置在安裝板上，并且其中存儲了包括校正值的多組控制數據，所述校正值被設置為至少與驅動所述發光裝置的多個驅動單元中的每一個驅動單元相對應，并且用來對所述多個發光芯片中的每一個發光芯片中的所述多個發光元件的光量進行校正。
5.根據權利要求I至4中任一項所述的發光裝置，其中所述發光裝置連接到多芯電纜，所述多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到所述多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰，所述點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光芯片，以使所述發光芯片中的多個發光元件執行點亮。
6.根據權利要求5所述的發光裝置，其中電纜為扁形軟電纜。
7.—種打印頭，包括 發光單元，其包括 多個發光芯片， 所述多個發光芯片中的每一個多個發光芯片均包括 多個發光元件，和 多個傳遞元件，所述多個傳遞元件通過依次進入導通狀態將所述多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標，所述多個傳遞元件中的每一個傳遞元件對應于所述多個發光元件中相應的一個發光元件而提供， 安裝板，所述多個發光芯片安裝于其上，以及 緩沖放大器，其設置在安裝板上，并且根據輸入傳遞信號來輸出傳遞信號，所述傳遞信號用來將包括在所述多個發光芯片的每一個發光芯片中的所述多個傳遞元件依次設置為導通狀態； 光學單元，其使用從所述發光單元發出的光來形成圖像。
8.一種圖像形成設備，包括 圖像載體； 充電單元，其對所述圖像載體進行充電； 發光單元，其包括 多個發光芯片， 所述多個發光芯片中的每一個發光芯片均包括 多個發光元件，和 多個傳遞元件，所述多個傳遞元件通過依次進入導通狀態將所述多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標，所述多個傳遞元件中的每一個傳遞元件對應于所述多個發光元件中相應的一個發光元件而提供， 安裝板，所述多個發光芯片安裝于其上，以及 緩沖放大器，其設置在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號，所述傳遞信號用來將包括在所述多個發光芯片的每一個發光芯片中的所述多個傳遞元件依次設置為導通狀態； 驅動單元，將所述傳遞信號發送到所述發光單元的緩沖放大器，并且將每一個點亮信號發送到所述多個發光芯片中相應一個發光芯片，所述點亮信號用來控制由包括在所述發光芯片中并且處于導通狀態的多個傳遞元件所指定的多個發光元件的點亮或不點亮； 光學單元，其使用從所述發光單元發出的光來形成圖像； 顯影單元，其對通過使用所述發光單元對圖像載體進行曝光而形成在圖像載體上的靜電潛像進行顯影；以及 轉印單元，其將已顯影在圖像載體上的靜電潛像轉印到轉印接收體上。
9.根據權利要求8所述的圖像形成設備， 其中所述驅動單元包括多個驅動單元，并且所述發光單元還包括存儲部件，其設置在安裝板上，并且其中存儲了包括校正值的多組控制數據，所述校正值被設置為至少與驅動所述發光單元的所述多個驅動單元中的每一個驅動單元相對應，并且用來對所述多個發光芯片中的每一個發光芯片中的所述多個發光元件的光量進行校正， 其中所述多個驅動單元中的每一個驅動單元從存儲在存儲部件中的多組控制數據中讀取設置為與所述驅動單元相對應的校正值，并且根據所述校正值來發送點亮信號。
10.根據權利要求8所述的圖像形成設備，其中所述發光單元和所述驅動單元連接到多芯電纜，所述多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到所述多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰，所述點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光芯片。
11.根據權利要求9所述的圖像形成設備，其中所述發光單元和所述多個驅動單元中的每一個連接到多芯電纜，所述多芯電纜形成為使得將點亮信號發送到所述多個發光芯片的布線圖案與用來在電流流過發送點亮信號的布線圖案的方向的相反方向上提供電流的布線圖案相鄰，所述點亮信號中的每一個通過相應的一個布線圖案發送到相應的一個發光
全文摘要
本發明提供了發光裝置、打印頭、和圖像形成設備。所述發光裝置包括多個發光芯片、安裝板、和緩沖放大器。多個發光芯片中的每一個包括多個發光元件和多個傳遞元件。多個傳遞元件通過依次進入導通狀態將多個發光元件依次指定為點亮或不點亮控制的目標。多個傳遞元件中的每一個對應于多個發光元件中的相應一個而提供。多個發光芯片安裝在安裝板上。緩沖放大器設置在安裝板上，并且根據輸入的傳遞信號來輸出傳遞信號。傳遞信號用來將包括在多個發光芯片的每一個中的多個傳遞元件依次設置為導通狀態。
文檔編號B41J2/435GK102738192SQ20121000580
公開日2012年10月17日 申請日期2012年1月10日 優先權日2011年4月7日
發明者井上道浩 申請人:富士施樂株式會社